| 1 |
1
금속 표면에 형성된 상기 금속의 산화막을 포함하는 금속 재료에 있어서,상기 산화막은 나노기공 구조를 갖는, 금속 재료
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 나노기공 구조는,10 내지 300 나노미터의 평균직경을 갖는 기공을 포함하는, 금속 재료
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 금속은 단일 원소 금속 또는 이종 이상의 원소가 혼합된 합금인, 금속 재료
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 산화막은,상기 금속의 표면과 HF1 내지 HF4의 접착력을 갖는, 금속 재료
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 산화막은,0
|
| 6 |
6
불화암모늄 및 증류수를 포함하고, 에틸렌글리콜 또는 글리세롤을 기반으로 하는 전해질 용액을 준비하는 단계; 상기 전해질 용액으로 양극으로서 금속과 음극을 침지시키는 단계; 및상기 양극과 상기 음극 간 10 내지 300V의 전압을 인가하여 상기 금속의 표면에 산화막을 형성하는 단계;를 포함하는, 열전달 효율이 향상된 금속 재료의 제조방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 금속의 표면에 산화막을 형성하는 방법은,상기 산화막의 표면에 나노기공 구조가 형성되는, 열전달 효율이 향상된 금속 재료의 제조방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 나노기공 구조는,10 내지 300 나노미터의 평균직경을 갖는, 열전달 효율이 향상된 금속 재료의 제조방법
|
| 9 |
9
제 6 항에 있어서,상기 산화막은,상기 금속의 표면과 HF1 내지 HF4의 접착력을 갖는, 열전달 효율이 향상된 금속 재료의 제조방법
|
| 10 |
10
제 6 항에 있어서,상기 산화막은,0
|
| 11 |
11
제 6 항에 있어서,상기 산화막을 형성하는 단계는,1 내지 120분 동안 전압을 인가하는, 열전달 효율이 향상된 금속 재료의 제조방법
|
| 12 |
12
금속을 포함하는 금속 재료의 열전달 효율을 향상시키는 방법에 있어서,상기 금속 표면에 나노기공 구조를 갖는 상기 금속의 산화막을 형성시키는 단계를 포함하는, 금속 재료의 열전달 효율을 향상시키는 방법
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서, 상기 나노기공 구조를 갖는 금속의 산화막을 형성시키는 단계는,불화암모늄 및 증류수를 포함하고, 에틸렌글리콜 또는 글리세롤을 기반으로 하는 전해질 용액을 준비하는 단계;열전달 효율을 높이기 위한 상기 금속 및 환원되기 위한 음극을 상기 전해질 용액에 침지시키는 단계; 및상기 금속과 상기 음극 간 10 내지 300V의 전압을 인가하여 상기 금속 표면에 나노기공 구조를 포함하는 산화막을 형성하는 단계;를 포함하는, 금속 재료의 열전달 효율을 향상시키는 방법
|
