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쳄버형 세포 노출 장치에 있어서,상기 쳄버형 세포 노출 장치에 배치되는 세포 용기의 위치를 중심으로 형성되는 균일장 영역에 전자기장을 조사하는 균일장 제어기;상기 균일장 영역으로 조사되는 전자기장에 의해 상승하는 쳄버형 세포 노출 장치의 내부 온도를 감지하는 온도 센서;상기 온도 센서를 통해 감지한 내부 온도에 따른 쳄버형 세포 노출 장치의 내부 환풍 속도를 조절하여 공기 흐름을 제어하는 공냉 환풍 제어기;상기 균일장 영역에 배치되는 세포 용기의 위치를 조절하는 탈착형 받침대;상기 균일장 영역에 전자기장의 노출량을 기반으로 균일장 제어기에 의한 전자기장의 평탄도 및 노출 효율을 모니터링하는 평면 스캔 프로브; 및상기 평면 스캔 프로브의 위치를 제어하는 위치 제어기를 포함하는 쳄버형 세포 노출 장치
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제1항에 있어서,상기 균일장 제어기는,상기 전자기장을 조사하는 안테나 및 상기 전자기장의 파면을 구성하는 적어도 하나의 렌즈를 포함하는 쳄버형 세포 노출 장치
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제1항에 있어서,상기 균일장 제어기는,상기 세포 용기가 배치된 균일장 영역에서 전자기장의 세기 및 전자기장의 파면의 위상에서 의해 결정 가능한 평탄도를 이용하여 균일장 영역에 전자기장을 조사하는 쳄버형 세포 노출 장치
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제1항에 있어서,상기 세포 용기는,상기 균일장 제어기로부터 조사되는 전자기장의 방향에 따라 세포 용기로 흡수되는 전자기장의 흡수율이 달라지는 쳄버형 세포 노출 장치
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제1항에 있어서,상기 탈착형 받침대는,상기 균일장 영역에서 나타나는 전자기장의 균일도에 따른 전자기장의 노출 세기와 위상이 균일한 영역으로 세포 용기가 위치하도록 탈착형 받침대의 높이가 조절되는 쳄버형 세포 노출 장치
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제1항에 있어서,상기 탈착형 받침대는,상기 균일장 제어기로부터 조사되는 전자기장의 산란 왜곡을 방지하기 위한 형태로 구현되는 쳄버형 세포 노출 장치
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제1항에 있어서,상기 평면 스캔 프로브는,상기 균일장 제어기에서 조사되는 전자기장의 주 편파 방향과 상이한 90도 회전된 방향을 갖도록 쳄버형 세포 노출 장치에 배치되는 쳄버형 세포 노출 장치
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제7항에 있어서,상기 평면 스캔 프로브는,상기 쳄버형 세포 노출 장치에 배치된 위치에서 쳄버형 세포 노출 장치의 전파 흡수체로부터의 반사 신호에 인한 전자기장의 왜곡도를 측정하고, 상기 측정한 전자기장의 왜곡도에 기초한 전자기장의 노출량을 측정하는 쳄버형 세포 노출 장치
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제8항에 있어서,상기 평면 스캔 프로브는,상기 전자기장의 평탄도 및 노출 효율을 기반으로 전자기장의 노출 세기와 위상이 균일하도록 전자기장의 파면의 특성을 측정하는 쳄버형 세포 노출 장치
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세포 용기에 조사하기 위한 전자기장을 생성하는 신호 발생 장치;상기 전자기장의 전력을 모니터링하는 전력 모니터링 장치;하나 이상의 세포 용기가 배치된 위치를 중심으로 형성되는 균일장 영역으로 전자기장을 조사하여 각 세포 용기별 동일한 전자기장을 노출시키는 쳄버형 세포 노출 장치; 및상기 쳄버형 세포 노출 장치의 동작을 제어하는 제어 장치;를 포함하는 세포 노출 시스템
