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코어-쉘 구조를 갖는 양자점으로,구리가 도핑된 In(Zn)P 소재의 코어부; 및상기 코어부를 감싸는 Cu-Zn-In-S 성분계의 쉘층;을 포함하고,상기 양자점은 구리의 함량이 20 중량% 이상이고, 상기 쉘층의 인듐 함량이 증가할수록 양자효율은 증가하고 발광 파장의 피크의 변화는 ±5nm 이내인 코어-쉘 구조를 갖는 양자점
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제1항에 있어서,상기 코어부의 밴드 갭은 상기 쉘층의 밴드 캡에 포함되는 코어-쉘 구조를 갖는 양자점
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제1항에 있어서,상기 코어부의 크기가 증가할수록 발광 영역의 레드 시프트(red shift)가 일어나는 코어-쉘 구조를 갖는 양자점
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제1항에 있어서,상기 코어부의 발광 영역이 상기 쉘층에 의해 레드 시프트(red shift)되는 코어-쉘 구조를 갖는 양자점
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코어-쉘 구조를 갖는 양자점으로,구리가 도핑된 In(Zn)P 소재의 코어부;상기 코어부를 감싸는 Cu-Zn-In-S 성분계의 제1 쉘층; 및상기 제1 쉘층을 감싸는 ZnS 소재의 제2 쉘층;을 포함하고,상기 양자점은 구리의 함량이 20 중량% 이상이고, 상기 제1 쉘층의 인듐 함량이 증가할수록 양자효율은 증가하고 발광 파장의 피크의 변화는 ±5nm 이내인 코어-쉘 구조를 갖는 양자점
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제7항에 있어서,상기 양자점은 양자효율이 50% 이상인 코어-쉘 구조를 갖는 양자점
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제7항에 있어서,상기 코어부의 밴드 갭은 상기 제1 및 제2 쉘층의 밴드 캡에 포함되는 코어-쉘 구조를 갖는 양자점
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제7항에 있어서,상기 코어부의 크기가 증가할수록 발광 영역의 레드 시프트(red shift)가 일어나는 코어-쉘 구조를 갖는 양자점
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제7항에 있어서,상기 코어부의 발광 영역이 상기 제1 쉘층에 의해 레드 시프트(red shift)되는 코어-쉘 구조를 갖는 양자점
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