맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전이금속 칼코겐화합물을 이용한 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019005617
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전이금속 칼코겐화합물을 이용한 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 전이금속 칼코겐화합물을 이용한 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법은 (a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 상에 절연막을 형성하는 단계; (b) 상기 절연막이 형성된 기판 상에 채널부와 동일한 형상의 개구부를 포함하는 섀도 마스크(shadow mask)를 배치하고, 스퍼터링 공정으로 10층 이하의 전이금속 칼코겐화합물을 증착하여, 전이금속 칼코겐화합물로 형성된 채널부를 형성하는 단계; (c) 상기 섀도 마스크를 제거하고, 상기 채널부가 형성된 기판 상에 전자빔을 조사하여 결정화하는 단계; 및 (d) 상기 결정화된 채널부의 양단과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/033 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66431(2013.01) H01L 29/66431(2013.01) H01L 29/66431(2013.01) H01L 29/66431(2013.01) H01L 29/66431(2013.01)
출원번호/일자 1020170152941 (2017.11.16)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0055992 (2019.05.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.16)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤영준 경상남도 진주시 사들로 *
2 김봉호 부산시 북구
3 구현호 경남 사천시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-1139377-25
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0103899-95
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0619157-71
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-1119436-08
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1178908-63
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1178907-17
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0271845-47
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0607542-19
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0607543-54
11 등록결정서
Decision to grant		 2019.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0763128-81
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 상에 절연막을 형성하는 단계;(b) 상기 절연막이 형성된 기판 상에 채널부와 동일한 형상의 개구부를 포함하는 섀도 마스크(shadow mask)를 배치하고, 스퍼터링 공정으로 10층 이하의 전이금속 칼코겐화합물을 증착하여, 전이금속 칼코겐화합물로 형성된 채널부를 형성하는 단계;(c) 상기 섀도 마스크를 제거하고, 상기 채널부가 형성된 기판 상에 전자빔을 조사하여 결정화하는 단계; 및(d) 상기 결정화된 채널부의 양단과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 (d) 단계는 (d1) 상기 채널부가 형성된 기판 상에 포토 레지스트를 도포하여 코팅하는 단계;(d2) 상기 포토 레지스트가 코팅된 기판 상에 섀도 마스크를 배치하고, UV를 조사하는 단계;(d3) 상기 UV를 조사받은 기판 상에 증발법으로 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및(d4) 리프트 오프법(lift-off process)을 이용하여, 상기 포토 레지스트가 형성된 영역을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
(a) 기판 상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 상에 절연막을 형성하는 단계;(b) 상기 절연막이 형성된 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극이 서로 이격되도록 형성하는 단계; (c) 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 서로 이격된 기판 상에 채널부와 동일한 형상의 개구부를 포함하는 섀도 마스크를 배치하고, 스퍼터링 공정으로 10층 이하의 전이금속 칼코겐화합물을 증착하여, 전이금속 칼코겐화합물로 형성된 채널부를 형성하는 단계; 및(d) 상기 채널부가 형성된 기판 상에 전자빔을 조사하여 결정화하는 단계;를 포함하고,상기 (b) 단계는 (b1) 상기 기판 상에 포토 레지스트를 도포하여 코팅하는 단계;(b2) 상기 포토 레지스트가 코팅된 기판 상에 섀도 마스크를 배치하고, UV를 조사하는 단계;(b3) 상기 UV를 조사받은 기판 상에 증발법으로 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및(b4) 리프트 오프법을 이용하여, 상기 포토 레지스트가 형성된 영역을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
(a) 기판 상에 채널부와 동일한 형상의 개구부를 포함하는 섀도 마스크를 배치하고, 스퍼터링 공정으로 10층 이하의 전이금속 칼코겐화합물을 증착하여, 전이금속 칼코겐화합물로 형성된 채널부를 형성하는 단계;(b) 상기 섀도 마스크를 제거하고, 상기 채널부가 형성된 기판 상에 전자빔을 조사하여 결정화하는 단계; 및(c) 상기 결정화된 채널부의 양단과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및(d) 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 기판 상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 (c) 단계는 (c1) 상기 채널부가 형성된 기판 상에 포토 레지스트를 도포하여 코팅하는 단계;(c2) 상기 포토 레지스트가 코팅된 기판 상에 섀도 마스크를 배치하고, UV를 조사하는 단계;(c3) 상기 UV를 조사받은 기판 상에 증발법으로 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및(c4) 리프트 오프법을 이용하여, 상기 포토 레지스트가 형성된 영역을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
(a) 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극이 서로 이격되도록 형성하는 단계; (b) 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 서로 이격된 기판 상에 채널부와 동일한 형상의 개구부를 포함하는 섀도 마스크를 배치하고, 스퍼터링 공정으로 10층 이하의 전이금속 칼코겐화합물을 증착하여, 전이금속 칼코겐화합물로 형성된 채널부를 형성하는 단계; (c) 상기 채널부가 형성된 기판 상에 전자빔을 조사하여 결정화하는 단계; 및(d) 상기 채널부가 형성된 기판 상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 (a) 단계는 (a1) 상기 기판 상에 포토 레지스트를 도포하여 코팅하는 단계;(a2) 상기 포토 레지스트가 코팅된 기판 상에 섀도 마스크를 배치하고, UV를 조사하는 단계;(a3) 상기 UV를 조사받은 기판 상에 증발법으로 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및(a4) 리프트 오프법을 이용하여, 상기 포토 레지스트가 형성된 영역을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제1항, 제4항, 제7항, 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널부의 길이가 0
14 14
제1항, 제4항, 제7항, 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 전극은 알루미늄(Al), 금(Au), 베릴륨(Be), 비스무트(Bi), 코발트(Co), 구리(Cu), 하프늄(Hf), 인듐(In), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 납(Pb), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 로듐(Rh), 레늄(Re), 루테늄(Ru), 탄탈륨(Ta), 텔륨(Te), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 아연(Zn) 및 지르코늄(Zr) 중 1종 이상을 포함하고,상기 절연막은 SiO2, SiON, Al2O3, Y2O3, Ta2O5 및 HfO2 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법
15 15
제1항, 제4항, 제7항, 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 금(Au), 은(Ag), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 중 1종 이상의 금속, 또는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 중 1종 이상의 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법
16 16
제1항, 제4항, 제7항, 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 전이금속은 Mo, W, Sn, Zr, Ni, Ga, In, Bi, Hf, Re, Ta 및 Ti 중에서 선택되고,상기 전이금속 칼코겐화합물에 포함되는 칼코겐 원소는 S, Se 및 Te 중에서 선택되는 것을 특징으로 특징으로 하는 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법
17 17
제1항, 제4항, 제7항, 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 스퍼터링 공정 및 전자빔 조사는 600℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법
18 18
제1항, 제4항, 제7항, 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 스퍼터링 공정은 RF 파워 5~20W, 공정 압력 5~20mTorr, 증착 시간 1~20분에서 수행되고,상기 전자빔 조사는 RF 파워 50~300W, DC 파워 50~3000V, 조사 시간 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.