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금속-유기 다면체가 함유된 박막층을 포함하는 기체 분리막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019005025
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속-유기 다면체가 함유된 박막층을 포함하는 기체 분리막 및 이의 제조방법에 관한 것으로 다공성 기판의 상면에 형성된 제1 기체분리층, 상기 형성층 상면에 형성된 제2 기체분리층, 및 상기 제2 기체분리층 상면에 형성된 기체선택층,을 포함함으로써, 종래의 기체 분리막과 유사한 정도로 가스 선택성을 유지하면서 종래의 기체 분리막에 비하여 가스 투과도를 월등히 향상시킨다.
Int. CL B01D 53/22 (2006.01.01) B01D 71/00 (2006.01.01) B01D 67/00 (2006.01.01)
CPC B01D 53/228(2013.01) B01D 53/228(2013.01) B01D 53/228(2013.01)
출원번호/일자 1020170146732 (2017.11.06)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0051274 (2019.05.15) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.06)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현욱 대전광역시 유성구
2 박영철 대전광역시 유성구
3 문종호 대전광역시 유성구
4 김태우 대전광역시 유성구
5 윤양노 대전광역시 유성구
6 무하마드 소핼 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-1098631-22
2 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction		 2017.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0164437-12
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0046324-22
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0818809-09
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.01.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0005121-47
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2019-0005122-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2019.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0464187-84
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.07.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0759107-36
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0759100-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 등록결정서
Decision to grant		 2019.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0751790-50
15 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2019.11.05 수리 (Accepted) 2-1-2019-0769988-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다공성 기판의 상면에 형성된 제1 기체분리층,상기 제1 기체분리층 상면에 형성된 제2 기체분리층, 및상기 제2 기체분리층 상면에 형성된 기체선택층,을 포함하되,상기 기체선택층은 폴리에틸렌글리콜계 물질, 할로겐이 치환된 금속, 하기 [화학식 5]로 표현되는 금속-유기 다면체(EG-MOP), ATRP 리간드 및 환원제를 포함하는 용액에 상기 제2 기체분리층까지 코팅된 기판을 침지시켜 원자이동라디칼중합(ATRP)에 의해 증착된 것을 특징으로 하는 기체 분리막;[화학식 5]상기 화학식 5에서, 상기 M1 및 M2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 Mg2+, Ca2+, Sr2+, Ba2+, Sc3+, Y3+, Ti4+, Zr4+, Hf4+, V4+, V3+, V2+, Nb3+, Ta3+, Cr3+, Mo3+, W3+, Mn3+, Mn2+, Re3+, Re2+, Fe3+, Fe2+, Ru3+, Ru2+, Os3+, Os2+, Co3+, Co2+, Rh2+, Rh+, Ir2+, Ir+, Ni2+, Ni+, Pd2+, Pd+, Pt2+, Pt+, Cu2+, Cu+, Ag+, Au+, Zn2+, Cd2+, Hg2+, Al3+, Ga3+, In3+, Tl3+, Si4+, Si2+, Ge4+, Ge2+, Sn4+, Sn2+, Pb4+, Pb2+, As5+, As3+, As+, Sb5+, Sb3+, Sb+, Bi5+, Bi3+ 및 Bi+ 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상이고;상기 x는 3 내지 100의 정수이며;상기 L1, L2, L3 및 L4는 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 하기 [화학식 6]으로 표현되는 유기리간드이며;[화학식 6]상기 R10, R11 및 R12는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴옥시기이고;상기 y는 1 내지 20의 정수이다
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 기체분리층은 하기 [반응식 1]에 따라 [화학식 1]의 화합물과 [화학식 2]의 화합물을 유기용매 하에서 교반시켜 제조된 제1 기체분리층 물질이 코팅된 것을 특징으로 하는 기체 분리막;[반응식 1][화학식 1] [화학식 2]상기 화학식 1에서, R1은 수소원자, 할로겐원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴옥시기이고;상기 n은 1 내지 100의 정수이며;상기 화학식 2에서, R2 내지 R7은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴옥시기이다
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 기체분리층은 하기 [반응식 2]에 따라 [화학식 3]의 화합물과 [화학식 4]의 화합물을 유기용매 하에서 교반시켜 제조된 제2 기체분리층 물질이 코팅된 것을 특징으로 하는 기체 분리막;[반응식 2][화학식 3] [화학식 4]상기 화학식 3에서, R8은 수소원자, 할로겐원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴옥시기이고;상기 m은 1 내지 100의 정수이며;상기 화학식 4는 이거나, R9가 수소원자, 할로겐원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴옥시기이고;상기 X는 플루오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br) 또는 요오드(I)이다
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12 12
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13 13
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14 14
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(A) 다공성 기판의 상면에 제1 기체분리층을 형성하는 단계;(B) 상기 제1 기체분리층 상면에 제2 기체분리층을 형성하는 단계; 및 (C) 상기 제2 기체분리층 상면에 기체선택층을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 기체선택층은 폴리에틸렌글리콜계 물질, 할로겐이 치환된 금속, 하기 [화학식 5]로 표현되는 금속-유기 다면체(EG-MOP), ATRP 리간드 및 환원제를 포함하는 용액에 상기 제2 기체분리층까지 코팅된 기판을 침지시켜 원자이동라디칼중합(ATRP)에 의해 증착된 것을 특징으로 하는 기체 분리막의 제조방법;[화학식 5]상기 화학식 5에서, 상기 M1 및 M2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 Mg2+, Ca2+, Sr2+, Ba2+, Sc3+, Y3+, Ti4+, Zr4+, Hf4+, V4+, V3+, V2+, Nb3+, Ta3+, Cr3+, Mo3+, W3+, Mn3+, Mn2+, Re3+, Re2+, Fe3+, Fe2+, Ru3+, Ru2+, Os3+, Os2+, Co3+, Co2+, Rh2+, Rh+, Ir2+, Ir+, Ni2+, Ni+, Pd2+, Pd+, Pt2+, Pt+, Cu2+, Cu+, Ag+, Au+, Zn2+, Cd2+, Hg2+, Al3+, Ga3+, In3+, Tl3+, Si4+, Si2+, Ge4+, Ge2+, Sn4+, Sn2+, Pb4+, Pb2+, As5+, As3+, As+, Sb5+, Sb3+, Sb+, Bi5+, Bi3+ 및 Bi+ 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상이고;상기 x는 3 내지 100의 정수이며;상기 L1, L2, L3 및 L4는 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 하기 [화학식 6]으로 표현되는 유기리간드이며;[화학식 6]상기 R10, R11 및 R12는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 알킬아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴옥시기이고;상기 y는 1 내지 20의 정수이다
17 17
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18 18
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19 19
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20 20
◈청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
21 21
◈청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
22 22
제1항 내지 제3항, 제5항, 제6항, 제8항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 기체 분리막을 구비하는 기체 분리막 모듈
23 23
제22항에 기재된 기체 분리막 모듈과,적어도 기체와 수증기를 포함하는 혼합 기체를 상기 기체 분리막 모듈에 공급하기 위한 기체 공급부를 구비하는 기체 분리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국에너지기술연구원 주요사업(구, 기본사업) 고분자와 금속-유기 복합체 기반의 이산화탄소 분리막의 개발