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실리콘카바이드 상에 이중층 나노입자 형성 방법

  • 기술번호 : KST2019006179
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일측면에 따르면, 실리콘카바이드 상에 이중층 나노입자를 형성하는 방법이 제공된다. 실리콘카바이드 상에 이중층 나노입자를 형성하는 방법은, 실리콘카비이드로 형성된 반도체 상에 적어도 둘 이상의 금속을 적층하는 단계 및 상기 둘 이상의 금속이 적층된 반도체를 열처리하여 나노입자를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01)
출원번호/일자 1020170154772 (2017.11.20)
출원인 극동대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0058738 (2019.05.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 극동대학교 산학협력단 대한민국 충북 음성군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강이구 충청북도 음성군
2 구상모 서울시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍승훈 대한민국 서울특별시 성동구 성수일로 **, ****호(성수동*가)(에이앤에이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1152280-56
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154911-36
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘카비이드로 형성된 반도체 상에 적어도 둘 이상의 금속을 적층하는 단계; 및상기 둘 이상의 금속이 적층된 반도체를 열처리하여 나노입자를 형성하는 단계를 포함하는 실리콘카바이드 상에 이중층 나노입자를 형성하는 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 둘 이상의 금속은 Ti 및 Ag를 포함하는 실리콘카바이드 상에 이중층 나노입자를 형성하는 방법
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청구항 2에 있어서, Ti는 2nm 및 Ag는 20nm의 두께로 적층되는 실리콘카바이드 상에 이중층 나노입자를 형성하는 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 둘 이상의 금속이 적층된 반도체는 350 ℃온도에서 4시간 동안 열처리되는 실리콘카바이드 상에 이중층 나노입자를 형성하는 방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 나노입자는 상기 반도체와 금속간 쇼트키 접촉하는 실리콘카바이드 상에 이중층 나노입자를 형성하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 극동대학교 산학협력단 에너지인력양성사업 에너지 산업 및 전기자동차용 전력반도체 기술 고급트랙