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자기 특성 조절이 가능한 할라이드 전자화물

  • 기술번호 : KST2019005546
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 할라이드 가돌리늄계 전자화물 및 그 제조방법에 대한 것이다. 본 발명의 할라이드 가돌리늄계 전자화물은 하기 화학식 1로 표시된다. 003c#화학식 1003e# Gd2XyC (여기서, 상기 X는 F, Cl, I 또는 Br이고, y는 0003c#y≤2.0 이다.) 본 발명의 할라이드 가돌리늄계 전자화물은 할라이드계 물질을 기존 자성 전자화물에 도핑하여 전자화물이 갖는 전자의 수를 체계적으로 제어하면서 자성물질이 갖는 임계온도를 조절할 수 있다. 구체적으로, 자성 물질의 임계온도를 격자간 전자의 양에 따라 조절하여 350 K부터 10 K까지 변하게 할 수 있다.
Int. CL C01F 17/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180016488 (2018.02.09)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0056269 (2019.05.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170152723   |   2017.11.16
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.02.09)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성웅 서울특별시 서초구
2 이규형 서울특별시 동대문구
3 박종호 충청북도 청주시 흥덕구
4 이승용 인천광역시 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 노경규 대한민국 서울시 서초구 반포대로**길 ** 매강빌딩 *층(에이치앤에이치국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0146738-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0027547-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0203991-77
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0506721-94
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0631081-70
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0739868-94
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.07.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0739869-39
9 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0789456-03
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2019.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0857068-19
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0931473-69
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2020.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-0094996-47
13 법정기간연장승인서
2020.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0017017-39
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.02.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0175199-08
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2020-0175198-52
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0160604-05
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표현되는 벌크, 단결정 또는 박막 형태의 할라이드 가돌리늄계 전자화물이고,003c#화학식 1003e#Gd2XyC(여기서, 상기 X는 Cl이고, y는 0003c#y≤2
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
Gd 분말, GdCl3 분말 및 탄소 분말을 포함하는 합성 원료를 1000 내지 1200℃의 온도에서 20시간 내지 120시간 동안 진공 또는 불활성 가스 분위기에서 열처리하여 고상 반응시키는 단계; 및상기 열처리를 거친 합성 원료를 냉각하여 하기 화학식 1로 표시되는 할라이를 포함하는 할라이드 가돌리늄계 전자화물을 제조하는 단계;를 포함하고,003c#화학식 1003e#Gd2XyC(여기서, 상기 X는 Cl이고, y는 0003c#y≤2
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제4항에 있어서, 상기 열처리에 이용되는 진공 분위기의 진공도는 10-2 Torr이상인 것을 특징으로 하는 할라이드 가돌리늄계 전자화물의 제조방법
8 8
제4항에 있어서,상기 불활성 가스는 아르곤, 헬륨, 네온 또는 질소 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 할라이드 가돌리늄계 전자화물의 제조방법
9 9
제4항에 있어서,상기 냉각은 상온까지 공랭시키는 것을 특징으로 하는 할라이드 가돌리늄계 전자화물의 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제4항, 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따라 제조된 하기 화학식 1로 표현되고,003c#화학식 1003e#Gd2XyC(여기서, 상기 X는 Cl이고, y는 0003c#y≤2
13 13
제4항, 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따라 제조된 하기 화학식 1로 표현되고, 003c#화학식 1003e#Gd2XyC(여기서, 상기 X는 Cl이고, y는 0003c#y≤2
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 미래소재디스커버리사업 1단계 3/3 [EZ]전자화물 안정화 및 기능특성 극대화를 위한 소재 인자 제어능 한계 극복 공정 기술 개발