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공진 구조 광 트랜지스터에 있어서:입사된 펌프파의 이차 비선형 상호 작용을 통하여 이차 조화파를 생성하고, 입사되는 신호파와 상기 이차 조화파의 이차 비선형 상호 작용을 통하여 증폭된 상기 신호파 및 차주파수를 갖는 변환파를 생성하는 비선형 매질;상기 비선형 매질의 일면에서 상기 비선형 매질로 입사되는 상기 펌프파 또는 상기 신호파를 상기 비선형 매질로 투과하고, 상기 이차 조화파는 반사하는 제 1 미러; 그리고상기 비선형 매질의 타면에서 상기 펌프파, 상기 신호파, 상기 변환파는 투과하고, 상기 이차 조화파는 반사하는 제 2 미러를 포함하되,제 1 동작 모드에서는 상기 펌프파가 상기 제 1 미러를 통하여 상기 비선형 매질에 입사되고, 제 2 동작 모드에서는 상기 펌프파와 상기 신호파가 상기 제 1 미러를 통하여 상기 비선형 매질에 입사되는 공진 구조 광 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 동작 모드에서, 상기 비선형 매질의 공진 길이는 상기 제 2 미러를 통하여 출력되는 펌프파의 세기가 '0'으로 수렴하는 길이로 제공되는 공진 구조 광 트랜지스터
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 동작 모드에서, 상기 제 2 미러를 투과하여 출력되는 상기 신호파와 상기 변환파를 결합한 출력파의 세기에 따라 상기 출력파의 논리값이 결정되는 공진 구조 광 트랜지스터
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제 3 항에 있어서,상기 출력파의 논리값은 상기 출력파의 세기가 기준 세기보다 강한 경우에는 논리 '1'로, 상기 출력파의 세기가 상기 기준 세기보다 같거나 약한 경우에는 논리 '0'로 결정되는 공진 구조 광 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 동작 모드에서, 상기 펌프파와 상기 신호파는 동일 파장을 갖는 공진 구조 광 트랜지스터
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제 5 항에 있어서,상기 제 2 동작 모드에서, 증폭된 상기 신호파와 상기 변환파가 상기 제 2 미러를 통해서 출력되는 공진 구조 광 트랜지스터
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제 6 항에 있어서,상기 변환파는 상기 펌프파와 동일한 파장을 갖는 공진 구조 광 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 동작 모드는 스위치 모드에, 상기 제 2 동작 모드는 상기 이차 조화파에 의해서 상기 신호파를 증폭시키는 증폭 모드에 대응하는 공진 구조 광 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 미러와 상기 제 2 미러 각각은 유전체 거울, 광섬유 격자 거울, 그리고 광학 거울들 중 적어도 하나를 포함하는 공진 구조 광 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 비선형 매질은 고유하게 이차 비선형성을 갖는 결정체, 반도체, 실리카, 그리고 폴리머 중 적어도 하나를 포함하는 공진 구조 광 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 비선형 매질은 분극에 의하여 이차 비선형성이 유도되는 물질을 포함하는 공진 구조 광 트랜지스터
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