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베이스층(base layer) 상에 위치하는 게이트 전극,상기 게이트 전극과 이격되어 있고, 적어도 일부가 상기 게이트 전극과 중첩되는 금속 산화물층, 그리고상기 금속 산화물층 상에 위치하고, 일부가 상기 금속 산화물층에 접촉되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 금속 산화물층은 둘 이상의 금속 산화물 박막을 포함하고, 상기 둘 이상의 금속 산화물 박막 중 하나 이상의 금속 산화물 박막이 UV-O3 처리되어 있는 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터
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제1항에서,상기 금속 산화물층에서, 상기 둘 이상의 금속 산화물 박막 중 상기 게이트 전극에 가장 가깝게 위치하는 금속 산화물 박막이 UV-O3 처리되어 있는 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터
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제2항에서,상기 게이트 전극 상에 상기 금속 산화물층이 위치하고,상기 둘 이상의 금속 산화물 박막 중 가장 하부에 위치하는 금속 산화물 박막만이 UV-O3 처리되어 있는 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터
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제2항에서,상기 게이트 전극이 상기 금속 산화물층 상에 위치하고,상기 둘 이상의 금속 산화물 박막 중 가장 상부에 위치하는 금속 산화물 박막만이 UV-O3 처리되어 있는 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터
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제1항에서,상기 금속 산화물층은 셋 이상의 금속 산화물 박막을 포함하고, 상기 셋 이상의 금속 산화물 박막 중 둘 이상의 금속 산화물 박막이 UV-O3 처리되어 있는 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터
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제1항에서,상기 금속 산화물 박막에서, 상기 금속 산화물은 In2O3, ZnO, IZO(indium zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), ZTO(zinc tin oxide), 또는 ITO(indium tin oxide) 중 하나 이상을 포함하는 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터
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제1항에서,상기 박막트랜지스터는 바텀 게이트(bottom gate type) 타입, 톱 게이트(top gate) 타입, 또는 듀얼 게이트(dual gate) 타입인 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터
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제1항에서,상기 베이스층은 기판 또는 절연막인 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터
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기판 상에 게이트 전극 및 게이트 절연막을 순차적으로 형성하는 단계,상기 게이트 절연막 상에 금속 산화물층을 형성하는 단계, 그리고상기 금속 산화물층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속 산화물층은 둘 이상의 금속 산화물 박막을 포함하고, 상기 둘 이상의 금속 산화물 박막 중 하나 이상의 금속 산화물 박막이 UV-O3 처리되어 있으며,상기 금속 산화물층을 형성하는 단계에서,상기 UV-O3 처리된 금속 산화물 박막은, 금속 산화물 용액을 하부층 상에 도포하고 가열하여 용매를 제거한 이후, 산소 분위기에서 UV-O3 처리를 수행한 후 열처리하여 형성되는 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터의 제조방법
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제9항에서,상기 금속 산화물층에서 상기 UV-O3 처리된 금속 산화물 박막의 하부 또는 상부에 UV-O3가 미처리된 금속 산화물 박막이 하나 이상 위치하는 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터의 제조방법
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제10항에서,상기 하부층은 상기 게이트 절연막 또는 상기 UV-O3가 미처리된 금속 산화물 박막인 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터의 제조방법
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제9항에서,상기 금속 산화물 용액은,아연(zinc) 전구체, 갈륨(gallium) 전구체, 또는 인듐(indium) 전구체 중 하나 이상을 포함하는 금속 전구체와, 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 메탄올(methanol), 탈이온수(deionized water), 또는 이소프로필알코올 (isopropylalcohol) 중 하나 이상을 포함하는 용매를 혼합하여 제조되는 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터의 제조방법
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제12항에서,상기 아연 전구체는 징크 클로라이드(Zinc chloride), 징크 아세테이트(Zinc acetate), 또는 징크 아세테이트 하이드레이트(Zinc acetate hydrate) 중 하나 이상을 포함하고,상기 갈륨 전구체는 갈륨나이트레이트(Gallium nitrate), 갈륨 나이트레이트 하이드레이트(Gallium nitrate hydrate), 갈륨 아세테이트(Gallium acetate), 갈륨 아세테이트 하이드레이트(Gallium acetate hydrate), 또는 갈륨 알콕사이드(Gallium alkoxides) 중 하나 이상을 포함하며,상기 인듐 전구체는 인듐 콜로라이드(Indium chloride), 인듐 아세테이트(Indium acetate), 인듐 아세테이트 하이드레이트(Indium acetate hydrate), 인듐 나이트레이트(Indium nitrate), 인듐 나이트레이트 하이드레이트(Indium nitrate hydrate), 또는 인듐 알콕사이드(Indium alkoxides) 중 하나 이상을 포함하는 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터의 제조방법
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제9항에서,상기 UV-O3 처리에서 사용되는 파장은 185 nm 또는 254 nm이고, 처리 시간은 10 분인 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터의 제조방법
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제9항에서,상기 금속 산화물 용액의 도포는, 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating), 잉크젯 프린팅(inkjet printing), 옵셋 프린팅(offset printing), 리버스 옵셋 프린팅(reverse offset printing), 그라비어 프린팅(gravure printing), 또는 롤 프린팅(roll printing) 중 하나의 용액 공정으로 이루어지는 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터의 제조방법
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제9항에서,상기 도포된 금속 산화물 용액에 대한 가열 온도는 90 ~ 110 ℃인 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터의 제조방법
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제16항에서,상기 열처리 온도는 250 ~ 350 ℃인 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터의 제조방법
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18
기판 상에 금속 산화물층을 형성하는 단계,상기 금속 산화물층 상에 제1 절연막, 게이트 전극, 제2 절연막을 순차적으로 형성하는 단계,상기 제2 절연막 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 각각은 상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막을 관통하는 컨택홀(contact hole)을 통해 상기 금속 산화물층에 접촉되고,상기 금속 산화물층은 둘 이상의 금속 산화물 박막을 포함하고, 상기 둘 이상의 금속 산화물 박막 중 하나 이상의 금속 산화물 박막이 UV-O3 처리되어 있으며,상기 금속 산화물층을 형성하는 단계에서,상기 UV-O3 처리된 금속 산화물 박막은, 금속 산화물 용액을 하부층 상에 도포하고 가열하여 용매를 제거한 이후, 산소 분위기에서 UV-O3 처리를 수행한 후 열처리하여 형성되는 전기 전도성 제어가 가능한 박막트랜지스터의 제조방법
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