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유전율이 변화하는 강유전성 물질을 유전체로 구비한 가변 커패시터;를 포함하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기
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제1항에 있어서,상기 강유전성 물질은 BST인 것을 특징으로 하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기
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제1항에 있어서,상기 가변 커패시터와 직렬 연결되어 LC 공진회로를 구성하는 인덕터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기
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제3항에 있어서,상기 LC 공진회로는 입력 매칭 회로에 위치하여 드레인 전압 파형과 드레인 전류 파형의 오버래핑 부분을 줄이는 것을 특징으로 하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기
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제4항에 있어서,출력 매칭 회로에 위치하고 강유전성 물질을 유전체로 구비한 병렬 가변 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기
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제1항에 있어서,상기 가변 커패시터는,실리콘 소재의 기판에 내장되는 것을 특징으로 하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기
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유전율이 변화하는 강유전성 물질을 유전체로 구비한 가변 커패시터를 포함하는 입력 매칭 회로;유전율이 변화하는 강유전성 물질을 유전체로 구비한 가변 커패시터를 포함하는 출력 매칭 회로; 및상기 입력 매칭 회로와 상기 출력 매칭 회로 사이에 위치한 GaN 트랜지스터;를 포함하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기
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제7항에 있어서,상기 입력 매칭 회로는,가변 커패시터와 직렬 연결되어 LC 공진회로를 구성하는 인덕터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 수동 소자를 이용한 전력 증폭기
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