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표면에 APTES((3-Aminopropyl)triethoxysilane) 또는 GPTMS((3-Glycidyloxypropyl)trimethoxysilane)로 된 친수성 자기조립단분자층이 형성된 기판;상기 기판 상에 소정의 간격을 두고 형성되며, 표면에 PFDT (1H,1H,2H,2H-Perfluorodecanethiol), PFBT(2,3,4,5,6-Pentafluorothiophenol), 4-Methoxythiophenol, 또는 MPTMS(3-Mercaptopropyl)trimethoxysilane)로 된 소수성 자기조립단분자층이 형성된 금속 전극; 및상기 금속 전극과 140 내지 400nm의 간격을 두고 친수성 물질로 형성되는 전도성 유기물 전극;을 포함하는 후면전극 기판
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제1항에 있어서,상기 전도성 유기물 전극은 PEDOT:PSS으로 형성되는 후면전극 기판
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제1항에 있어서,상기 기판 및 금속 전극의 자기조립단분자층은 침지 공정에 의하여 형성되는 후면전극 기판
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제1항에 있어서,상기 전도성 유기물 전극은 딥 코팅 공정 또는 잉크젯 공정에 의하여 형성되는 후면전극 기판
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제1항에 있어서,상기 후면전극 기판은 박막트랜지스터 기판으로 사용되는 것인, 후면전극 기판
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기판에 소정의 간격을 가지는 금속 전극을 형성하는 단계;상기 기판에 APTES((3-Aminopropyl)triethoxysilane) 또는 GPTMS((3-Glycidyloxypropyl)trimethoxysilane)로 친수성 자기조립단분자층을 형성하는 단계;상기 금속 전극에 PFDT(1H,1H,2H,2H-Perfluorodecanethiol), PFBT(2,3,4,5,6-Pentafluorothiophenol), 4-Methoxythiophenol, 또는 MPTMS(3-Mercaptopropyl)trimethoxysilane)로 소수성 자기조립단분자층을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 금속 전극 사이에 금속 전극과 140 내지 400nm의 간격을 두고 친수성 물질로 전도성 유기물 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 후면전극 기판의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 전도성 유기물 전극의 형성은 상기 기판의 자기조립단분자층과 동일한 친매성을 가지는 용액을 사용한 딥 코팅 공정 또는 잉크젯 공정에 의하여 수행되는 후면전극 기판의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 딥 코팅 공정 수행에서 기판의 고정 위치, 기판과 용액의 작용거리, 기판을 올리는 속도, 기판을 내리는 속도, 또는 용액에 기판을 담그는 시간을 제어하여 금속 전극과 전도성 유기물 전극 간의 간격을 조절하는 후면전극 기판의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 기판의 자기조립단분자층 형성 단계는 친수성 물질을 포함하는 용액에 상기 기판을 침지하는 공정에 의하여 수행되는 후면전극 기판의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 침지 공정 후에 불필요한 자기조립단분자층을 제거하는 큐어링(curing) 공정을 수행하는 후면전극 기판의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 금속 전극의 자기조립단분자층 형성 단계는 소수성 물질을 포함하는 용액에 상기 기판을 침지하는 공정에 의하여 수행되는 후면전극 기판의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 침지 공정 후에 불필요한 자기조립단분자층을 제거하는 린스(rinse) 공정을 수행하는 후면전극 기판의 제조방법
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