탈황 활성 성분으로서의 산화아연 및 산화아연으로 전환될 수 있는 그 전구체 40~60중량%;

재생증진제로서의 주기율표 4-12족의 전이금속 산화물, 그 황화물 또는 이들로 전환될 수 있는 전구체 4~10중량%;

지지체로서의 규조토 15~50중량%; 및

무기결합제 5~41중량%로 구성되며:

마모지수 AI(Air jet Index)가 90% 이하인

유동층용 고온건식 아연계 탈황제

제1항에 있어서, 상기한 탈황제의 평균입자크기가 70~120㎛이고 입자분포가 30~400㎛인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제

제2항에 있어서, 상기한 탈황제가 실질적으로 블로홀(blow-holes)이 없는 구형이며, 충진 밀도가 적어도 0

제2항에 있어서, 상기한 탈황제의 평균입자크기가 약 100㎛이고 입자분포가 40~300㎛인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제

제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기한 탈황제가 10 g S/100 탈황제(즉 10 wt%) 이상의 탈황능력을 갖는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제

제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기한 탈황제의 마모지수가 60 이하인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제

제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기한 탈황제의 650℃에서의 TGA 재생성이 70%~95%인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제

제1항에 있어서, 상기한 탈황 성분이 산화아연(ZnO)이고, 상기한 재생증진제가 산화니켈(NiO)인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제

제1항 또는 제8항에 있어서, 상기한 산화아연(ZnO)이 입자크기 1㎛ 이하이고, 순도 99%이상인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제

제1항에 있어서, 상기한 전이금속 화합물이 바나듐 산화물, 크롬 산화물, 망간 산화물, 철 산화물, 코발트 산화물, 니켈 산화물, 구리 산화물, 주석 산화물, 몰리브데늄 산화물, 이들의 황화물 및 그 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제

제8항에 있어서, 상기한 산화니켈(NiO)이 평균입자크기 1㎛ 이하인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제

제1항에 있어서, 상기한 무기결합제가 알루미나 졸, 보에마이트, 벤토나이트 및 카오린으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 무기물인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제

제1항 또는 제12항에 있어서, 상기한 무기결합제가 알루미나 졸 5~15중량%로 구성되는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제

제1항 또는 제12항에 있어서, 상기한 무기결합제가 알루미나 졸 5~15중량% 및 벤토나이트 2~10중량%로 구성되는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제

제1항 또는 제12항에 있어서, 상기한 무기결합제가 보에마이트 5~15중량%, 벤토나이트 2~10중량% 및 카오린 5~16중량%로 구성되는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제

하기의 단계로 구성되는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법:

(A) 탈황 활성 성분으로서의 산화아연 및 산화아연으로 전환될 수 있는 그 전구체 40~60중량%, 재생증진제로서의 주기율표 4-12족의 전이금속 산화물, 그 황화물 또는 이들로 전환될 수 있는 전구체 4~10중량%, 지지체로서의 규조토 15~50중량% 및, 무기결합제 5~41중량%로 구성되는 탈황제 성분을 제공하는 단계;

(B) 제공된 상기한 탈황제 성분을 산 또는 염기를 가하여 pH를 조정한 후 습식 분쇄하는 단계;

(C) 습식 분쇄 혼합물에 분산제, 유기결합제 및 소포제를 가하여 슬러리화하는 단계;

