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열경화성 수지, 경화제 및 환원제를 포함하는 언더필 조성물을 제조하는 단계;패키지 기판 상에 상기 언더필 조성물을 코팅하는 단계;상기 패키지 기판 상에 솔더볼들이 부착된 반도체 칩을 올려놓는 단계; 및열을 가하여 상기 언더필 조성물을 열경화하여 언더필막을 형성하고, 상기 솔더볼들을 리플로우시켜 상기 반도체 칩과 상기 패키지 기판을 상기 솔더볼들로 연결시키는 단계를 포함하되,상기 열을 가하는 것은 상기 반도체 칩에 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 레이저의 출력과 조사 시간을 조절함으로써 상기 언더필막의 유리전이온도를 변화시키는 단계를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 언더필 조성물을 코팅하는 단계 전에, 예비 실험을 진행하여 레이저의 출력과 조사시간의 변화에 따른 상기 언더필막의 유리전이온도의 변화 데이터를 구하는 단계를 더 포함하되,상기 레이저를 조사하는 단계는, 상기 데이터로부터 구해진 공정 조건에서 진행되는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열을 가하는 것은 상기 언더필 조성물에 레이저를 조사하는 단계 후에 열풍 혹은 할로겐 램프를 이용하여 열을 가하는 단계를 더 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 칩에 레이저를 조사하는 단계에서 상기 레이저의 출력이 증가할수록 상기 언더필막의 유리전이온도는 낮아지는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 환원제는 포름산, 아세트산, 젖산, 글루탐산, 올레산, 로졸산(rosolic acid), 2,2-비스(히드록시메틸렌)프로파논산, 부타노익산(butanoic acid), 프로파논산(propanoic acid), 타닌산, 글루콘산, 길초산(pentanoic acid), 헥사노산(hexanoic acid), 브롬화수소산, 염산, 요산, 불산, 황산, 벤질 글루타르산(Benzyl glutaric acid), 글루타르산, 말산, 인산, 옥살산, 우란산, 염산염, 과염소산, 갈산, 아인산, 시트르산, 말론산, 타르타르산, 프탈산, 신남산, 헥사노산, 프로피온산, 스테아르산, 아스코르브산, 아세틸 살리실산, 아젤라산, 벤질산(bezilic acid) 및 푸마르산 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 언더필 조성물은 상기 열경화성 수지와 상기 경화제의 제 1 경화반응의 속도와, 상기 열경화성 수지와 상기 환원제의 제 2 경화반응의 속도를 조절할 수 있는 촉매를 더 포함하되,상기 촉매는, 1-메틸 이미다졸, 2-메틸 이미다졸, 디메틸벤질 이미다졸, 1-데실-2-메틸이미다졸, 벤질 디메틸 아민, 트리메틸 아민, 트리에틸 아민, 디에틸아미노프로필아민, 피리딘, 18-디아조사이클로[5,4,0]언덱-7-엔, 2-헵타데실이미다졸, 보론 트리플루오라이드 모노에틸아민, 1-(3(2-히드록시페닐)프로프-2-에닐)이미다졸 중에 선택되는 적어도 하나인 반도체 패키지의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 경화제는 지방족 아민(aliphatic amine), 방향족 아민(aromatic amine), 지환식 아민(cycloaliphatic amine), 펜알카민(phenalkamine), 이미다졸(imidazole), 카르복실산(carboxylic acid), 무수물(anhydride), 폴리아미드 계열의 경화제(polyamide-based hardners), 페놀성 경화제(phenolic curing agents), PMDA(Pyromelitic dianhydride) 및 수용성 경화제(waterborne curing agents) 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법
