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탄소계 재료; 및상기 탄소계 재료의 표면에 형성된 금속 인화물을 포함하는 비정질탄소 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하는 비수계 리튬이차전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서,상기 금속 인화물의 금속은 Mo, Ni, Fe, Co, Ti, V, Cr 및 Mn으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 음극 활물질
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제1항에 있어서,상기 금속은 Mo을 포함하고, MoP, MoP2, Mo3P, MoP4, Mo4P3 및 Mo8P5로 이루어진 화합물 중에서 최소한 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 비수계 리튬이차전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 코팅층은 MoP 및 MoP2와 콜타르피치의 열처리를 통하여 상기 탄소계 재료의 표면에 형성된 상기 MoP 와 MoP2 입자와 비정질탄소를 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 비수계 리튬이차전지용 음극 활물질
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제4항에 있어서, 상기 코팅층에서,MoP 와 MoP2 로 구성된 MoPx의 양은 50 wt% 이하인 것을 특징으로 하는 비수계 리튬이차전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서,상기 음극 활물질은 X선 회절 패턴에서 2θ= 32
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제1항에 있어서,상기 음극 활물질은 X선 회절 패턴에서 2θ= 23
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제1항에 있어서,상기 코팅층은 상기 탄소계 재료의 표면에 균일하게 또는 부분적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 비수계 리튬이차전지용 음극 활물질
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제1항에 있어서, 상기 탄소계 재료는 인조흑연, 천연흑연, 흑연화탄소 섬유, 흑연화 메조카본마이크로비드, 석유코크스, 수지소성체, 탄소섬유 및 열분해 탄소로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 일종을 포함하는 것을 특징으로 하는 비수계 리튬이차전지용 음극 활물질
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제9항에 있어서,상기 탄소계 재료는 입도가 20㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 흑연계 비수계 리튬이차전지용 음극 활물질
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 음극 활물질을 갖는 음극을 포함하는 것을 특징으로 하는 비수계 리튬이차전지
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탄소계 재료를 준비하는 단계; 및상기 탄소계 재료의 표면에 금속 인화물을 포함하는 비정질 탄소 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비수계 리튬이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 금속 인화물의 금속은 Mo, Ni, Fe, Co, Ti, V, Cr 및 Mn으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 비수계 리튬이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 비정질 탄소 코팅층 형성 단계는,상기 금속 및 P를 함유하는 비정질 카본 전구체 용액을 상기 탄소계 재료에 혼합하여 상기 탄소계 재료 표면에 상기 비정질 카본 전구체 용액을 코팅하는 단계;상기 비정질 카본 전구체 용액이 코팅된 상기 탄소계 재료를 건조하는 건조 단계; 및건조된 상기 탄소계 재료를 열처리하여 인화 몰리브덴을 함유하는 비정질 카본 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비수계 리튬이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 비정질 카본 전구체는 콜타르피치, 석유코크스, 수지소성체 및 열분해 탄소로 이루어진 그룹 중에서 선택된 최소한 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 비수계 리튬 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 금속은 Mo를 포함하고,상기 코팅 단계에서 상기 비정질 탄소 전구체에 함유되는 Mo 및 P는 인화 몰리브덴인 것을 특징으로 하는 비수계 리튬 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 인화 몰리브덴은 MoP, MoP2, Mo3P, MoP4, Mo4P3 및 Mo8P5로 이루어진 화합물 중에서 최소한 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 비수계 리튬 이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 인화 몰리브덴은 MoP 와 MoP2의 혼합물이고, 상기 비정질 카본 전구체 용액은 콜타르 피치 용액이며, 상기 인화 몰리브덴은 상기 비정질 카본 전구체 용액 내에 0 ~ 50 wt%를 포함되는 것을 특징으로 하는 비수계 리튬이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제18항에 있어서, 상기 건조 단계는,상온~100℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는 비수계 리튬이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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제18항에 있어서, 상기 열처리 단계는,500~1000℃의 비활성 가스 분위기에서 1~10시간 수행하는 것을 특징으로 하는 비수계 리튬이차전지용 음극 활물질의 제조 방법
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