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반도체 디바이스에 있어서,게이트 전극, 드레인 전극 및 소스 전극을 포함하는 핀펫 소자; 및상기 핀펫 소자와 연결되며, 기판 상에 형성되는 스위칭층 및 전극층을 포함하는 선택 소자를 포함하고,상기 스위칭층은 납 지르코늄 티탄산염을 포함하고, 상기 선택 소자는 상기 핀펫 소자의 드레인 전극에 연결되고, 상기 선택 소자는 상기 드레인 전극을 통해 드레인 전압이 인가되면, 상기 선택 소자의 저항이 변화됨에 따라 온 상태 또는 오프 상태로 스위칭되는 것인, 반도체 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 전극층은 란타늄 스트론튬 망가나이트(LSMO), 금(Au), 실리콘(Si), 폴리실리콘, 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt) 및 티타늄(Ti)중 적어도 하나를 포함하는 것인, 반도체 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 선택 소자의 문턱 전압(threshold voltage)은 1
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제 1 항에 있어서,상기 선택 소자의 오프 전류(off current)는 2 pA 이하인 것인, 반도체 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 선택 소자의 오프 전류와 온 전류(on current)의 비는 1:5 인 것인, 반도체 디바이스
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제 1 항에 있어서,상기 선택 소자의 서브스레숄드 슬로프(subthreshold slope; SS)는 상온에서 2 mV/decade 이하인 것인, 반도체 디바이스
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반도체 디바이스의 제조 방법에 있어서,게이트 전극, 드레인 전극 및 소스 전극을 포함하는 핀펫 소자를 형성하는 단계;기판 상에 형성되는 스위칭층 및 전극층을 포함하는 선택 소자를 형성하는 단계; 및상기 핀펫 소자와 상기 선택 소자를 연결하는 단계를 포함하고, 상기 스위칭층은 납 지르코늄 티탄산염을 포함하고, 상기 핀펫 소자와 상기 선택 소자를 연결하는 단계는상기 선택 소자를 상기 핀펫 소자의 드레인 전극에 연결하는 단계를 포함하고, 상기 선택 소자는 상기 드레인 전극을 통해 드레인 전압이 인가되면, 상기 선택 소자의 저항이 변화됨에 따라 온 상태 또는 오프 상태로 스위칭되는 것인, 반도체 디바이스의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 전극층은 란타늄 스트론튬 망가나이트(LSMO), 금(Au), 실리콘(Si), 폴리실리콘, 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt) 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 반도체 디바이스의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 선택 소자의 문턱 전압(threshold voltage)은 1
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제 8 항에 있어서,상기 선택 소자의 오프 전류(off current)는 2 pA 이하인 것인, 반도체 디바이스의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 선택 소자의 오프 전류와 온 전류(on current)의 비는 1:5 인 것인, 반도체 디바이스의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 선택 소자의 서브스레숄드 슬로프(subthreshold slope; SS)는 상온에서 2 mV/decade 이하인 것인, 반도체 디바이스의 제조 방법
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