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실리콘 카바이드 IGBT

  • 기술번호 : KST2019005793
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전력 반도체에 관한 것이다. 본 발명의 일측면에 따르면, 실리콘 카바이드로 형성된 전력 반도체가 제공된다. 전력 반도체는, 실리콘 카바이드로 형성된 제1 도전형 드리프트층, 상기 제1 도전형 드리프트층의 상면에 형성된 복수의 제2 도전형 웰, 상기 제2 도전형 웰의 내부에 형성된 복수의 제1 도전형 에미터 영역, 상기 제2 도전형 웰의 내부에 형성된 복수의 제2 도전형 에미터 영역, 상기 복수의 제2 도전형 웰 사이 상기 제1 도전형 드리프트층의 상부에 형성된 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막의 상부에 형성된 게이트를 포함하되, 상기 제1 도전형 드리프트층의 두께는 26 내지 32 nm일 수 있다.
Int. CL H01L 29/739 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7393(2013.01) H01L 29/7393(2013.01) H01L 29/7393(2013.01)
출원번호/일자 1020170154132 (2017.11.17)
출원인 극동대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0057185 (2019.05.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.02.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 극동대학교 산학협력단 대한민국 충북 음성군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강이구 충청북도 음성군
2 구상모 서울시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍승훈 대한민국 서울특별시 성동구 성수일로 **, ****호(성수동*가)(에이앤에이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-1146784-69
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0182737-78
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.12.19 수리 (Accepted) 9-1-2018-0070489-54
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0204774-44
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0494633-47
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0494653-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154911-36
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0699409-70
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 카바이드로 형성된 제1 도전형 드리프트층;상기 제1 도전형 드리프트층의 상면에 형성된 복수의 제2 도전형 웰;상기 제2 도전형 웰의 내부에 형성된 복수의 제1 도전형 에미터 영역; 상기 제2 도전형 웰의 내부에 형성된 복수의 제2 도전형 에미터 영역;상기 복수의 제2 도전형 웰 사이 상기 제1 도전형 드리프트층의 상부에 형성된 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막의 상부에 형성된 게이트를 포함하되,상기 제1 도전형 드리프트층의 두께는 26 내지 32 nm인 전력 반도체
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 제1 도전형 드리프트층의 제2 도전형 불순물 농도는 1
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 제1 도전형 드리프트층의 두께는 28 nm 인 전력 반도체
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 전력 반도체의 항복 전압은 1,600V인 전력 반도체
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 제1 도전형은 n형이며, 상기 제2 도전형은 p형인 전력 반도체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 극동대학교 산학협력단 에너지인력양성사업 에너지 산업 및 전기자동차용 전력반도체 기술 고급트랙