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희생 기판 상에 제 1 표면 에너지를 가지는 희생 도전막을 형성하는 단계;상기 희생 도전막에 대하여 1차 표면 처리를 하는 단계;상기 희생 도전막에 대하여 2차 표면 처리를 하는 단계;상기 희생 도전막 상에 트렌치를 포함하는 절연 패턴을 형성하는 단계;도금 공정을 진행하여 상기 트렌치 안에 금속 패턴을 형성하는 단계;상기 금속 패턴과 상기 절연 패턴 상에 유연막을 형성하는 단계; 및상기 희생 기판과 상기 희생 도전막을 상기 금속 패턴과 상기 절연 패턴으로부터 분리시키는 단계를 포함하되,상기 1차 표면 처리를 하는 단계는 상기 희생 도전막의 제 1 표면 에너지를 제 2 표면 에너지로 낮추는 단계를 포함하고,상기 2차 표면 처리를 하는 단계는 상기 희생 도전막의 제 2 표면 에너지를 제 3 표면 에너지로 높이는 단계를 포함하되,상기 제 3 표면 에너지는 상기 제 1 표면 에너지보다 낮은 유연 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 희생 도전막이 상기 제 3 표면 에너지를 가질 때, 상기 희생 도전막의 표면 상에서 증류수의 물방울이 60~100°의 접촉각을 가지는 유연 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 1차 표면 처리를 하는 단계는 상기 희생 도전막 상에 분리막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 분리막은 자기조립단분자막과 계면활성제 중 적어도 하나를 포함하는 유연 기판의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 2차 표면 처리를 하는 단계는 산소 플라즈마 처리 단계와 자외선 조사 단계 중 적어도 하나를 포함하는 유연 기판의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 분리막은 유기 관능기(Organic functional group)들을 포함하며,상기 2차 표면 처리를 하는 단계는 상기 유기 관능기들 중 일부를 파괴하거나 산화시키는 유연 기판의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 희생 기판과 상기 희생 도전막을 상기 금속 패턴과 상기 절연 패턴으로부터 분리시키는 단계는 상기 분리막을 상기 금속 패턴과 상기 절연 패턴의 표면에 남기는 단계를 포함하며,상기 방법은, 상기 금속 패턴과 상기 절연 패턴의 표면의 분리막을 제거하는 단계를 더 포함하는 유연 기판의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 자기조립단분자막은 트리클로로알킬실란 (trichloroalkylsilane), 디클로로디알킬실란 (dichlorodialkylsilane), 클로로트리알킬실란 (chlorotrialkylsilane), 트리클로로퍼플루오로옥틸실란 (Trichloro(1H,1H,2H,2H-perfluorooctyl)silane), 헥사메틸디실록산 (Hexamethyldisiloxane), 알킬실록산 (alkylsiloxane), 알칸싸이올 (alkanethiol), 알칸인산 (Alkanephosphonic Acid), 알칸트리클로로실란 (alkanetrichlorosilane), 및 알칸트리알콕시실란(alkanetrialkoxysilane) 중 선택되는 적어도 하나의 물질을 이용하여 형성되는 유연 기판의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 계면활성제는 폴리옥시에틸렌, 이미다졸린 유도체, 알킬설포베타인 (RR'R"N(CH2)nSO3), 알킬카르복시베타인 (R(CH3)2NCH2COO), 폴리옥시에틸렌알킬에테르 (RO(CH2CH2O)mH), 지방산 솔비탄에스테르, 지방산 디에탄올아민 (RCON(CH2CH2OH)2), 및 알킬모노글리세릴에테르 (ROCH2CH(OH)CH2OH) 중에 선택되는 적어도 하나인 유연 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 절연 패턴을 형성하기 전에 상기 희생 도전막의 전면 상에 촉매층을 형성하는 단계를 더 포함하는 유연 기판의 제조 방법
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제 9 항에 있어서상기 희생 기판과 상기 희생 도전막을 상기 금속 패턴과 상기 절연 패턴으로부터 분리시키는 단계는 상기 촉매층을 상기 절연 패턴의 표면에 남기는 단계를 포함하며,상기 방법은, 상기 절연 패턴의 표면의 촉매층을 제거하는 단계를 더 포함하는 유연 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 패턴과 상기 절연 패턴 상에 유연막을 형성하는 단계 전에,상기 금속 패턴과 상기 절연 패턴 상에 베리어(barrier)막을 형성하는 단계를 더 포함하는 유연 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유연막을 형성하기 전에, 상기 금속 패턴과 상기 절연 패턴의 표면에 대해 산소 플라즈마 공정을 진행하는 단계를 더 포함하는 유기발광다이오드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유연막 상에 베리어막과 보호막 중 적어도 하나를 형성하는 단계를 더 포함하는 유연 기판의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 베리어막은 알루미늄산화막을 포함하고,상기 보호막은 폴리이미드(Polyimide), Poly(ethylene naphthalate)(PEN) 및 polyethylene terephthalate(PET) 중 적어도 하나를 포함하는 유연 기판의 제조 방법
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희생 기판 상에 제 1 표면 에너지를 가지는 희생 도전막을 형성하는 단계;상기 희생 도전막에 대하여 1차 표면 처리를 하는 단계;상기 희생 도전막에 대하여 2차 표면 처리를 하는 단계;상기 희생 도전막 상에 트렌치를 포함하는 절연 패턴을 형성하는 단계;도금 공정을 진행하여 상기 트렌치 안에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극과 상기 절연 패턴 상에 유기 발광층을 형성하는 단계;상기 유기 발광층 상에 제 2 전극과 제 1 보호막을 차례로 적층하는 단계; 및상기 희생 기판과 상기 희생 도전막을 상기 제 1 전극과 상기 절연 패턴으로부터 분리시키는 단계를 포함하되,상기 1차 표면 처리를 하는 단계는 상기 희생 도전막의 제 1 표면 에너지를 제 2 표면 에너지로 낮추는 단계를 포함하고,상기 2차 표면 처리를 하는 단계는 상기 희생 도전막의 제 2 표면 에너지를 제 3 표면 에너지로 높이는 단계를 포함하되,상기 제 3 표면 에너지는 상기 제 1 표면 에너지보다 낮은 유기발광다이오드의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 희생 기판과 상기 희생 도전막을 상기 제 1 전극과 상기 절연 패턴으로부터 분리시키는 단계 후에, 상기 제 1 전극과 상기 절연 패턴 상에 제 2 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기발광다이오드의 제조 방법
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제 15 항에 있어서,상기 1차 표면 처리를 하는 단계는 상기 희생 도전막 상에 분리막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 분리막은 자기조립단분자막과 계면활성제 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광다이오드의 제조 방법
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제 17 항에 있어서,상기 2차 표면 처리를 하는 단계는 산소 플라즈마 처리 단계와 자외선 조사 단계 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광다이오드의 제조 방법
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제 17 항에 있어서,상기 분리막은 유기 관능기(Organic functional group)들을 포함하며,상기 2차 표면 처리를 하는 단계는 상기 유기 관능기들 중 일부를 파괴하거나 산화시키는 유기발광다이오드의 제조 방법
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