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질화물 후막 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019005136
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 치밀하고 두께가 두꺼운 고열전도성의 질화물 후막 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 질화물 후막은 제조 방법은 (a) 질화물 분말로부터 질화물 그래뉼(granule)을 형성하는 단계; (b) 상기 질화물 그래뉼을 600~950℃에서 어닐링하는 단계; 및 (c) 상기 어닐링된 질화물 그래뉼을 기판 상에 분사하여 질화물 후막을 제조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 33/64 (2010.01.01) H01L 23/373 (2006.01.01)
CPC H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01) H01L 21/0254(2013.01)
출원번호/일자 1020170148456 (2017.11.09)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-2121736-0000 (2020.06.05)
공개번호/일자 10-2019-0052767 (2019.05.17) 문서열기
공고번호/일자 (20200612) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.09)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한병동 경상남도 창원시 성산구
2 최종진 부산광역시 해운대구
3 안철우 경상남도 창원시 진해구
4 김종우 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-1110960-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0046464-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0054051-23
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0289401-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0290033-34
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0488178-24
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2019-0804994-42
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.08.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0804995-98
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0637277-08
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.11.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1121940-35
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-1121939-99
14 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2020.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0037630-08
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2020.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0365404-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 질화물 분말로부터 평균 입경이 50㎛ 이상인 질화물 그래뉼(granule)을 형성하는 단계;(b) 상기 질화물 그래뉼을 600~950℃에서 어닐링하는 단계; 및(c) 상기 어닐링된 질화물 그래뉼을 기판 상에 분사하여 질화물 후막을 제조하는 단계;를 포함하고,상기 (c) 단계는 어닐링된 질화물 그래뉼을 진공 분위기에서 노즐을 이용하여 기판 상에 분사하여 수행되고,상기 노즐 분사에 의해, 질화물 그래뉼이 연속적으로 파단되어 질화물 나노 입자와 질화물 서브미크론(submicron) 입자를 형성한 후, 상기 질화물 나노 입자끼리 압축되면서 압축된 나노 입자와 상기 질화물 서브미크론 입자가 기판 상에 증착되어 후막이 제조되는 것을 특징으로 하는 질화물 후막의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a) 단계는 분무 건조(spray drying)를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물 후막의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (b) 단계는 1~3시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물 후막의 제조 방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 질화물 후막의 두께는 20~100㎛인 것을 특징으로 하는 질화물 후막의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 질화물 후막의 산소 함량은 3중량% 이하인 것을 특징으로 하는 질화물 후막의 제조 방법
7 7
(a) 질화물 분말을 평균 입경이 3㎛ 이하가 되도록 분쇄하는 단계;(b) 상기 분쇄된 질화물 분말을 800~850℃에서 어닐링하는 단계; 및(c) 상기 어닐링된 질화물 분말을 기판 상에 분사하여 질화물 후막을 제조하는 단계;를 포함하고,상기 (c) 단계는 어닐링된 질화물 분말을 진공 분위기에서 노즐을 이용하여 기판 상에 분사하여 수행되고,상기 노즐 분사에 의해, 질화물 분말이 연속적으로 파단되어 질화물 나노 입자와 질화물 서브미크론(submicron) 입자를 형성한 후, 상기 질화물 나노 입자끼리 압축되면서 압축된 나노 입자와 상기 질화물 서브미크론 입자가 기판 상에 증착되어 후막이 제조되는 것을 특징으로 하는 질화물 후막의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 (b) 단계는 38~48시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물 후막의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
제7항에 있어서,상기 질화물 후막의 두께는 15~30㎛인 것을 특징으로 하는 질화물 후막의 제조 방법
11 11
제7항에 있어서,상기 질화물 후막의 산소(O) 함량은 10~20중량%인 것을 특징으로 하는 질화물 후막의 제조 방법
12 12
제1항 또는 제7항에 있어서,상기 질화물 분말은 질화 알루미늄(AIN), 질화 붕소(BN), 질화 규소(Si3N4), 질화 갈륨(GaN), 질화 티타늄(TiN) 및 질화 인듐(InN) 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 후막 의 제조 방법
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
평균 입경이 1~500nm인 질화물 나노 입자, 및 평균 입경이 1~30㎛인 질화물 서브미크론(submicron) 입자를 포함하고,두께가 15~30㎛이고,산소(O) 함량은 10~20중량%인 것을 특징으로 하는 질화물 후막
16 16
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 국가과학기술연구회 주요사업 고출력 전자부품의 신뢰성 향상을 위한 미래형 열관리 융복합소재 개발(3/3)