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빛의 투과가 가능하고 폴리머로 이루어진 베이스 기판; 복수의 돌기형 구조체와, 상기 돌기형 구조체에 무기물 입자의 증착에 의해 형성된 반사방지 구조체를 포함하고, 상기 베이스 기판의 일면에 형성된 반사방지막; 상기 베이스 기판의 다른 일면에 형성된 금속박막; 및상기 기판 및 상기 금속박막의 일면 사이에 형성되는 산화물박막인 중간층;을 포함하고,상기 중간층은 4 ~ 10nm의 두께를 가지는, 폴리머기판
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제1항에 있어서,상기 복수의 돌기형 구조체는 플라즈마 건식 에칭에 의해 베이스 기판 표면에 형성되는, 폴리머기판
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제1항에 있어서,상기 금속박막은 다음에서 선택되는 1종으로 이루어지는, 폴리머기판:(1) 순수 금속의 단층막; (2) 금속 젖음층 및 금속박막을 포함하는 복층막;(3) 금속 및 가스 불순물 중 1종 이상을 포함하는 단층막; 또는 (4) 금속 및 가스 불순물 중 1종 이상을 포함하는 복층막
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제1항에 있어서,상기 금속박막은 은(Ag), 또는 은 및 불가피한 불순물로 구성되는 은 합금으로 구성되는, 폴리머기판
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제1항에 있어서,상기 금속박막의 다른 일면에 형성되는 보호층;을 더 포함하는, 폴리머기판
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제1항에 있어서,상기 중간층은 ZnO 또는 금속도핑된 ZnO인, 폴리머기판
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제1항에 있어서,상기 중간층은 헥사고날(hexagonal) (0002) 방향으로 우선배향된 완전 결정성 또는 미세 결정성인, 폴리머기판
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제1항에 있어서, 상기 금속박막은 4 ~ 10nm의 두께를 가지는, 폴리머기판
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제5항에 있어서, 보호층은 15 ~ 35nm의 두께를 가지는, 폴리머기판
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제1항에 있어서,상기 폴리머기판은 10 Ω/sq 이하의 면저항을 가지는, 폴리머기판
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제1항에 있어서,상기 폴리머기판은 88% 이상의 광투과도를 가지는, 폴리머기판
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제1항 내지 제7항 및 제9항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 폴리머기판을 포함하는, 물품
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제13항에 있어서, 상기 물품은 30nm 미만의 두께를 가지는 보호층을 포함하고, 디스플레이용 투명전극인, 물품
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제13항에 있어서, 상기 물품은 30nm 이상의 두께를 가지는 보호층을 포함하고, 태양전지용 투명전극, 편광판, 저방사코팅, 투명히터용 전극, 또는 반도체용 미세금속전극인, 물품
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제1항에 기재된 폴리머기판을 제조하는 방법에 있어서,빛의 투과가 가능하고 폴리머로 이루어진 베이스 기판을 준비하는 단계;건식 에칭 방식을 이용하여 상기 베이스 기판의 일면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계;무기물 입자의 증착에 의해 상기 복수의 돌기형 구조체 각각에 빛의 반사를 방지할 수 있는 반사방지 구조체를 형성하여, 상기 베이스 기판의 표면에 반사방지막을 형성하는 단계;상기 베이스 기판의 다른 일면에 상온 공정의 물리기상증착법에 의해 은(Ag), 또는 은 및 불가피한 불순물로 구성되는 은 합금으로 구성되는 금속박막을 형성하는 단계; 및상기 베이스 기판 및 상기 금속박막의 일면의 사이에, 산화물박막인 중간층을 형성하는 단계; 를 포함하고, 상기 중간층은 4 ~ 10nm의 두께로 형성되는, 폴리머기판의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 중간층은 ZnO 또는 금속도핑된 ZnO으로 형성되는 단계;를 더 포함하는, 폴리머기판의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 중간층은 헥사고날(hexagonal) (0002) 방향으로 우선배향된 완전 결정성 또는 미세 결정성으로 형성되는, 폴리머기판의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 금속박막의 다른 일면에 보호층을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 폴리머기판의 제조방법
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