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가열부재와 접하는 열경화성 수지 조성물을 준비하고,상기 가열부재에 레이저를 조사하여 상기 가열부재를 가열하고 상기 열경화성 수지 조성물을 경화하여 열경화막을 형성하는 것을 포함하되,상기 레이저를 조사하여 상기 열경화막의 유리전이온도를 낮추는 열경화막의 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 레이저의 출력과 조사 시간 중 적어도 하나를 조절하여 상기 열경화막의 유리전이온도를 변경하는 열경화막의 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 열경화성 수지 조성물은 광중합성 작용기를 포함하지 않는 열경화막의 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 열경화성 수지 조성물은 제 1 열경화성 수지 조성물과 제 2 열경화성 수지 조성물을 포함하고, 각각의 상기 제 1 및 제 2 열경화성 수지 조성물들은 동일한 조성의 열경화성 수지, 제 1 경화제, 및 제 2 경화제를 포함하고,상기 가열부재는 제 1 가열부재와 제 2 가열부재를 포함하고,상기 열경화막은 제 1 열경화막과 제 2 열경화막을 포함하고,상기 방법은:상기 제 1 열경화성 수지 조성물을 상기 제 1 가열부재 상에 코팅하는 단계; 상기 제 1 가열부재에 제 1 출력의 레이저를 제 1 시간 동안 조사하여 상기 제 1 가열부재를 가열하여 상기 제 1 열경화성 수지 조성물을 경화하여 상기 제 1 열경화막을 형성하는 단계;상기 제 1 열경화막의 제 1 유리전이온도를 측정하는 단계;상기 제 2 열경화성 수지 조성물을 상기 제 2 가열부재 상에 코팅하는 단계; 상기 제 2 가열부재에 제 2 출력의 레이저를 제 2 시간 동안 조사하여 상기 제 2 가열부재를 가열하여 상기 제 2 열경화성 수지 조성물을 경화하여 상기 제 2 열경화막을 형성하는 단계; 및상기 제 2 열경화막의 제 2 유리전이온도를 측정하는 단계를 포함하되,상기 제 2 출력은 상기 제 1 출력과 다르거나 또는 상기 제 1 시간은 상기 제 2 시간과 다르며,상기 제 1 유리전이온도는 상기 제 2 유리전이온도와 다른 열경화막의 형성 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 시간과 상기 제 2 시간은 동일하고,상기 제 2 출력은 상기 제 1 출력보다 크며,상기 제 2 유리전이온도는 상기 제 1 유리전이온도보다 낮은 열경화막의 형성 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 출력과 상기 제 2 출력은 동일하고,상기 제 2 시간은 상기 제 1 시간보다 크며,상기 제 2 유리전이온도는 상기 제 1 유리전이온도보다 낮은 열경화막의 형성 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 열경화성 수지 조성물은 상기 레이저를 흡수할 수 있는 검은색의 필러들을 더 포함하는 열경화막의 형성 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 2 경화제는 카르복실기를 포함하는 열경화막의 형성 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 열경화성 수지 조성물 각각은 서로 동일한 함량의 촉매를 더 포함하며,상기 촉매는 상기 열경화성 수지와 상기 제 1 경화제의 제 1 경화반응과, 상기 열경화성 수지와 상기 제 2 경화제의 제 2 경화반응의 속도를 조절하며,상기 촉매는, 1-메틸 이미다졸, 2-메틸 이미다졸, 디메틸벤질 이미다졸, 1-데실-2-메틸이미다졸, 벤질 디메틸 아민, 트리메틸 아민, 트리에틸 아민, 디에틸아미노프로필아민, 피리딘, 18-디아조사이클로[5,4,0]언덱-7-엔, 2-헵타데실이미다졸, 보론 트리플루오라이드 모노에틸아민, 및 1-(3(2-히드록시페닐)프로프-2-에닐)이미다졸 중에 선택되는 적어도 하나인 열경화막의 형성 방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 열경화성 수지 조성물은 상기 레이저를 흡수할 수 있는 검은색의 필러들을 더 포함하는 열경화막의 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 가열부재는 반도체 칩 또는 패키지 기판이며,상기 열경화막은 반도체 패키지의 언더필막 또는 솔더 레지스트막으로 사용되는 열경화막의 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 가열부재와 상기 열경화막은 유연한 열경화막의 형성 방법
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