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반도체 장치의 테스트 패턴에 스텝 신호를 인가하여 상가 반도체 장치가 오픈 상태에서 반사된 전압값인 VOPEN(t)와 상기 반도체 장치가 연결된 상태에서 반사된 전압값인 VTDR(t)을 측정하는 단계; 상기 VOPEN(t) 및 VTDR(t)을 입력값으로 하여 상기 반도체 장치의 임피던스값인 ZDUT(t), 상기 테스트 패턴의 임피던스값인 ZC_TDR(t)을 산출하는 제1산출단계; 상기 VOPEN(t), VTDR(t), ZDUT(t)를 입력값으로 하여 상기 반도체 장치의 시간에 따른 전압값인 VDUT(t) 및 상기 테스트 패턴의 전압값인 VC_TDR(t)을 산출하는 제2산출단계; 상기 VOPEN(t), VTDR(t) 및 상기 VC_TDR(t)을 이용하여 시간에 따른 전하량 Q(t)및 정전 용량 C(t)을 산출하는 제3산출단계;상기 정전 용량 C(t) 및 상기 테스트 패턴의 임피던스값인 ZC_TDR(t)를 입력값으로 하여 가상의 AC 신호의 주파수를 산출하는 제4산출단계; 및 상기 주파수, 상기 캐피시턴스값 C(t) 및 상기 임피던스값 ZC_TDR(t)을 이용하여 캐패시턴스-주파수 커브 및 임피던스-주파수 커브를 출력하는 단계를 포함하는, 시간-도메인 반사 측정 장치의 반도체 장치의 특성 분석 방법
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제1항에 있어서, 상기 시간-도메인 반사 측정 장치는상기 테스트 패턴에 전기적으로 연결되며 신호를 전달하는 연결부; 상기 VOPEN(t)와 VTDR(t)을 측정하는 측정부; 상기 VOPEN(t)와 VTDR(t)에 기반하여 계산을 수행하는 데이터 산출부; 상기 캐패시턴스-주파수 커브 및 임피던스-주파수 커브를 출력하는 출력부; 및상기 연결부와 상기 측정부와 상기 데이터 산출부와 상기 출력부를 제어하는 제어부를 포함하는, 시간-도메인 반사 측정 장치의 반도체 장치의 특성 분석 방법
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제2항에 있어서, 상기 오픈 상태는 상기 연결부가 상기 반도체 장치와 연결되지 않은 상태이며, 상기 연결된 상태는 상기 연결부가 상기 반도체 장치와 연결된 상태인, 시간-도메인 반사 측정 장치의 반도체 장치의 특성 분석 방법
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제3항에 있어서, 상기 제1산출단계는 상기 VTDR(t)를 상기 VOPEN(t)로 나누어서 반사도를 산출하여, 상기 반사도 및 상기 연결부의 임피던스값을 입력값으로 하여 상기 ZDUT(t)를 산출하는 단계를 더 포함하는, 시간-도메인 반사 측정 장치의 반도체 장치의 특성 분석 방법
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제2항에 있어서, 상기 테스트 패턴은 하나의 캐패시터와 하나의 저항을 포함하며,상기 데이터 산출부는 상기 VOPEN(t) 및 VTDR(t)을 더하여 상기 반도체 장치의 시간에 따른 전압값인 VDUT(t)을 산출하며, 상기 VDUT(t), 상기 반도체 장치의 임피던스값 ZDUT(t) 및 상기 테스트 패턴의 상기 저항의 저항값을 이용하여 상기 테스트 패턴의 상기 캐패시터에 인가된 전압값인 VC_TDR(t)을 산출하는, 시간-도메인 반사 측정 장치의 반도체 장치의 특성 분석 방법
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제1항에 있어서, 상기 정전 용량 C(t)는 초기에 급격하게 증가하여 시간이 지나면 증가의 폭이 줄어드는 것을 특징으로 하며, 상기 테스트 패턴의 임피던스값인 ZC_TDR(t)은 초기에 완만하게 증가하여 시간이 지나면 증가의 폭이 증가하는 것을 특징으로 하는, 상기 임피던스 시간-도메인 반사 측정 장치의 반도체 장치의 특성 분석 방법
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제1항에 있어서, 상기 주파수는 상기 테스트 패턴의 임피던스값인 ZC_TDR(t) 및 상기 캐피시턴스값 C(t)의 곱의 역수인 각속도에서 산출되는, 시간-도메인 반사 측정 장치의 반도체 장치의 특성 분석 방법
