[KST2015073973][한국전자통신연구원] |
반도체장치의금속배선형성방법 |
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[KST2015075227][한국전자통신연구원] |
에스오아이 모스트랜지스터의 소자 격리방법 |
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[KST2015075559][한국전자통신연구원] |
전력집적회로의 제작방법 |
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[KST2015077418][한국전자통신연구원] |
가장자리에 두꺼운 산화막을 갖는 트렌치 형성방법 |
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[KST2015095485][한국전자통신연구원] |
다층의 금속 배선 제조 방법 |
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[KST2015100665][한국전자통신연구원] |
다층 금속 배선방법 |
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[KST2015078475][한국전자통신연구원] |
전력 집적회로 소자의 제조 방법 |
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[KST2015085418][한국전자통신연구원] |
도파로 절단면 형성 방법 및 이를 채용하는 포토닉스 소자 |
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[KST2015088058][한국전자통신연구원] |
준자기정렬트렌치소자격리방법 |
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[KST2015095150][한국전자통신연구원] |
실리콘 기판상의 진공 캐비티 미세구조체 형성방법 |
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[KST2015095429][한국전자통신연구원] |
폴리실리콘을이용한반도체소자의분리방법 |
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[KST2015100675][한국전자통신연구원] |
로컬폴리산화물을이용한격리의제조방법 |
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[KST2015075490][한국전자통신연구원] |
필드산화막 형성과 트랜치 형성이 혼합된 소자격리방법 |
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[KST2015089884][한국전자통신연구원] |
첨두 전력 저감 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
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[KST2015091597][한국전자통신연구원] |
반도체 장치 및 그 제조방법 |
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[KST2015102301][한국전자통신연구원] |
직접회로에서의금속배선제조방법 |
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[KST2015073518][한국전자통신연구원] |
자기정렬된소오스/드레인을가지는모스트랜지스터의제조방법 |
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[KST2015074664][한국전자통신연구원] |
반도체장치의소자격리방법 |
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[KST2015074842][한국전자통신연구원] |
플리머를 다층으로 적층하기 위한 방법 |
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[KST2015076829][한국전자통신연구원] |
미세 트렌치 형성 방법과 그를 이용한 반도체트랜지스터 및 소자분리막 형성 방법 |
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[KST2015100899][한국전자통신연구원] |
수평 잠재 중첩표와 네트 상하 관계표를 이용한 채널 배선 방법 |
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[KST2015076371][한국전자통신연구원] |
단일칩 마이크로웨이브 집적회로의 제조방법 |
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[KST2015094172][한국전자통신연구원] |
쌍극자트랜지스터의소자격리방법 |
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[KST2015094373][한국전자통신연구원] |
트렌치 형성 방법 |
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[KST2015073932][한국전자통신연구원] |
폴리실리콘을이용한반도체소자격리방법 |
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[KST2015075448][한국전자통신연구원] |
다층 아몰퍼스 실리콘을 갖는 국부산화막 격리제조방법 |
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[KST2015077663][한국전자통신연구원] |
반도체 소자의 금속배선 형성 방법 |
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[KST2017006854][한국전자통신연구원] |
금속 스탬프 제조 방법(A METHOD OF MANUFACTURING METAL STAMPS) |
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[KST2015088171][한국전자통신연구원] |
반도체장치의소자격리방법 |
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[KST2015094640][한국전자통신연구원] |
반도체 소자 및 이를 제조하는 방법 |
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