요약 | 일 실시예에 따르면, 접지층; 상기 접지층의 상부에 적층된 제1 유전층; 상기 제1 유전층의 상부에 적층되고, 전원층과 비아를 통해 전기적으로 연결된 하나 이상의 금속 패치; 상기 금속 패치의 상부에 적층된 제2 유전층; 상기 제2 유전층 위에 적층된 전원층을 포함하고, 상기 접지층과 상기 금속 패치 사이에 형성된 커패시턴스(capacitance)와 상기 금속 패치, 상기 비아 및 상기 전원층의 경로를 따라 형성된 인덕턴스(inductance)를 이용하여, 상기 전원층과 상기 접지층 간에 존재하는 공진을 억제함으로써 동시 스위칭 잡음(Simultaneous Switching Noise, SSN)을 제어하는 전자기 밴드갭 구조물일 수 있다. |
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Int. CL | H01P 1/20 (2006.01.01) H05K 1/02 (2006.01.01) H05K 9/00 (2018.01.01) |
CPC | H01P 1/2005(2013.01) H01P 1/2005(2013.01) H01P 1/2005(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020170154658 (2017.11.20) |
출원인 | 한국전자통신연구원 |
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공개번호/일자 | 10-2019-0057568 (2019.05.29) 문서열기 |
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법적상태 | 공개 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
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심사청구여부/일자 | N |
심사청구항수 | 1 |