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3차원 구조의 집전체;상기 3차원 구조의 집전체 전면 및 후면 중 적어도 하나에 환원 그래핀 분말을 함유하는 전극 슬러리를 코팅하여 마련되는 전극층;을 포함하며,상기 전극 슬러리는 전극 활물질, 도전재 및 결착제의 조성비는 90 : 5 : 5로 혼합되며,상기 전극 활물질은 환원 그래핀 분말을 포함하며, 상기 전극 활물질은 전극 성형시 고밀도인 전극을 형성하도록 입자의 형상으로 정립된 구형이며, 상기 집전체는 상기 환원 그래핀 분말을 함유하는 전극 슬러리의 코팅 로딩량을 증가시킴으로써 전극밀도를 증가시키게 3차원 구조이고,상기 전극 활물질은 양극에 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 집전체를 포함하는 적층형 슈퍼 커패시터용 전극 구조물
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제1항에 있어서,상기 집전체는니켈(Ni), 구리(Cu), 스테인리스 스틸(SUS), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 은(Ag), 금(Au), 루테늄(Ru), 플레티늄(Pt), 이리듐(Ir), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 비스무스(Bi), 안티모니(Sb) 중 적어도 하나로 구성되며,발포 금속(foamed metal), 금속 파이버(metal fiber), 다공성 금속(porous metal), 에칭된 금속(etched metal) 중 적어도 하나의 다공성의 3차원 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 집전체를 포함하는 적층형 슈퍼 커패시터용 전극 구조물
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제1항에 있어서,상기 집전체는권취형 타입의 전지에 적용되기 위한 일정 면과 폭을 가지는 바닥부;상기 바닥부의 양측 가장자리 중 적어도 하나의 가장자리에서 상기 바닥부로터 일정 높이를 가지며 형성되어 상기 바닥부에 도포되는 전극 슬러리의 흐름 방지를 지원하는 가이드부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 집전체를 포함하는 적층형 슈퍼 커패시터용 전극 구조물
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제3항에 있어서,상기 바닥부에서 일정 방향 또는 무작위 방향으로 다수개가 배치되어 상기 전극 슬러리의 흐름 방지를 지원하는 돌기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 집전체를 포함하는 적층형 슈퍼 커패시터용 전극 구조물
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제3항에 있어서,상기 가이드부는 상기 바닥부 중심에서 둔각 방향으로 일정 기울기를 가지며 형성되거나, 상기 바닥부 중심 쪽 예각 방향으로 일정 기울기를 가지며 오버행 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 집전체를 포함하는 적층형 슈퍼 커패시터용 전극 구조물
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제1항에 있어서,상기 집전체는파우치 타입 전지에 적용되기 위한 일정 면과 폭을 가지는 바닥부;상기 바닥부의 가장자리에서 상기 바닥부로터 일정 높이를 가지며 형성되어 상기 바닥부에 도포되는 전극 슬러리의 흐름 방지를 지원하는 측벽부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 집전체를 포함하는 적층형 슈퍼 커패시터용 전극 구조물
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제6항에 있어서,상기 바닥부에서 일정 방향 또는 무작위 방향으로 다수개가 배치되어 상기 전극 슬러리의 흐름 방지를 지원하는 돌기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 집전체를 포함하는 적층형 슈퍼 커패시터용 전극 구조물
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제6항에 있어서,상기 측벽부의 높이는상기 전극층들의 높이보다 낮게 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 집전체를 포함하는 적층형 슈퍼 커패시터용 전극 구조물
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 전극 구조물들;상기 전극 구조물들 사이에 배치되는 분리막과 전해질층;상기 전극 구조물들과 상기 분리막, 상기 전해질층을 감싸는 케이스;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 구조의 집전체를 포함하는 적층형 슈퍼 커패시터
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