| 1 |
1
기준 박막을 준비하는 단계;상기 기준 박막에 대해서, 온도에 따른 커패시턴스 값의 변화량을 측정하여, 온도에 따른 결함 준위들을 확인하는 단계;상기 결함 준위들의 활성화 에너지를 계산하는 단계; 및상기 결함 준위들 중에서, 활성화 에너지가 가장 높은 기준 결함 준위가 나타나는 온도를 기준 온도로 저장하는 단계를 포함하는 박막의 결함 검사용 데이터베이스의 구축 방법
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 기준 박막은, 페로브스카이트 층을 포함하는 박막의 결함 검사용 데이터베이스의 구축 방법
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서,상기 결함 준위들의 활성화 에너지는, 아래 003c#수학식 1003e#에 의해 계산되는 것을 포함하는 박막의 결함 검사용 데이터베이스의 구축 방법
|
| 4 |
4
박막을 준비하는 단계; 및상기 박막과 동종의 기준 박막에 대해서 온도에 따른 결함 준위들에 대한 데이터를 갖는 데이터베이스를 이용하여, 상기 기준 박막의 상기 결함 준위들 중에서 활성화 에너지가 가장 큰 기준 결함 준위를 확인하고, 상기 기준 결함 준위가 나타나는 기준 온도에서 시간에 따른 상기 박막의 커패시턴스 값의 변화를 측정하여, 상기 박막의 결함 여부를 확인하는 단계를 포함하는 박막의 결함 검사 방법
|
| 5 |
5
제4 항에 있어서,상기 기준 온도에서 상기 박막의 커패시턴스 값의 변화를 측정하는 것은, 기준 시간 동안 수행되는 것을 포함하는 박막의 결함 검사 방법
|
| 6 |
6
제4 항에 있어서,시간에 따른 상기 박막의 커패시턴스 값의 변화를 측정하기 이전에, 상기 박막에 전압을 인가하여, 상기 박막의 결함 검출 강도 저하를 방지하는 것을 포함하는 박막의 결함 검사 방법
|
| 7 |
7
제4 항에 있어서,상기 결함 준위들의 활성화 에너지는, 아래 003c#수학식 1003e#에 의해 계산되는 것을 포함하는 박막의 결함 검사 방법
|
| 8 |
8
제4 항에 있어서,상기 박막은 페로브스카이트 층이고, 상기 기준 온도는 300 K인 것을 포함하는 박막의 결함 검사 방법
|
| 9 |
9
박막이 제공되는 지지대;상기 박막과 동종의 기준 박막에 대해서 온도에 따른 결함 준위들에 대한 데이터를 갖는 데이터베이스;상기 데이터베이스를 이용하여, 상기 기준 박막의 상기 결함 준위들 중에서 활성화 에너지가 가장 큰 기준 결함 준위를 확인하는 제어부;상기 박막과 접촉하여, 상기 기준 결함 준위가 나타나는 기준 온도에서 시간에 따른 상기 박막의 커패시턴스 값의 변화를 측정하는 제1 및 제2 프로브 전극을 포함하는 결함 측정부; 및상기 커패시턴스 값의 변화를 통해 상기 박막의 결함 여부를 판단하는 결함 검출부를 포함하는 박막의 결함 검사 장치
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서,상기 박막은, 기판 상에 투명 전극, 상기 투명 전극 상에 광 전극, 및 상기 광 전극 상에 페로브스카이트 층이 차례로 적층된 태양 전지에서, 상기 페로브스카이트 층인 것을 포함하는 박막의 결함 검사 장치
|
| 11 |
11
제10 항에 있어서,상기 페로브스카이트 층 상에 제1 테스트 패드 및 상기 투명 전극 상에 제2 테스트 패드가 제공되고,상기 결함 측정부의 상기 제1 프로브 전극 및 상기 제1 테스트 패드가 쇼트키(Schottky) 접촉하고, 상기 결함 측정부의 상기 제2 프로브 전극 및 상기 제2 테스트 패드가 오믹(Ohmic) 접촉하는 것을 포함하는 박막의 결함 검사 장치
|
| 12 |
12
제9 항에 있어서,상기 지지대는 이동 가능한 스테이지 상에 배치되고, 상기 스테이지의 이동에 의해 상기 지지대가 상기 결함 측정부로 이동되어, 상기 박막의 결함이 측정되는 것을 포함하는 박막의 결함 검사 장치
|
| 13 |
13
제9 항에 있어서,상기 박막의 결함 검사 장치는, 온도 제어부를 더 포함하되,상기 온도 제어부는 상기 박막의 결함을 측정하는 동안 온도를 일정하게 유지시켜주는 것을 포함하는 박막의 결함 검사 장치
|