(D) 상기한 슬러리를 분무 건조시켜 탈황제 제립체로 성형하는 단계; 및

(E) 상기한 제립체를 소성(calcination)시키는 단계

제16항에 있어서, 상기한 단계(E)에 후속하여 (F) 상기한 탈황제 제립체의 물리화학적 특성을 측정 평가하는 단계를 더욱 수행하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 단계(B)에서의 습식 분쇄에 물을 이용하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제18항에 있어서, 상기한 물이 1차 증류수 이상의 순수인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 탈황 성분이 산화아연(ZnO)이고, 상기한 재생증진제가 산화니켈(NiO)인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항 또는 제20항에 있어서, 상기한 산화아연(ZnO)이 입자크기 1㎛ 이하이고, 상기한 산화니켈(NiO)이 입자크기 1㎛ 이하인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 전이금속 화합물이 바나듐 산화물, 크롬 산화물, 망간 산화물, 철 산화물, 코발트 산화물, 니켈 산화물, 구리 산화물, 주석 산화물, 몰리브데늄 산화물, 이들의 황화물 및 그 전구체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 무기결합제가 알루미나 졸, 보에마이트, 벤토나이트 및 카오린으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 무기물인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16 또는 제23항에 있어서, 상기한 무기결합제가 알루미나 졸 5~15중량%로 구성되는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항 또는 제23항에 있어서, 상기한 무기결합제가 알루미나 졸 5~15중량% 및 벤토나이트 2~10중량%로 구성되는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항 또는 제23항에 있어서, 상기한 무기결합제가 보에마이트 5~15중량%, 벤토나이트 2~10중량% 및 카오린 5~16중량%로 구성되는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 분산제로서 폴리카르복실산염 음이온계 계면활성제, 나프탈렌포르말린축합설폰산염, 소디움시리케이트, 지방산다가알코올 및 플루오르계면활성제(Fluorosurfactant)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물을 사용하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제27항에 있어서, 상기한 분산제로서 음이온계 폴리카르복실산염과 플루오르계면활성제를 혼합 사용하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항 또는 제27항 또는 제28항에 있어서, 상기한 분산제의 사용량이 탈황제 고형분 중량에 대하여 0

제28항에 있어서, 탈황제 고형분 중량에 대하여 상기한 음이온계 폴리카르복실산염 1

제16항에 있어서, 상기한 유기결합제가 왁스, 검(Gum), 덱스트린, 전분(Starches), 리그닌(Lignin), 폴리비닐알코올(PVA), 폴리글라이콜(PEG) 및 메틸셀루오즈로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제31항에 있어서, 상기한 유기결합제가 탈황제의 고형분 중량에 대하여 1-8wt%의 양으로 사용되는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항 또는 제31항 또는 제32항에 있어서, 상기한 유기 결합제가 폴리에티렌글라이콜이고, 그 사용량이 탈황제의 고형분 중량에 대하여 1-2wt%인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 소포제가 실리카실리콘계, 실리콘계, 금속비누계, 아미도계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리글라이콜계, 유기인산계, 고급알콜계, 유산화지방계 및 유용계폴리머계로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항 또는 제34항에 있어서, 상기한 소포제가 탈황제 고형분 중량에 대하여 0

제16항 또는 제34항 또는 제35항에 있어서, 상기한 소포제가 폴리에테르계 소포제인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, pH 조절용 산이 질산, 염산 또는 황산의 무기산이며, 인을 포함하는 무기산은 제외되는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, pH 조절용 산이 아세트산, 포름산, 옥살산 또는 시트르산의 유기산인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, pH 조절용 염기가 암모니아수(NH4OH), 우레아(urea), 또는 에탄올아민인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제37항 내지 제40항에 있어서, pH 조절용 산이 질산이고 pH 조절용 염기가 암모니아수인 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 습식 분쇄 단계(B)에서 탈황제 성분의 혼합 전후 또는 슬러리화 단계(C) 중에 모든 무기 원료의 평균입자 크기를 1㎛이하로 분쇄하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 pH 조정을 염기의 첨가에 의해 수행하는 경우 pH 7~14로 조정하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 슬러리화 단계(C)가 재분쇄, 탈황제 성분의 혼합 및 분산, 재분산, 균질화 및 안정화 과정을 통하여 유동성 콜로이드 슬러리로 형성 되는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제44항에 있어서, 상기한 슬러리화 단계(C)에서 유기결합제를 첨가한 이후 부터는 저속교반(1200rpm 이하)하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 습식 분쇄 단계(B)에서 물을 가하여 슬러리화 단계(C)에서 최종 슬러리의 고형분 농도가 30~50중량%가 되도록 하며, 분쇄 및 분산 과정에서 증발된 물은 슬러리화 단계(C)에서 보충하여 보정하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 고체원료를 모두 혼합하여 분산시키고 유기결합제와 소포제를 첨가하여 최종 슬러리의 특성을 제어함에 있어 슬러리의 노화 전에 슬러리의 농도를 조정하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 혼합물 또는 슬러리의 pH를 10 이하가 되도록 산으로 조정하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 분쇄 및 혼합 초기에 pH를 1-7 사이로 조정하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 산화아연의 첨가 전 혼합물 또는 슬러리의 pH를 산을 이용하여 3-4로 조정하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제48항 내지 제50항 중 어느 한 항에 있어서, 산화아연을 초기에 혼합하는 경우 pH를 6-8 사이로 조정하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제48항 내지 제50항 중 어느 한 항에 있어서, 알루미나 졸을 첨가하고 혼합하기 전 상태에서 pH를 3-5 사이로 조정하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제52항에 있어서, 알루미나 졸을 첨가하기 전에 산화아연을 혼합 분산시켜서 슬러리화하며 상기한 슬러리의 pH를 9 이하로 조정하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제48항 내지 제50항 중 어느 한 항에 있어서, (B) 습식 분쇄 단계 및 (C) 슬러리화 단계에서 혼합 및 분산성 향상을 위해 벤토나이트를 2~10중량% 사용하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 (C) 슬러리화 단계에서 물, 산 또는 염기와, 분산제 단독 또는 이들의 임의의 조합을 이용하여 슬러리의 점도를 조정하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 (C) 슬러리화 단계에서 모든 탈황제 성분이 혼합, 분산 및 균질화된 상태의 유동성 슬러리에 유기결합제 및 소포제를 첨가하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 (C) 슬러리화 단계에서 슬러리의 농도를 30-50wt%, pH는 5-9, 점도 300-1600cps로 조정하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 (C) 슬러리화 단계에서 슬러리의 농도를 30-50wt%, pH 7-14, 점도는 300-1600cps로 조정하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제57항 또는 제58항에 있어서, 슬러리의 농도가 35-45 wt%, pH 6-8, 점도 350-900cps로 조정하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제57항 또는 제58항에 있어서, 슬러리의 농도 또는 점도가 높은 경우 물을 첨가하여 슬러리의 농도 또는 점도를 낮추며, 슬러리의 점도가 낮은 경우 산 또는 염기를 첨가하여 슬러리의 점도를 증가시키고, 슬러리의 최종 점도는 분산제를 사용하여 재조정하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제60항에 있어서, 슬러리의 점도 증가를 위해 최종 단계의 슬러리에 산 또는 염기를 첨가하는 경우 슬러리의 노화 전 단계에서 첨가하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제57항 또는 제58항에 있어서, 슬러리의 점도 증가가 TBS 분산제 0

