| 1 |
1
기판을 준비하는 단계; 및상기 기판 상에, 주석(Sn) 산화물을 포함하는 제1 물질막(first material layer) 및 알루미늄(Al) 산화물을 포함하는 제2 물질막(second material layer)이 교대로 그리고 반복적으로 적층된 적층 구조체를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 적층 구조체 내의 알루미늄의 농도를 0 at% 초과 2
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 적층 구조체를 형성하는 단계는, 주석을 포함하는 제1 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계, 및산소를 포함하는 제2 소스를 상기 기판 상에 제공하여 제1 물질막을 형성하는 단계를 포함하는 제1 유닛 공정(unit process); 및알루미늄을 포함하는 제3 소스를 상기 제1 물질막이 형성된 상기 기판 상에 제공하는 단계, 및산소를 포함하는 제4 소스를 상기 제1 물질막이 형성된 상기 기판 상에 제공하여 제2 물질막을 형성하는 단계를 포함하는 제2 유닛 공정을 포함하고, 상기 제1 및 제2 유닛 공정은 복수회 반복 수행되되, 상기 제1 유닛 공정의 반복 수행 횟수 및 상기 제2 유닛 공정의 반복 수행 횟수 비율에 따라, 상기 적층 구조체의 파워 팩터 값이 조절되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서, 상기 제1 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계는, 상기 기판 상에 캐리어 가스를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 제1 소스를 제공하는 단계에서 상기 기판 상에 가해지는 압력은, 상기 제2 소스 제공 단계, 제3 소스 제공 단계, 및 제4 소스 제공 단계에서 각각 상기 기판 상에 가해지는 압력의 크기보다 높은 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 4 |
4
제2 항에 있어서, 상기 제1 유닛 공정의 반복 횟수는, 상기 제2 유닛 공정의 반복 횟수보다 많은 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 5 |
5
제2 항에 있어서, 상기 제2 소스 및 상기 제4 소스는 서로 다른 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서, 상기 적층 구조체 내의 알루미늄의 농도는, 상기 제2 물질막의 두께에 의해 조절되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1 항에 있어서, 상기 적층 구조체를 열처리하는 단계를 더 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 8 |
8
제7 항에 있어서, 상기 적층 구조체는 400℃ 초과 600℃ 미만의 온도에서 열처리되는 것을 포함하는 열전 소자의 제조 방법
|
| 9 |
9
제7 항에 있어서, 상기 적층 구조체를 열처리하는 단계는, 대기(air) 분위기에서 수행되는 열전 소자의 제조 방법
|
| 10 |
10
기판; 및주석(Sn) 산화물을 포함하는 제1 물질막, 및 알루미늄(Al) 산화물을 포함하는 제2 물질막이 교대로 그리고 반복적으로 적층된 적층 구조체를 포함하되, 상기 적층 구조체 내의 알루미늄의 농도 0 at% 초과 2
|
| 11 |
11
제10 항에 있어서, 상기 적층 구조체 내의 알루미늄의 농도가 1
|
| 12 |
12
제10 항에 있어서, 상기 제1 물질막들은 SnO2로 형성되고, 상기 제2 물질막들은 Al2O3로 형성되는 것을 포함하는 열전 소자
|
| 13 |
13
제10 항에 있어서, 상기 제1 물질막의 두께는, 상기 제2 물질막의 두께보다 두꺼운 것을 포함하는 열전 소자
|
| 14 |
14
제10 항에 있어서,상기 적층 구조체 내의 주석(Sn) 농도(atomic %)는, 상기 적층 구조체 내의 알루미늄(Al) 농도(atomic %)보다 높은 것을 포함하는 열전 소자
|
