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셀 스트링의 선택 트랜지스터를 프로그램함으로 데이터를 보호하는 플래시 메모리 장치 및 그것을 포함하는 데이터 저장 장치

기술번호 : KST2019005992
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명의 실시 예에 따른 플래시 메모리 장치는 셀 스트링을 선택하기 위한 선택 트랜지스터; 및 상기 선택 트랜지스터에 직렬로 연결되는 복수의 메모리 셀을 포함하되, 상기 복수의 메모리 셀 중 적어도 하나에 저장된 데이터를 보호하기 위해, 상기 선택 트랜지스터의 문턱 전압이 비선택 읽기 전압(Vread)보다 높아지도록 상기 선택 트랜지스터를 프로그램 할 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따른 플래시 메모리는 선택 트랜지스터 또는 더미 메모리 셀의 문턱 전압을 조정함으로, 짧은 시간 내에 데이터를 영구적 또는 일시적으로 보호하고, 필요에 따라 데이터 손실없이 원래 데이터를 쉽게 복구할 수 있다.
Int. CL	G11C 16/22 (2006.01.01) G11C 16/14 (2006.01.01) G11C 16/04 (2006.01.01)
CPC	G11C 16/22(2013.01) G11C 16/22(2013.01) G11C 16/22(2013.01)
출원번호/일자	1020170156821 (2017.11.22)
출원인	서울대학교산학협력단
등록번호/일자	10-2026177-0000 (2019.09.23)
공개번호/일자	10-2019-0059154 (2019.05.30) 문서열기
공고번호/일자	(20190927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2017.11.22)
심사청구항수	17

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	서울대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 관악구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김지홍		서울시 서초구
2	김명석		서울시 강남구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	서울대학교산학협력단		서울특별시 관악구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2017.11.22	수리 (Accepted)	1-1-2017-1166037-40
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2018.06.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2018.08.07	수리 (Accepted)	9-1-2018-0039234-57
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2019.05.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0360424-05
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2019.06.25	수리 (Accepted)	1-1-2019-0650966-51
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2019.06.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2019-0650967-07
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59
10	등록결정서 Decision to grant	2019.08.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0604308-63
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.11.25	수리 (Accepted)	4-1-2020-5265458-48

