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기판;상기 기판 상의 화합물층; 및상기 화합물층 상의 전극을 포함하고,상기 화합물층은 수직적으로 적층된 복수개의 분자층들을 포함하고,상기 분자층들 각각은, 전이금속과 칼코겐간의 결합을 포함하는 분자들을 포함하고,상기 분자층들은 제1 레벨에 위치하는 제1 분자층 및 제2 레벨에 위치하는 제2 분자층을 포함하고, 상기 기판의 상면으로부터 상기 제1 레벨까지의 높이는 상기 제2 레벨까지의 높이 보다 더 높으며,상기 제2 분자층에 유도되는 압축성 스트레인은 상기 제1 분자층에 유도되는 압축성 스트레인 보다 더 큰 전자 소자
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제 1 항에 있어서,상기 분자층들은 상기 제1 분자층과 인접하는 제3 분자층 및 상기 제2 분자층과 인접하는 재4 분자층을 더 포함하고,상기 제1 분자층 및 상기 제3 분자층 사이의 이격거리는 상기 제2 분자층 및 상기 제4 분자층 사이의 이격거리 보다 더 큰 전자 소자
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제 2 항에 있어서,상기 제1 분자층 및 상기 제3 분자층 사이의 이격거리는 상기 제1 분자층의 상기 칼코겐 및 상기 제3 분자층의 상기 칼코겐 사이의 최단거리이고,상기 제2 분자층 및 상기 제4 분자층 사이의 이격거리는 상기 제2 분자층의 상기 칼코겐 및 상기 제4 분자층의 상기 칼코겐 사이의 최단거리인 전자 소자
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제 1 항에 있어서,상기 분자층들 중 가장 낮은 레벨에 위치하는 분자층에 유도되는 상기 압축성 스트레인은 1% 내지 10%인 전자 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속은 W, Mo, Ti 및 Ta 중 하나를 포함하는 전자 소자
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제 1 항에 있어서,상기 칼코겐은 S, Se 및 Te 중 하나를 포함하는 전자 소자
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제 1 항에 있어서,상기 분자들은 상기 분자층 내에서 2차원적으로 배열되는 전자 소자
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기판 상에 전이금속층을 형성하는 단계;상기 전이금속층 상에 칼코겐 소스를 제공하여, 화합물층을 형성하는 단계; 및상기 화합물층 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 화합물층은 수직적으로 적층된 복수개의 분자층들을 포함하고,상기 분자층들 각각은, 전이금속과 칼코겐간의 결합을 포함하는 분자들을 포함하며,상기 분자층들은 제1 레벨에 위치하는 제1 분자층 및 제2 레벨에 위치하는 제2 분자층을 포함하고, 상기 기판의 상면으로부터 상기 제1 레벨까지의 높이는 상기 제2 레벨까지의 높이 보다 더 높으며,상기 제2 분자층에 유도되는 압축성 스트레인은 상기 제1 분자층에 유도되는 압축성 스트레인 보다 더 큰 전자 소자 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 전이금속층을 형성하는 단계는, 이온빔 또는 플라즈마 스퍼터링 공정을 통해 상기 전이금속층을 형성하는 것을 포함하는 전자 소자 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 화합물층을 형성하는 단계는, 상기 칼코겐 소스 및 상기 전이금속층이 형성된 상기 기판을 챔버 내에 배치하는 것, 상기 칼코겐 소스를 기화시키는 것 및 운반 가스를 통해 기화된 상기 칼코겐 소스를 상기 전이금속층 상에 제공하는 것을 포함하는 전자 소자 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 칼코겐 소스를 기화시키는 것은, 상기 칼코겐 소스의 위아래로 배치되는 가열 코일들을 이용하여 상기 칼코겐 소스가 배치된 부분의 온도를 증가시키는 것을 포함하는 전자 소자 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 칼코겐소스를 상기 전이금속층 상에 제공하는 것은,상기 전이금속층의 위아래로 배치되는 가열 코일들을 이용하여 상기 전이금속층이 배치된 부분의 온도를 증가시키는 것을 포함하는 전자 소자 제조방법
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