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산화물을 포함하는 제1 베이스 패턴, 및 상기 제1 베이스 패턴 상에 형성되고, 상기 제1 베이스 패턴의 연장 방향과 교차되는 방향으로 연장되며 금속을 포함하는 제2 베이스 패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 제1 및 제2 베이스 패턴을 열처리하는 단계; 열처리된 상기 제1 및 제2 베이스 패턴을 냉각하되, 상기 제2 베이스 패턴은 열처리되고 냉각되어, 복수의 닷(dot)들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴으로 변형되고, 상기 제1 베이스 패턴은 잔존되는 단계; 및상기 제1 베이스 패턴 사이의 상기 기판 상에 배치된 상기 닷을 제거하는 단계를 포함하되, 상기 집합 패턴은 상기 제2 베이스 패턴과 동일한 형상을 갖는 것을 포함하고, 상기 복수의 닷들은, 상기 제1 베이스 패턴 상에 배치된 상부 닷, 및 상기 제1 베이스 패턴 사이의 상기 기판 상에 제공되는 하부 닷을 포함하며, 상기 닷 제거 단계에서, 상기 하부 닷이 초음파에 의해 제거되는 것을 포함하는 패턴 형상 제어방법
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산화물을 포함하는 제1 베이스 패턴, 및 상기 제1 베이스 패턴 상에 형성되고, 상기 제1 베이스 패턴의 연장 방향과 교차되는 방향으로 연장되며 금속을 포함하는 제2 베이스 패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 제1 및 제2 베이스 패턴을 열처리하는 단계; 열처리된 상기 제1 및 제2 베이스 패턴을 냉각하되, 상기 제2 베이스 패턴은 열처리되고 냉각되어, 복수의 닷(dot)들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴으로 변형되고, 상기 제1 베이스 패턴은 잔존되는 단계; 및상기 제1 베이스 패턴 사이의 상기 기판 상에 배치된 상기 닷을 제거하는 단계를 포함하되, 상기 집합 패턴은 상기 제2 베이스 패턴과 동일한 형상을 갖는 것을 포함하고, 상기 복수의 닷들은, 상기 제1 베이스 패턴 상에 배치된 상부 닷, 및 상기 제1 베이스 패턴 사이의 상기 기판 상에 제공되는 하부 닷을 포함하며, 상기 제1 베이스 패턴이 잔존되고, 상기 제2 베이스 패턴은 집합 패턴으로 변형되는 단계에서, 상기 하부 닷은 급냉(quenching)되고, 상기 닷 제거 단계에서, 상기 하부 닷이 초음파에 의해 제거되는 것을 포함하는 패턴 형상 제어방법
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산화물을 포함하는 제1 베이스 패턴, 및 상기 제1 베이스 패턴 상에 형성되고, 상기 제1 베이스 패턴의 연장 방향과 교차되는 방향으로 연장되며 금속을 포함하는 제2 베이스 패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 제1 및 제2 베이스 패턴을 열처리하는 단계; 열처리된 상기 제1 및 제2 베이스 패턴을 냉각하되, 상기 제2 베이스 패턴은 열처리되고 냉각되어, 복수의 닷(dot)들이 서로 이격되어 집합된 집합 패턴으로 변형되고, 상기 제1 베이스 패턴은 잔존되는 단계; 및상기 제1 베이스 패턴 사이의 상기 기판 상에 배치된 상기 닷을 제거하는 단계를 포함하되, 상기 집합 패턴은 상기 제2 베이스 패턴과 동일한 형상을 갖는 것을 포함하고, 상기 제1 및 제2 베이스 패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계는,상기 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 희생막을 형성하는 단계; 및상기 희생막 상에 상기 제1 및 제2 베이스 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 복수의 닷들은, 상기 제1 베이스 패턴 상에 배치된 상부 닷, 및 상기 제1 베이스 패턴 사이의 상기 희생막 상에 제공되는 하부 닷을 포함하되, 상기 닷 제거 단계에서, 상기 희생막 상에 제공되는 상기 하부 닷은 상기 희생막과 함께 제거되는 것을 포함하는 패턴 형상 제어방법
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제1 내지 제3 항에 있어서,상기 제1 및 제2 베이스 패턴은 복수로 제공되고,상기 제1 및 제2 베이스 패턴을 열처리하는 단계는, 복수의 상기 제2 베이스 패턴 중에서 일부가 선택적으로 열처리되어 상기 집합 패턴을 형성하고, 복수의 상기 제2 베이스 패턴 중에서 나머지 일부는 잔존하는 것을 포함하는 패턴 형상 제어방법
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