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 셀 스트링을 선택하기 위한 선택 트랜지스터; 및상기 선택 트랜지스터에 직렬로 연결되는 복수의 메모리 셀을 포함하되,상기 복수의 메모리 셀 중 적어도 하나에 저장된 데이터를 보호하기 위해, 상기 선택 트랜지스터의 문턱 전압이 비선택 읽기 전압(Vread)보다 높아지도록 상기 선택 트랜지스터를 프로그램하고,상기 복수의 메모리 셀 중 적어도 하나에 저장된 데이터를 복구하기 위해, 상기 선택 트랜지스터를 소거한 다음에, 상기 선택 트랜지스터의 문턱 전압이 초기 상태가 되도록 재프로그램하는 플래시 메모리 장치
2	2 제 1 항에 있어서,상기 선택 트랜지스터는 비트 라인과 상기 복수의 메모리 셀 사이에 연결되는 스트링 선택 트랜지스터인 플래시 메모리 장치
3	3 제 1 항에 있어서,상기 선택 트랜지스터는 공통 소스 라인과 상기 복수의 메모리 셀 사이에 연결되는 접지 선택 트랜지스터인 플래시 메모리 장치
4	4 제 1 항에 있어서,상기 선택 트랜지스터를 프로그램하는 경우에, 상기 복수의 메모리 셀 각각에 연결되는 복수의 워드 라인에는 0V 전압이 인가되고, 상기 선택 트랜지스터에 연결되는 선택 라인에는 상기 선택 트랜지스터의 문턱 전압을 비선택 읽기 전압(Vread)보다 높게 설정하기 위한 전압이 인가되는 플래시 메모리 장치
5	5 삭제
6	6 제 1 항에 있어서,상기 선택 트랜지스터를 소거하는 경우에, 상기 복수의 메모리 셀의 게이트는 플로팅 상태이고, 상기 선택 트랜지스터에 연결되는 선택 라인에는 0V가 인가되고, 기판에는 소거 전압이 인가되는 플래시 메모리 장치
7	7 제 1 항에 있어서,상기 선택 트랜지스터를 재프로그램하는 동작은 ISPP 방식에 의해 진행되는 플래시 메모리 장치
8	8 제 7 항에 있어서,상기 선택 트랜지스터를 재프로그램하는 경우에, 상기 복수의 메모리 셀 각각에 연결되는 복수의 워드 라인에는 0V 전압이 인가되고, 상기 선택 트랜지스터에 연결되는 선택 라인에는 노말 프로그램 전압이 제공되는 플래시 메모리 장치
9	9 제 1 항에 있어서,상기 선택 트랜지스터와 상기 복수의 메모리 셀 사이에 더미 메모리 셀을 포함하고, 상기 복수의 메모리 셀 중 적어도 하나에 저장된 데이터를 보호하기 위해, 상기 더미 메모리 셀의 문턱 전압이 비선택 읽기 전압(Vread)보다 높아지도록 상기 더미 메모리 셀을 프로그램하는 플래시 메모리 장치
10	10 제 9 항에 있어서,상기 더미 메모리 셀에 대한 소거 및 재프로그램 동작은 금지되는 플래시 메모리 장치
11	11 제 1 항에 있어서,상기 선택 트랜지스터 및 상기 복수의 메모리 셀은 기판과 수직 방향으로 적층되는 플래시 메모리 장치
12	12 데이터를 저장하기 위한 메모리 블록을 갖는 플래시 메모리; 및상기 메모리 블록에 저장된 데이터를 보호하기 위해 상기 플래시 메모리로 데이터 보호 커맨드를 제공하고, 상기 메모리 블록에 저장된 데이터를 복구하기 위해 상기 플래시 메모리로 데이터 복구 커맨드를 제공하는 메모리 컨트롤러를 포함하되,상기 플래시 메모리는 상기 데이터 보호 커맨드에 응답하여 상기 메모리 블록의 셀 스트링을 선택하기 위한 선택 트랜지스터의 문턱 전압이 비선택 읽기 전압(Vread)보다 높아지도록 상기 선택 트랜지스터를 프로그램하고, 상기 데이터 복구 커맨드에 응답하여 상기 선택 트랜지스터를 소거한 다음에, 상기 선택 트랜지스터의 문턱 전압이 초기 상태가 되도록 재프로그램하는 데이터 저장 장치
13	13 제 12 항에 있어서,상기 플래시 메모리는 상기 선택 트랜지스터와 직렬로 연결되는 복수의 메모리 셀을 포함하고, 상기 선택 트랜지스터와 상기 복수의 메모리 셀은 기판과 수직 방향으로 적층되고 동일한 셀 구조를 갖는 데이터 저장 장치
14	14 제 13 항에 있어서, 상기 플래시 메모리는 상기 선택 트랜지스터를 프로그램하는 경우에, 상기 복수의 메모리 셀 각각에 연결되는 복수의 워드 라인에는 0V 전압을 인가하고, 상기 선택 트랜지스터에 연결되는 선택 라인에는 상기 선택 트랜지스터의 문턱 전압을 비선택 읽기 전압(Vread)보다 높게 설정하기 위한 전압을 인가하는 데이터 저장 장치
15	15 삭제
16	16 삭제
17	17 제 13 항에 있어서,상기 플래시 메모리는 상기 선택 트랜지스터를 소거하는 경우에, 상기 복수의 메모리 셀의 게이트는 플로팅 상태로 하고, 상기 선택 트랜지스터에 연결되는 선택 라인에는 0V를 인가하고, 기판에는 소거 전압을 인가하는 데이터 저장 장치
18	18 제 13 항에 있어서,상기 플래시 메모리는 상기 선택 트랜지스터를 재프로그램하는 경우에, 상기 복수의 메모리 셀 각각에 연결되는 복수의 워드 라인에는 0V 전압을 인가하고, 상기 선택 트랜지스터에 연결되는 선택 라인에는 노말 프로그램 전압을 제공하는 데이터 저장 장치
19	19 제 13 항에 있어서,상기 플래시 메모리는 상기 선택 트랜지스터와 상기 복수의 메모리 셀 사이에 더미 메모리 셀을 포함하고, 상기 복수의 메모리 셀 중 적어도 하나에 저장된 데이터를 보호하기 위해, 상기 더미 메모리 셀의 문턱 전압이 비선택 읽기 전압(Vread)보다 높아지도록 상기 더미 메모리 셀을 프로그램하는 데이터 저장 장치
20	20 제 19 항에 있어서,상기 플래시 메모리는 상기 더미 메모리 셀에 대한 소거 및 재프로그램 동작을 금지하는 데이터 저장 장치

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	CN110622249	CN	중국	FAMILY
2	WO2019103445	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	CN110622249	CN	중국	DOCDBFAMILY
2	US2020202947	US	미국	DOCDBFAMILY
3	WO2019103445	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

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특허 등록번호	10-2026177-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20171122 출원 번호 : 1020170156821 공고 연월일 : 20190927 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20190821 청구범위의 항수 : 17 유별 : G11C 16/22 발명의 명칭 : 셀 스트링의 선택 트랜지스터를 프로그램함으로 데이터를 보호하는 플래시 메모리 장치 및 그것을 포함하는 데이터 저장 장치 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	354,000 원	2019년 09월 24일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2017.11.22	수리 (Accepted)	1-1-2017-1166037-40
2	선행기술조사의뢰서	2018.06.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2018.08.07	수리 (Accepted)	9-1-2018-0039234-57
4	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
5	의견제출통지서	2019.05.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0360424-05
6	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2019.06.25	수리 (Accepted)	1-1-2019-0650966-51
8	[명세서등 보정]보정서	2019.06.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2019-0650967-07
9	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59
10	등록결정서	2019.08.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0604308-63
11	출원인정보변경(경정)신고서	2020.11.25	수리 (Accepted)	4-1-2020-5265458-48


과제고유번호	1345274075
세부과제번호	21A20151113068
연구과제명	서울대학교 컴퓨터미래인재양성사업단
성과구분	출원
부처명	교육부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2017
연구기간	201703~201802
기여율	1
연구개발단계명	기타
6T분류명	IT(정보기술)

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