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탄소나노튜브 실을 준비하는 단계; 상기 탄소나노튜브 실 상에 이산화망간 및 은을 포함하는 코팅막을 형성하여 섬유 구조체를 제조하는 단계; 및 상기 섬유 구조체에 전해질을 코팅하는 단계를 포함하는 은-이산화망간 슈퍼커패시터의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 코팅막은, 용액 공정으로 형성되는 것을 포함하는 은-이산화망간 슈퍼커패시터의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 실 상에 이산화망간 및 은을 포함하는 코팅막을 형성하는 단계는, 상기 탄소나노튜브 실에 망간을 포함하는 제1 소스 용액을 제공하는 단계; 및상기 탄소나노튜브 실에 은을 포함하는 제2 소스 용액을 제공하는 단계를 포함하되,상기 제1 소스 용액을 제공하는 단계 및 상기 제2 소스 용액을 제공하는 단계가 복수회 반복 수행되는 것을 포함하는 은-이산화망간 슈퍼커패시터의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 실 상에 이산화망간 및 은을 포함하는 코팅막을 형성하는 단계는 reference 전극, working 전극, 및 counter 전극을 포함하는 3-전극 시스템(three electrode system)으로 수행되되, 상기 working 전극으로 상기 탄소나노튜브 실이 사용되는 것을 포함하는 은-이산화망간 슈퍼커패시터의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 제1 소스 용액을 제공하는 단계는, 상기 reference 전극 대비 상기 working 전극에 제1 전압을 인가하는 것을 포함하고, 상기 제2 소스 용액을 제공하는 단계는, 상기 reference 전극 대비 상기 working 전극에 상기 제1 전압과 다른 극성의 제2 전압을 인가하는 것을 포함하는 은-이산화망간 슈퍼커패시터의 제조 방법
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제5 항에 있어서, 상기 제1 전압이 인가되는 시간은, 상기 제2 전압이 인가되는 시간보다 긴 것을 포함하는 은-이산화망간 슈퍼커패시터의 제조 방법
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제5 항에 있어서, 상기 섬유 구조체의 에너지 저장 용량은, 상기 제1 전압이 인가되는 시간에 따라 조절되는 것을 포함하는 은-이산화망간 슈퍼커패시터의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 제1 소스 용액은, MnSO45H2O, 및 Na2SO4가 혼합된 용액이고, 상기 제2 소스 용액은, AgNO3 및 Na2SO4가 혼합된 용액인 것을 포함하는 은-이산화망간 슈퍼커패시터의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 섬유 구조체의 capacitance retention은, 상기 제2 소스 용액을 제공하는 단계가 반복되는 횟수에 따라 조절되는 것을 포함하는 은-이산화망간 슈퍼커패시터의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 제1 소스 용액을 제공하는 단계가 반복되는 횟수는, 상기 제2 소스 용액을 제공하는 단계가 반복되는 횟수보다 많은 것을 포함하는 은-이상화망간 슈퍼커패시터의 제조 방법
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탄소나노튜브 실, 및 상기 탄소나노튜브 실을 감싸고 은 및 이산화망간을 갖는 코팅막을 포함하는 섬유 구조체; 및상기 섬유 구조체를 코팅하는 전해질을 포함하는 은-이산화망간 슈퍼커패시터
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제11 항에 있어서, 상기 섬유 구조체의 에너지 저장 용량은, 상기 섬유 구조체 내의 상기 이산화망간의 농도에 따라 조절되는 것을 포함하는 은-이산화망간 슈퍼커패시터
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제11 항에 있어서, 상기 섬유 구조체의 capacitance retention은, 상기 섬유 구조체 내의 상기 은의 농도에 따라 조절되는 것을 포함하는 은-이산화망간 슈퍼커패시터
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