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그래핀과 나노와이어를 이용한 투명전극 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019006654
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀과 나노와이어를 이용한 투명전극 및 그의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일례에 의한 그래핀과 나노와이어를 이용한 투명전극의 제조방법은, 기판에 나노와이어층(nanowire layer)을 형성하는 제1단계와; 상기 나노와이어층 상에 식각마스크 패턴을 형성하는 제2단계와; 상기 식각마스크 패턴을 이용하여 상기 나노와이어층을 식각하여 나노와이어 그리드(nanowire grid)를 형성하는 제3단계와; 상기 나노와이어 그리드의 표면상에 그래핀(graphene)을 전사하여 상기 나노와이어 그리드 상에 상기 그래핀이 결합된 구조의 투명전극을 형성하는 제4단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 전기적으로 높은 전기전도도와 고투과율을 가지는 투명전극의 제조가 가능하다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 13/32 (2006.01.01) H01B 5/14 (2006.01.01) H01L 33/42 (2010.01.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020170161825 (2017.11.29)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0063045 (2019.06.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.29)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 산디파 위말라난다 전라남도 순천시
2 김재관 전라남도 순천시 왕궁길 *
3 이지면 전라남도 순천시 원가곡길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동희 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, *층 (송파동, 옥명빌딩)(플랜국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1192181-61
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0786856-49
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0070414-22
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0172556-66
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0276092-99
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.04.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0399950-54
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0399949-18
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0612866-50
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-1099077-85
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-1216092-27
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2019.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-1342062-35
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2020.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-0087525-03
13 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2020.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0015538-68
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0201413-30
15 등록결정서
Decision to grant		 2020.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0364266-94
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 나노와이어층(nanowire layer)을 형성하는 제1단계와;상기 나노와이어층 상에 식각마스크 패턴을 형성하는 제2단계와;상기 식각마스크 패턴을 이용하여 상기 나노와이어층을 식각하여 나노와이어 그리드(nanowire grid)를 형성하는 제3단계와;상기 나노와이어 그리드의 표면상에 그래핀(graphene)을 전사하여 상기 나노와이어 그리드 상에 상기 그래핀이 결합된 구조의 투명전극을 형성하는 제4단계를 포함하며, 상기 제3단계는, 상기 식각마스크 패턴이 형성된 상기 나노와이어층에 대하여 염화제이철(ferric chloride) 용액을 이용하여 식각하는 제1식각단계와; 초음파가 발생되는 초음파 욕조에서 초음파 식각을 수행하는 제2식각단계를 포함함을 특징으로 하는 그래핀과 나노와이어를 이용한 투명전극의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 기판은 유리기판이고, 상기 나노와이어는 은(Ag) 나노와이어임을 특징으로 하는 그래핀과 나노와이어를 이용한 투명전극의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 기판은 200℃까지 열적으로 안정한 기판이 사용되고, 상기 기판은 상기 제3단계의 상기 나노와이어층의 식각시 식각정지층으로 기능함을 특징으로 하는 그래핀과 나노와이어를 이용한 투명전극의 제조방법
4 4
청구항 2에 있어서,상기 제1단계에서, 상기 나노와이어층은, 상기 기판에 나노와이어를 스핀코팅공법을 이용하여 도포하는 단계와;도포된 나노와이어층에 대해 진공상태에서 열처리를 수행하는 단계를 포함하여 형성됨을 특징으로 하는 그래핀과 나노와이어를 이용한 투명전극의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 나노와이어층을 형성하는 나노와이어는 지름이 20~50nm이고, 길이는 5~40㎛ 임을 특징으로 하는 그래핀과 나노와이어를 이용한 투명전극의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 제2단계에서, 상기 식각마스크 패턴은 포토리쏘그래피(photo lithography) 공정을 통해 형성됨을 특징으로 하는 그래핀과 나노와이어를 이용한 투명전극의 제조방법
7 7
삭제
8 8
청구항 1에 있어서,상기 나노와이어 그리드는 15~25㎛의 채널폭과 25~65㎛의 채널길이를 가짐을 특징으로 하는 그래핀과 나노와이어를 이용한 투명전극의 제조방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 나노와이어 그리드는, 필팩터(fill factor)가 0
10 10
청구항 1에 있어서,상기 나노와이어 그리드는, 필팩터(fill factor)가 0
11 11
청구항 1에 있어서,상기 나노와이어 그리드는 모서리가 둥글게 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀과 나노와이어를 이용한 투명전극의 제조방법
12 12
청구항 1에 있어서,상기 제3단계와 상기 제4단계 사이에 상기 식각마스크 패턴을 제거하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 그래핀과 나노와이어를 이용한 투명전극의 제조방법
13 13
청구항 1에 있어서,상기 그래핀은 화학기상증착(CVD) 공정을 이용하여 구리기판 상에 증착된 그래핀임을 특징으로 하는 그래핀과 나노와이어를 이용한 투명전극의 제조방법
14 14
청구항 13에 있어서,상기 그래핀은, 화학기상증착 장비 내의 성장실에 구리기판을 장입하는 단계와;성장실 내를 1000℃의 온도, 0
15 15
청구항 1에 있어서,상기 투명전극은, 550nm의 파장에서 90 ~98%의 투명도를 가짐을 특징으로 하는 그래핀과 나노와이어를 이용한 투명전극의 제조방법
16 16
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17 17
삭제
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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