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기판 상에 희생층, 제1 마스크층, 및 패터닝된 제2 마스크층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제2 마스크층의 패턴이 상기 제1 마스크층 내로 확장되도록 상기 제1 및 제2 마스크층의 일부를 제거하는 단계;상기 제1 마스크층의 하부에서 상기 희생층이 노출되도록, 상기 제1 마스크층을 선택적으로 제거하는 단계; 및상기 희생층 상에 경사 증착 공정에 의해, 서로 다른 지름을 갖는 제1 및 제2 나노 디스크를 함께 형성하는 단계를 포함하는 나노 입자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 나노 디스크를 형성하는 단계에서, 상기 제1 나노 디스크의 적어도 일부 및 제2 나노 디스크는 동시에 형성되는 나노 입자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 희생층 상에 예비 제1 나노 디스크를 형성하는 단계를 더 포함하는 나노 입자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 나노 디스크는 서로 다른 공진 파장을 갖는 나노 입자의 제조 방법
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제4 항에 있어서,상기 제1 나노 디스크의 공진 파장은 상기 제2 나노 디스크의 공진 파장보다 장파장인 나노 입자의 제조 방법
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제4 항에 있어서,상기 제1 나노 디스크의 광 산란율은 상기 제2 나노 디스크의 광 산란율보다 큰 나노 입자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 나노 디스크는 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 백금(Pt), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 및 실리콘(Si) 중 적어도 하나를 포함하는 나노 입자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 나노 디스크는 적층된 방향에서의 중심이 일치하는 나노 입자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 지름은 10 nm 내지 500 nm의 범위에서 서로 다른 값을 갖는 나노 입자의 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 제1 및 제2 나노 디스크의 두께는 5 nm 내지 80 nm의 범위인 나노 입자의 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 제1 및 제2 나노 디스크의 두께는 동일하거나 유사한 나노 입자의 제조 방법
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