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제1 기판 상에 그래핀 막을 형성하는 것;상기 그래핀 막을 패터닝 하여 그래핀 점 어레이를 형성하는 것;상기 그래핀 점 어레이를 시드로 이용하여 복수의 그래핀 도메인들을 포함하는 그래핀 도메인 어레이를 성장시키는 것; 및상기 그래핀 도메인들 각각의 가장자리를 시드로 이용하여 반도체 물질을 성장시키는 것을 포함하는 수평접합 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 그래핀 점 어레이는 상기 제1 기판 상에 수평적으로 서로 이격되는 복수의 그래핀 점들을 포함하고,상기 복수의 그래핀 도메인들의 각각은 단결정 그래핀을 포함하는 수평접합 소자의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 제1기판은 금속을 포함하고,상기 그래핀 막을 형성하는 것은, 상기 금속을 촉매로 이용하는 열화학기상증착 공정을 수행하는 것을 포함하는 수평접합 소자의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 제1 기판은 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 및 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 수평접합 소자의 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 복수의 그래핀 점들은 서로 동일한 크기를 가지고, 일정한 간격으로 서로 이격되는 수평접합 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 그래핀 도메인 어레이를 상기 제1 기판으로부터 제2 기판으로 전사하는 것을 더 포함하되,상기 반도체 물질은 상기 각 그래핀 도메인의 가장자리를 시드로 이용하여 상기 제2 기판 상에 성장되는 수평접합 소자의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 제2 기판은 사파이어 기판, 쿼츠 기판, 또는 차례로 적층된 실리콘 막 및 실리콘 산화막(SiO2)을 포함하는 반도체 기판 중 어느 하나를 포함하는 수평접합 소자의 제작방법
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제 1항에 있어서, 상기 반도체 물질은 칼코겐 원소를 포함하는 수평접합 소자의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 반도체 물질은 전이금속 원소를 더 포함하는 수평접합 소자의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 칼코겐 원소는 황(S), 셀레늄(Se), 텔루륨(Te) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 전이금속 원소는 몰리브데넘(Mo), 텅스텐(W), 타이타늄(Ti), 탄탈럼(Ta) 중 하나를 포함하는 수평접합 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 반도체 물질은 전이금속 칼코겐 화합물을 포함하는 이차원 반도체 물질인 수평접합 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 복수의 그래핀 도메인들 각각은 평면적 관점에서 육각형의 형태를 가지고, 상기 그래핀 도메인의 일면은 인접한 그래핀 도메인의 일면과 마주하는 수평접합 소자의 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 복수의 육각형 형태의 그래핀 도메인들 각각에 금속전극을 연결하는 것을 더 포함하는 수평접합소자의 제조방법
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