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낮은 일함수 전자방출 물질 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019005537
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Hf 및 Se를 포함하는 Hf2Se와 Hf2Se1-y(0 003c# y ≤ 0.1) 복합구조체(Hf2Se1-y의 부피 분율, 0 ≤ f ≤ 20)의 전자방출 물질 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 복합구조체는 계면에서 2DEG 형성으로 인해 Hf2Se 단일구조체보다 낮은 일함수 특성을 보이므로 FED 및 형광판에 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL C01G 27/00 (2006.01.01) H01J 1/32 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180053828 (2018.05.10)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0055697 (2019.05.23) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170152644   |   2017.11.15
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.10)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성웅 서울특별시 서초구
2 이규형 서울특별시 동대문구
3 강세황 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 노경규 대한민국 서울시 서초구 반포대로**길 ** 매강빌딩 *층(에이치앤에이치국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0461029-83
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.05.11 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2018-0462046-27
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2018.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0077933-73
4 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document
2018.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0503722-80
5 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2018.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0085130-60
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.01.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0044139-31
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0329369-19
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.06.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0624301-66
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0624300-10
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2019.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0857068-19
12 등록결정서
Decision to grant
2019.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0765984-83
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1과 화학식 2로 구성되는 복합구조체로서:003c#화학식 1003e#Hf2Se003c#화학식 2003e#Hf2Se1-y (0 003c# y ≤ 0
2 2
삭제
3 3
제1항에서, Hf2Se의 일함수는 2
4 4
제1항에서, Hf2Se와 Hf2Se1-y (0 003c# y ≤ 0
5 5
제4항에서, Hf2Se와 Hf2Se1-y (0 003c# y ≤ 0
6 6
제 1항, 또는 제 3항 내지 제 5항 중 어느 한 항의 복합구조체를 포함하는 전자방출 물질
7 7
제 6항의 전자방출 물질의 분말을 표면에 노출되게 포함하는 전자 이미터
8 8
제 7항의 전자 이미터를 구비하고 있는 형광관
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 미래소재디스커버리사업 1단계 3/3 [EZ]전자화물 안정화 및 기능특성 극대화를 위한 소재 인자 제어능 한계 극복 공정 기술 개발