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개시제를 이용한 화학 기상 증착 시스템(Initiated Chemical Vapor Deposition; iCVD)에 있어서,기체 상태의 단량체(Monomer) 및 상기 개시제(Initiator)를 혼합하는 혼합영역;공간 내 주입되는 상기 혼합된 단량체 및 개시제의 분포를 균일화하는 서브 챔버; 및상기 서브 챔버로부터 주입되는 상기 단량체 및 상기 개시제를 이용하여 고분자를 중합하는 iCVD 챔버를 포함하되,상기 혼합영역은상기 단량체를 주입하는 단량체 인렛포트(INLET PORT);상기 개시제를 주입하는 개시제 인렛포트;역류 방지를 위한 스크류 플레이트(screw plate)로 형성되며, 상기 단량체 인렛포트 및 상기 개시제 인렛포트로부터 주입되는 상기 단량체 및 상기 개시제를 혼합하는 혼합부; 및상기 혼합된 단량체 및 개시제를 상기 서브 챔버의 내측으로 유입시키기 위한 아웃렛 포트(OUTLET PORT)를 포함하며,상기 서브 챔버는내벽의 히팅(heating) 처리로 인해 상기 단량체 및 상기 개시제의 흡착을 방지하고, 상기 혼합된 단량체 및 개시제 중 결함있는 단량체 또는 개시제를 분류하는 것을 특징으로 하는, iCVD 시스템
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제1항에 있어서,상기 서브 챔버는3차원의 상기 공간으로 형성되며, 상기 혼합영역으로부터 주입되는 상기 혼합된 단량체 및 개시제를 상기 공간에 분포시켜 균일화하는 iCVD 시스템
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제1항에 있어서,상기 공간은상기 혼합된 단량체 및 개시제의 흡착 방지를 위해 히팅 처리된 것을 특징으로 하는 iCVD 시스템
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제1항에 있어서,상기 iCVD 챔버는상기 단량체 및 상기 개시제를 주입하는 전구체 주입부; 및상기 전구체를 이용하여 기판에 박막을 형성하기 위해 온도를 조절하는 온도 조절부를 포함하는 iCVD 시스템
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제7항에 있어서,상기 전구체 주입부는복수 개일 수 있으며, 수용되는 상기 기판의 종류에 따라 서로 다른 전구체를 주입하는 것을 특징으로 하는 iCVD 시스템
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제7항에 있어서,상기 온도 조절부는자유 라디칼(free radical)을 형성하기 위해 상기 개시제를 열분해하는 가열부; 및상기 단량체와 상기 자유 라디칼을 흡착시키기 위해 상기 기판의 온도를 낮추는 냉각부를 포함하는 iCVD 시스템
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개시제를 이용한 화학 기상 증착 시스템(Initiated Chemical Vapor Deposition; iCVD)의 동작 방법에 있어서,혼합영역에 의해, 기체 상태의 단량체(Monomer) 및 상기 개시제(Initiator)를 혼합하는 단계;서브 챔버에 의해, 상기 혼합된 단량체 및 개시제의 분포를 균일화하는 단계; 및iCVD 챔버에 의해, 상기 단량체 및 상기 개시제를 이용하여 고분자를 중합하는 단계를 포함하되,상기 혼합영역은상기 단량체를 주입하는 단량체 인렛포트(INLET PORT);상기 개시제를 주입하는 개시제 인렛포트;역류 방지를 위한 스크류 플레이트(screw plate)로 형성되며, 상기 단량체 인렛포트 및 상기 개시제 인렛포트로부터 주입되는 상기 단량체 및 상기 개시제를 혼합하는 혼합부; 및상기 혼합된 단량체 및 개시제를 상기 서브 챔버의 내측으로 유입시키기 위한 아웃렛 포트(OUTLET PORT)를 포함하며,상기 혼합된 단량체 및 개시제의 분포를 균일화하는 단계는상기 서브 챔버의 내벽에 히팅(heating) 처리로 인해 상기 단량체 및 상기 개시제의 흡착을 방지하고, 상기 혼합된 단량체 및 개시제 중 결함있는 단량체 또는 개시제를 분류하는 것을 특징으로 하는, iCVD 방법
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제10항에 있어서,상기 단량체 및 상기 개시제를 혼합하는 단계는상기 단량체 인렛포트(INLET PORT) 및 상기 개시제 인렛포트(INLET PORT)로부터 상기 혼합영역으로 주입되는 상기 단량체 및 상기 개시제를 혼합하여 상기 서브 챔버의 내측으로 유입시키는 iCVD 방법
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제10항에 있어서,상기 혼합된 단량체 및 개시제의 분포를 균일화하는 단계는3차원 공간으로 형성된 상기 서브 챔버에서, 상기 혼합된 단량체 및 개시제를 상기 공간에 분포시켜 균일화하는 iCVD 방법
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제10항에 있어서,상기 고분자를 중합하는 단계는상기 단량체 및 상기 개시제를 이용하여 자유 라디칼(free radical)을 형성하기 위해 가열하고, 상기 자유 라디칼을 사용하여 상기 단량체를 활성화하며, 기판 상에 박막을 형성하기 위해 냉각하는 과정을 포함하는 iCVD 방법
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