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저항변화 메모리 소자 및 그 동작방법

  • 기술번호 : KST2019006587
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저항변화 메모리 소자 및 그 동작방법에 관한 것으로, 저항 변화층에 터널링막을 형성함으로써, 여러 단계의 저장상태를 갖도록 하고, SET 동작과 RESET 동작시 대칭적으로 전도도가 변화하여 RRAM으로 고용량 메모리 어레이에서 효율적이고 정확한 데이터 저장을 위해 사용될 수 있을 뿐만 아니라 뉴로몰픽 시스템에서 시냅스의 연결 강도를 조절하는 시냅스 모방소자로 이용될 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01) G11C 13/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1273(2013.01)H01L 45/1273(2013.01)H01L 45/1273(2013.01)H01L 45/1273(2013.01)H01L 45/1273(2013.01)
출원번호/일자 1020170161384 (2017.11.29)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0062819 (2019.06.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병국 대한민국 서울특별시 서초구
2 김민휘 서울특별시 관악구
3 김성준 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권오준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1189931-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2018-0019566-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0344661-09
5 [출원서 등 보정(보완)]보정서
2018.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0694452-81
6 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2018.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0694476-76
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0694511-87
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0818553-16
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.01.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0081095-18
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0081103-96
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0435579-09
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0736067-14
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.07.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0736049-03
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0583577-90
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 물질에 불순물을 주입하여 형성된 하부전극;상기 하부전극 상에 형성된 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하여 구성되되,상기 저항 변화층은 상기 하부전극 상에 형성된 산화막과, 상기 산화막 상에 형성된 질화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 반도체 물질은 실리콘이고,상기 산화막은 실리콘 산화막이고,상기 질화막은 실리콘 질화막이고,상기 상부전극은 니켈(Ni)을 포함한 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 의한 저항변화 메모리 소자를 동작하는 방법으로,상기 상부전극과 상기 하부전극 사이에 일정 폭을 갖는 펄스 전압을 일정 간격으로 인가하여 상기 저항 변화층의 전도도가 점진적으로 변화하도록 하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자의 동작방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 펄스 전압이 상기 상부전극에 상기 하부전극보다 높은 양의 전압으로 인가시에는 SET 동작을 하고,상기 펄스 전압이 상기 상부전극에 상기 하부전극보다 낮은 음의 전압으로 인가시에는 RESET 동작을 하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자의 동작방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 SET 동작시에는 상기 펄스 전압의 크기에 관계없이 상기 간격으로 복수 회 반복 인가하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자의 동작방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 RESET 동작시에는 상기 펄스 전압의 크기를 점진적으로 증가시키며 상기 간격으로 복수 회 반복 인가하는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자의 동작방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 상부전극과 상기 하부전극 사이에 소정의 독출 펄스를 인가하여 상기 저항 변화층의 전도도의 기울기로 저장상태 또는 인식상태를 읽는 것을 특징으로 하는 저항변화 메모리 소자의 동작방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10797236 US 미국 FAMILY
2 US20190165268 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2019165268 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 서울대학교 개인기초연구(미래부) 신경모방 시스템 구현을 위한 새로운 나노 구조의 저항변화 메모리