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시간-도메인 반사 측정 장치를 위한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체로서, 반도체 장치의 테스트 패턴에 스텝 신호를 인가하여 상가 반도체 장치가 오픈 상태에서 반사된 전압값인 VOPEN(t)와 상기 반도체 장치가 연결된 상태에서 반사된 전압값인 VTDR(t)을 측정하는 기능; 상기 VOPEN(t) 및 VTDR(t)을 입력값으로 하여 상기 반도체 장치의 임피던스값인 ZDUT(t), 상기 테스트 패턴의 임피던스값인 ZC_TDR(t)을 산출하는 제1산출기능; 상기 VOPEN(t), VTDR(t), ZDUT(t)를 입력값으로 하여 상기 반도체 장치의 시간에 따른 전압값인 VDUT(t) 및 상기 테스트 패턴의 전압값인 VC_TDR(t)을 산출하는 제2산출기능; 상기 VOPEN(t), VTDR(t) 및 상기 VC_TDR(t)을 이용하여 시간에 따른 전하량 Q(t)및 정전 용량 C(t)을 산출하는 제3산출기능;상기 정전 용량 C(t) 및 상기 테스트 패턴의 임피던스값인 ZC_TDR(t)를 입력값으로 하여 가상의 AC 신호의 주파수를 산출하는 제4산출기능; 및 상기 주파수, 상기 캐피시턴스값 C(t) 및 상기 임피던스값 ZC_TDR(t)을 이용하여 캐패시턴스-주파수 커브 및 임피던스-주파수 커브를 출력기능을 포함하는, 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체
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제8항에 있어서, 상기 시간-도메인 반사 측정 장치는상기 테스트 패턴에 전기적으로 연결되며 신호를 전달하는 연결부; 상기 VOPEN(t)와 VTDR(t)을 측정하는 측정부; 상기 VOPEN(t)와 VTDR(t)에 기반하여 계산을 수행하는 데이터 산출부; 상기 캐패시턴스-주파수 커브 및 임피던스-주파수 커브를 출력하는 출력부; 및상기 연결부와 상기 측정부와 상기 데이터 산출부와 상기 출력부를 제어하는 제어부를 포함하며, 상기 기록 매체는 상기 제어부에 저장되는, 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체
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제9항에 있어서, 상기 제1산출기능은상기 VTDR(t)에서 상기 VOPEN(t)을 나누어서 반사도를 산출하는 제1-1산출기능; 상기 반사도 및 상기 연결부의 임피던스값을 입력값으로 하여 상기 반도체 장치의 임피던스값인 ZDUT(t)를 산출하는 제1-2산출기능; 및, 상기 반도체 장치의 임피던스값 ZDUT(t), 상기 VOPEN(t) 및 상기 VTDR(t)을 입력값으로 하여 상기 테스트 패턴에 인가된 전압값인 VC_TDR(t)을 산출하는 제1-3산출기능을 포함하는, 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체
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제10항에 있어서, 상기 테스트 패턴은 하나의 캐패시터와 하나의 저항을 포함하며, 상기 제1-3산출기능은상기 VOPEN(t) 및 VTDR(t)을 더하여 상기 반도체 장치의 시간에 따른 전압값인 VDUT(t)을 산출하는 기능; 및상기 VDUT(t), 상기 반도체 장치의 임피던스값 ZDUT(t) 및 상기 테스트 패턴의 상기 저항의 저항값을 이용하여 상기 테스트 패턴의 캐패시터에 인가된 전압값인 VC_TDR(t)을 산출하는 기능을 더 포함하는, 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체
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제8항에 있어서, 상기 정전 용량 C(t)는 초기에 급격하게 증가하여 시간이 지나면 증가의 폭이 줄어드는 것을 특징으로 하며, 상기 테스트 패턴의 임피던스값인 ZC_TDR(t)은 초기에 완만하게 증가하여 시간이 지나면 증가의 폭이 증가하는 것을 특징으로 하는, 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체
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제8항에 있어서, 상기 제3산출기능은 상기 테스트 패턴의 임피던스값인 ZC_TDR(t) 및 상기 캐피시턴스값 C(t)의 곱의 역수를 계산하여 각속도 및 상기 주파수를 산출하는 기능을 더 포함하는, 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체
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