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국소 산화를 이용한 실리콘 카바이드의 미세 산화구조 형성 방법

  • 기술번호 : KST2019006178
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일측면에 따르면, 국소 산화를 이용한 실리콘 카바이드의 미세 산화구조 형성 방법이 제공된다. 상기 방법은, 제1 도전형 실리콘카바이드 기판에 제1 도전형 에피층을 에피택셜 성장시키는 단계, 상기 제1 도전형 에피층의 상부에 제1 도전형 불순물 이온을 주입하여 이온 주입층을 형성하는 단계 및 전압이 인가된 원자힘 현미경의 팁을 상기 이온 주입층상에서 접촉시킨 상태에서 이동시키는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/225 (2006.01.01) H01L 21/265 (2006.01.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020170154942 (2017.11.20)
출원인 극동대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2085604-0000 (2020.03.02)
공개번호/일자 10-2019-0058741 (2019.05.30) 문서열기
공고번호/일자 (20200309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.02.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 극동대학교 산학협력단 대한민국 충북 음성군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강이구 충청북도 음성군
2 구상모 서울시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍승훈 대한민국 서울특별시 성동구 성수일로 **, ****호(성수동*가)(에이앤에이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 극동대학교 산학협력단 충북 음성군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1153817-42
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0182756-35
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.06.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154911-36
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0097312-65
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0646919-12
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-1132617-50
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.11.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1132634-26
9 등록결정서
Decision to grant
2019.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0899170-99
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형 불순물의 도핑 농도가 1e19 cm-3인 제1 도전형 실리콘카바이드 기판에 상기 제1 도전형 불순물의 도핑 농도가 1e16 cm-3인 제1 도전형 에피층을 에피택셜 성장시키는 단계;20 내지 240 KeV의 이온 에너지 및 500℃의 타겟 온도로 상기 제1 도전형 에피층의 상부에 제2 도전형 불순물 이온을 주입하여 이온 주입층을 형성하는 단계; 및40% 이하의 습도에서 25 V 이하의 전압이 인가된 원자힘 현미경의 팁을 100 nN 이하의 로딩 포스로 상기 이온 주입층상에서 접촉시킨 상태에서 이동시키는 단계를 포함하는 국소 산화를 이용한 실리콘 카바이드의 미세 산화구조 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 도전형 불순물 이온의 농도는 1e18 cm-3 또는 1e19 cm-3인 국소 산화를 이용한 실리콘 카바이드의 미세 산화구조 형성 방법
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삭제
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 제1 도전형 에피층의 상부에 제1 도전형 불순물 이온을 주입하여 이온 주입층을 형성하는 단계 이후에,상기 이온 주입층을 활성화하는 단계를 더 포함하는 국소 산화를 이용한 실리콘 카바이드의 미세 산화구조 형성 방법
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청구항 4에 있어서, 상기 이온 주입층을 활성화하는 단계는, 상기 이온 주입층을 1,650℃의 아르곤 분위기에서 열처리하는 단계인 국소 산화를 이용한 실리콘 카바이드의 미세 산화구조 형성 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 극동대학교 산학협력단 에너지인력양성사업 에너지 산업 및 전기자동차용 전력반도체 기술 고급트랙