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제10항에 있어서,상기 신호 발생 장치는,상기 전자기장을 발생시키는 신호 발생기;상기 발생된 전자기장을 증폭하는 전력 증폭기;상기 전력 증폭기를 통해 증폭된 전자기장을 필터링하는 격리기;상기 전력 증폭기를 통해 증폭된 전자기장의 반사 신호에 대한 반사 레벨을 측정하고, 측정된 반사 레벨의 임계치를 판단하는 방향성 결합기; 및상기 격리기를 통해 필터링된 전자기장을 쳄버형 세포 노출 장치로 급전하는 어댑터를 포함하는 세포 노출 시스템
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제10항에 있어서,상기 전력 모니터링 장치는,상기 신호 발생 장치로부터 판단된 반사 레벨의 전력을 센싱하는 전력 센서; 및상기 쳄버형 세포 노출 장치로부터 측정된 전자기장의 전력을 측정하는 전력 미터를 포함하는 세포 노출 시스템
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제10항에 있어서,상기 쳄버형 세포 노출 장치는,세포 용기의 위치를 중심으로 형성되는 균일장 영역에 전자기장을 조사하는 균일장 제어기;상기 균일장 영역으로 조사되는 전자기장에 의해 상승하는 쳄버형 세포 노출 장치의 내부 온도를 감지하는 온도 센서;상기 온도 센서를 통해 감지한 내부 온도에 따른 쳄버형 세포 노출 장치의 내부 환풍 속도를 조절하여 공기 흐름을 제어하는 공냉 환풍 제어기;상기 균일장 영역에 배치되는 세포 용기의 위치를 조절하는 탈착형 받침대;상기 균일장 영역에 전자기장의 노출량을 기반으로 균일장 제어기에 의한 전자기장의 평탄도 및 노출 효율을 모니터링하는 평면 스캔 프로브; 및상기 평면 스캔 프로브의 위치를 제어하는 위치 제어기를 포함하는 세포 노출 시스템
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제13항에 있어서,상기 균일장 제어기는,상기 세포 용기가 배치된 균일장 영역에서 전자기장의 세기 및 전자기장의 파면의 위상에서 의해 결정 가능한 평탄도를 이용하여 균일장 영역에 전자기장을 조사하는 세포 노출 시스템
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제13항에 있어서,상기 탈착형 받침대는,상기 균일장 영역에서 나타나는 전자기장의 균일도에 따른 전자기장의 노출 세기와 위상이 균일한 영역으로 세포 용기가 위치하도록 탈착형 받침대의 높이가 조절되는 세포 노출 시스템
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제13항에 있어서,상기 탈착형 받침대는,상기 균일장 제어기로부터 조사되는 전자기장의 산란 왜곡을 방지하기 위한 형태로 구현되는 세포 노출 시스템
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제13항에 있어서,상기 평면 스캔 프로브는,상기 균일장 제어기에서 조사되는 전자기장의 주 편파 방향과 상이한 90도 회전된 방향을 갖도록 쳄버형 세포 노출 장치에 배치되는 세포 노출 시스템
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제17항에 있어서,상기 평면 스캔 프로브는,상기 쳄버형 세포 노출 장치에 배치된 위치에서 쳄버형 세포 노출 장치의 전파 흡수체로부터의 반사 신호에 인한 전자기장의 왜곡도를 측정하고, 상기 측정한 전자기장의 왜곡도에 기초한 전자기장의 노출량을 측정하는 세포 노출 시스템
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제18항에 있어서,상기 평면 스캔 프로브는,상기 전자기장의 평탄도 및 노출 효율을 기반으로 전자기장의 노출 세기와 위상이 균일하도록 전자기장의 파면의 특성을 측정하는 세포 노출 시스템
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제10항에 있어서,상기 제어 장치는,상기 쳄버형 세포 노출 장치의 내부 온도를 조절하는 시스템 제어기;상기 쳄버형 세포 노출 장치의 내부에서 세포 용기가 배치되는 평면 스캔 프로브의 위치를 제어하는 측정 제어기; 및상기 평면 스캔 프로브를 통해 쳄버형 세포 노출 장치의 내부에서 조사되는 전자기장의 세기를 측정하는 스펙트럼 분석기를 포함하는 세포 노출 시스템
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