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MPS를 가진 실리콘카바이드 다이오드

  • 기술번호 : KST2019006177
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘카바이드 다이오드에 관한 것이다. 본 발명의 일측면에 따르면, MPS를 가진 실리콘카바이드 다이오드가 제공된다. MPS를 가진 실리콘카바이드 다이오드는, 제1 도전형 불순몰로 도핑된 제1 도전형 기판, 상기 제1 도전형 기판의 상부에 에피택셜 성장에 의해 형성된 제1 도전형 에피층, 상기 제1 도전형 에피층의 상부에 형성된 복수의 MPS(Merged PiN Schottky), 상기 복수의 MPS가 형성된 상기 제1 도전형 에피층의 상부에 형성되어 상기 제1 도전형 에피층과 쇼트키 접합하는 Schottky 컨택 및 상기 제1 도전형 기판의 하부에 형성된 오믹 컨택을 포함하되, 상기 복수의 MPS는 3 μm 간격으로 형성될 수 있다.
Int. CL H01L 29/872 (2006.01.01) H01L 29/47 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01) H01L 29/872(2013.01)
출원번호/일자 1020170154775 (2017.11.20)
출원인 극동대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0058739 (2019.05.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 극동대학교 산학협력단 대한민국 충북 음성군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강이구 충청북도 음성군
2 구상모 서울시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍승훈 대한민국 서울특별시 성동구 성수일로 **, ****호(성수동*가)(에이앤에이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1152324-77
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154911-36
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형 불순몰로 도핑된 제1 도전형 기판;상기 제1 도전형 기판의 상부에 에피택셜 성장에 의해 형성된 제1 도전형 에피층;상기 제1 도전형 에피층의 상부에 형성된 복수의 MPS(Merged PiN Schottky);상기 복수의 MPS가 형성된 상기 제1 도전형 에피층의 상부에 형성되어 상기 제1 도전형 에피층과 쇼트키 접합하는 Schottky 컨택; 및 상기 제1 도전형 기판의 하부에 형성된 오믹 컨택을 포함하되,상기 복수의 MPS는 3 μm 간격으로 형성되는 MPS를 가진 실리콘카바이드 다이오드
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 도전형 에피층은 제1 도전형 불순물을 6 × 1017 cm-3의 도핑 농도로 도핑하여 형성되는 MPS를 가진 실리콘카바이드 다이오드
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청구항 2에 있어서, 상기 복수의 MPS는 제2 도전형 불순물을 6 × 1016 cm-3의 도핑 농도로 도핑하여 형성되는 MPS를 가진 실리콘카바이드 다이오드
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청구항 3에 있어서, 상기 실리콘카바이드 다이오드의 항복 전압은 1,300 V인 MPS를 가진 실리콘카바이드 다이오드
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 도전형은 n형이며 상기 제2 도전형은 p형인 MPS를 가진 실리콘카바이드 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 극동대학교 산학협력단 에너지인력양성사업 에너지 산업 및 전기자동차용 전력반도체 기술 고급트랙