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3차원 플래시 메모리(3D Flash Memory)의 3차원 소자에 있어서,적층되어 수직 셀 그룹별로 구성된 복수의 수평 전극층; 및상기 수직 셀 그룹별로 서로 다른 홀(Hole) 사이즈로 형성되며, 상기 복수의 수평 전극층에 직교되는 복수의 수직 채널층을 포함하되,상기 수직 채널층은상기 복수의 수평 전극층을 그룹화한 상부의 상기 수직 셀 그룹부터 하부의 상기 수직 셀 그룹까지 직경이 점차 줄어드는 서로 다른 홀(Hole) 사이즈로 형성되며, 하나의 그룹 내에서는 홀 사이즈가 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는, 3차원 소자
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제1항에 있어서,상기 3차원 소자의 하부에 위치하는 수직 채널층 대비 상부에 위치하는 수직 채널층의 상기 홀 사이즈가 더 큰 것을 특징으로 하는 3차원 소자
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제2항에 있어서,상기 수직 셀 그룹별로 형성된 상기 복수의 수직 채널층 각각은 서로 연결되며, 채널 물질이 홀(Hole) 내부로 필링(filling)되는 3차원 소자
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제1항에 있어서,상기 수직 채널층은상기 수직 셀 그룹별로 구성된 상기 복수의 수평 전극층을 관통하는 관통홀에 형성되며, 상기 관통홀은 상기 수직 셀 그룹 마다 서로 다른 상기 홀 사이즈를 포함하는 3차원 소자
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삭제
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제4항에 있어서,상기 3차원 소자는상기 복수의 수평 전극층에 직교되는 상기 복수의 수직 채널층으로 지탱되는 것을 특징으로 하는 3차원 소자
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제1항에 있어서,상기 수평 전극층은소자 형성 기판 상에 교대로 적층되어 형성되는 복수의 층간 절연막 및 복수의 패시베이션막 중 상기 복수의 패시베이션막을 식각하고, 패시베이션막이 식각된 셀에 도전성 물질을 증착하여 형성되는 3차원 소자
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제7항에 있어서,상기 수평 전극층은상기 복수의 층간 절연막 상에서 상호간에 분리되어 형성되는 3차원 소자
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3차원 플래시 메모리(3D Flash Memory)의 3차원 소자를 제조하는 방법에 있어서,적층되어 수직 셀 그룹별로 구성된 복수의 수평 전극층에 관통홀을 형성하고, 상기 관통홀의 스탠드를 형성하는 단계; 및상기 관통홀 내부로 채널 물질을 필링(filling)하여 수직 채널층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 수직 채널층은상기 복수의 수평 전극층을 그룹화한 상부의 상기 수직 셀 그룹부터 하부의 상기 수직 셀 그룹까지 직경이 점차 줄어드는 서로 다른 홀(Hole) 사이즈로 형성되며, 하나의 그룹 내에서는 홀 사이즈가 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는, 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 복수의 수평 전극층에 직교되는 복수의 상기 수직 채널층으로 지탱되는 상기 3차원 소자를 형성하는 단계를 더 포함하는 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 관통홀 및 상기 관통홀의 스탠드를 형성하는 단계는 적층되어 제1 수직 셀 그룹으로 구성된 복수의 수평 전극층을 관통하는 제1 관통홀 및 상기 제1 관통홀의 스탠드를 형성하는 단계;상기 제1 수직 셀 그룹 하부에 위치하는 제2 수직 셀 그룹으로 구성된 복수의 수평 전극층을 관통하는 제2 관통홀 및 상기 제2 관통홀의 스탠드를 형성하는 단계; 및상기 제2 수직 셀 그룹 하부에 위치하는 제3 수직 셀 그룹으로 구성된 복수의 수평 전극층을 관통하는 제3 관통홀 및 상기 제3 관통홀의 스탠드를 형성하는 단계를 포함하는 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 관통홀 및 상기 관통홀의 스탠드를 형성하는 단계는 상기 제1 수직 셀 그룹, 상기 제2 수직 셀 그룹 및 상기 제3 수직 셀 그룹 각각에서, 일정한 홀(Hole) 사이즈를 유지하는 상기 제1 관통홀, 상기 제2 관통홀 및 상기 제3 관통홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 3차원 소자의 하부에 위치하는 상기 제3 관통홀 대비 상부에 위치하는 상기 제1 관통홀의 홀(Hole) 사이즈가 더 큰 것을 특징으로 하는 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 수직 채널층을 형성하는 단계는서로 연결된 상기 제1 관통홀, 상기 제2 관통홀 및 상기 제3 관통홀 내부로 상기 채널 물질을 필링(filling)하여 복수의 상기 수직 채널층을 형성하는 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 복수의 수평 전극층은소자 형성 기판 상에 복수의 층간 절연막 및 복수의 패시베이션막(passivation layer)을 교대로 적층하는 단계;상기 복수의 패시베이션막을 식각하고, 상기 복수의 패시베이션막이 식각된 셀에 도전성 물질을 증착하는 단계; 및상기 복수의 층간 절연막을 식각하는 단계를 통해 형성되는 제조 방법
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