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고내압 트렌치 게이트 IGBT
- 기술번호 : KST2019006180
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 트렌치 게이트 구조를 갖는 전력 반도체에 관한 것이다. 본 발명의 일측면에 따르면, 트렌치 게이트 IGBT가 제공된다. 트렌치 게이트 IGBT는, 제1 도전형 드리프트 영역, 상기 제1 도전형 드리프트 영역의 상면에 형성된 제2 도전형 베이스 영역, 상기 제2 도전형 베이스 영역의 내부에 형성된 제1 도전형 에미터 영역 및 상기 제2 도전형 베이스 영역 및 상기 제1 도전형 에미터 영역에 인접하게 위치하며, 상기 제1 도전형 드리프트 영역의 상면으로부터 그 내부를 향해 연장되며 상기 제1 도전형 드리프트 영역, 상기 제2 도전형 베이스 영역 및 상기 제1 도전형 에미터 영역과 전기적으로 절연된 트렌치 게이트를 포함하되, 상기 트렌치 게이트의 깊이는 5um인 제2 도전형 필라는 상기 제1 도전형 드리프트 영역에 수직방향으로 30um 이하의 깊이로 형성될 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/739 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/423 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 29/7393(2013.01) H01L 29/7393(2013.01) H01L 29/7393(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020170156514 (2017.11.22) |
| 출원인 | 극동대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2019-0059344 (2019.05.31) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 공개 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | N |
| 심사청구항수 | 5 |