| 1 |
1
InP 양자점으로 된 코어와, ZnS 양자점으로 되고 상기 코어를 둘러싸는 쉘로 구성된 InP/ZnS 양자점을 제조하는 방법에 있어서,(i) 인듐 및 인의 각 전구체를 용매와 함께 반응시켜 InP 양자점을 합성하는 단계와;(ii) 아연 및 황의 각 전구체를 제1온도에서 상기 InP 양자점에 주입하고 제2온도로 가열 승온한 후 제3온도에서 어닐링함으로써 상기 InP 양자점을 코어로 하여 둘러싸는 ZnS 양자점의 쉘층을 형성하는 단계와;(iii) 상기 (ii)단계를 N회(N≥2) 반복하여 상기 쉘층을 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 (ii)단계에서 상기 아연 및 황의 각 전구체는 N회에 걸쳐 나누어 주입되는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 제1온도는 100~250℃ 범위인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제2온도는 300℃ 이하인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 제3온도는 250~300℃ 범위인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 어닐링은 최대 1시간 이내로 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 가열 승온의 속도는 5~30℃/분으로 되는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 7 |
7
제3항에 있어서,상기 제2온도는 250℃ 이상인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 (ii)단계에서 상기 가열 승온한 후 상기 어닐링하기 이전에 상기 아연 및 황의 각 전구체와 상기 InP 양자점의 혼합물을 교반함을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 교반은 5~30분간 수행됨을 특징으로 하는 방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 인듐 전구체는 인듐 아세테이트, 인듐 클로라이드 및 인듐 옥사이드로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 인 전구체는 트리스(트리메틸실릴)포스핀(P(TMS)3) 및 트리스(디메틸아미노)포스핀(P(DMA)3) 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 12 |
12
제10항 또는 제11항에 있어서,상기 용매는 옥타데센, 트리옥틸포스핀 옥사이드, 트리옥틸포스핀, 데실아민, 테트라데실아민, 도데실아민, 헥사데실아민, 옥타데실아민, 올레일아민, 옥틸아민 및 트리옥틸아민 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 아연 전구체는 아연 아세테이트, 아연 스테레이트, 아연 클로라이드 및 아연 옥사이드로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 황 전구체는 도데칸티올, 옥탄디올, 벤젠티올, 에탄티올, 티올페놀 및 설퍼 파우더로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 방법
|
| 15 |
15
제1항에 있어서,상기 N은 N≥5인 것을 특징으로 하는 방법
|
