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게이트와 게이트 절연층이 형성된 기판 상에 절연 상태의 제1 산화물층을 증착하는 제1 증착부;상기 제1 산화물층 상에 전자빔을 조사하며, 상기 제1 산화물층을 활성화시켜 비정질의 제1 산화물 반도체층을 형성하는 전자빔 조사부;전자빔이 조사되어 형성된 상기 제1 산화물 반도체층 상에 절연 상태의 제2 산화물층을 증착하는 제2 증착부; 및상기 제2 산화물층을 활성화시켜 비정질의 제2 산화물 반도체층을 형성하는 후처리부;를 포함하고,상기 후처리부는 200 내지 300 ℃의 온도에서 열처리하거나, 상기 전자빔 조사부의 전자빔보다 낮은 세기의 전자빔을 조사하여 상기 제2 산화물층을 활성화시키며,적층된 상기 제1 산화물 반도체층과 상기 제2 산화물 반도체층은 비정질 상태로서, 채널층을 형성하는 산화물 박막 트랜지스터 제조장치
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청구항 1에 있어서,상기 제1 증착부, 상기 전자빔 조사부 및 상기 제2 증착부는 상기 기판을 가로지르는 제1 방향으로 연장되는 선형으로 이루어지며, 상기 제1 방향으로 나란히 순서대로 배치되고,상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 상기 기판을 이송하는 기판이송부;를 더 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조장치
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청구항 1에 있어서,상기 제1 산화물 반도체층은 상기 제2 산화물 반도체층보다 전기 전도도가 높은 산화물 박막 트랜지스터 제조장치
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청구항 2에 있어서,상기 제1 증착부, 상기 전자빔 조사부 및 상기 제2 증착부는 상기 기판의 이송 방향에 따라 순서대로 배열되어 단위 공정모듈을 이루며,상기 단위 공정모듈은 복수개로 구성되어 상기 제2 방향으로 배열되는 산화물 박막 트랜지스터 제조장치
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청구항 1에 있어서,상기 제1 증착부와 상기 제2 증착부는 인듐, 갈륨, 아연을 포함하는 타겟 재료를 갖는 스퍼터링 캐소드를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터 제조장치
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10
청구항 9에 있어서,상기 제1 증착부와 상기 제2 증착부의 스퍼터링 캐소드에 각각 전원을 공급하는 전원부;를 더 포함하고,상기 전원부는 상기 제1 증착부의 스퍼터링 캐소드에 상기 제2 증착부의 스퍼터링 캐소드보다 작은 세기의 전원을 공급하는 산화물 박막 트랜지스터 제조장치
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청구항 9에 있어서,상기 제1 증착부와 상기 제2 증착부의 스퍼터링 캐소드 각각은 동일한 성분으로 이루어진 상기 타겟 재료를 갖는 산화물 박막 트랜지스터 제조장치
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청구항 1에 있어서,상기 제2 증착부와 상기 전자빔 조사부 사이의 간격은 상기 제1 증착부와 상기 전자빔 조사부 사이의 간격보다 넓은 산화물 박막 트랜지스터 제조장치
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청구항 1에 있어서,상기 제1 증착부와 상기 제2 증착부는 상온 내지 200 ℃의 온도에서 산화물층을 증착하는 산화물 박막 트랜지스터 제조장치
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청구항 1에 있어서,상기 제1 증착부는 상기 제2 산화물층보다 얇은 두께로 상기 제1 산화물층을 증착하는 산화물 박막 트랜지스터 제조장치
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 투명 기판인 산화물 박막 트랜지스터 제조장치
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청구항 1에 있어서,상기 전자빔 조사부는 10 내지 5,000 eV의 전자빔을 조사하는 산화물 박막 트랜지스터 제조장치
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