제16항에 있어서, 상기한 (C) 슬러리화 단계에서, 혼합물 또는 슬러리의 pH가 7-14 사이가 되도록 염기로 조정하여 최종 슬러리를 형성시키는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제63항에 있어서, 슬러리 농도가 30-50 wt%가 되도록 물에 무기결합제와 지지체를 혼합하고 혼합물의 pH를 염기로 9-12 사이로 조절한 다음, 건조 혼합된 산화아연과 산화니켈을 첨가하여 슬러리를 형성시키는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 (C) 슬러리화 단계에서 최종적으로 슬러리의 특성을 제어하기 전후에 슬러리를 교반하면서 적어도 2시간 이상 방치하는 슬러리의 노화(aging) 과정을 수행하여 슬러리를 균질하게 안정시키는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 (C) 슬러리화 단계 중 또는 그에 후속하여 슬러리 중의 이물질 또는 응집 괴상체의 불순물을 체질하여 제거하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제66항에 있어서, 슬러리를 분무건조 성형하기 전의 슬러리 노화 과정 전후 에 불순물을 체질하여 제거하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 (D) 소성 단계 전에 불량 판정된 불규칙한 형상 또는 응집 형상 또는 작은 입자 크기를 갖는 제립체를 선별하여 상기한 (C) 슬러리화 단계로 환송시키는 제립체의 재생 단계를 또한 포함하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제16항에 있어서, 상기한 (E) 소성 단계가 공기 분위기 중에서 5℃/min으로 승온율로 600-1000℃ 사이의 온도에서 2 시간 이상 수행되는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제69항에 있어서, 상기한 (E) 소성 단계에 앞서, 상기한 (D) 분무건조 성형단계에서 제조된 탈황제로서의 제립체를 110~150℃ 공기 분위기의 환류건조기 내에서 건조시키는 예비 건조 단계를 또한 수행하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제69항 또는 제70항에 있어서, 소성 단계가 650-850℃ 사이의 온도로 수행되는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제71항에 있어서, 슬러리 중의 유기물 제거를 위하여 180~650℃ 사이의 특정한 온도에서 일정 시간 유지하여 제거하는 과정을 포함하는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제의 제조방법

제73항에 있어서, 상기한 슬러리가 소포제 0

제73항 또는 제74항에 있어서, 상기한 슬러리의 농도가 35~45중량%이고 점도가 350~950cps인 유동성 콜로이드 슬러리

제75항에 있어서, 상기한 슬러리의 pH가 5~9인 유동성 콜로이드 슬러리

제75항에 있어서, 상기한 슬러리의 pH가 9~12인 유동성 콜로이드 슬러리

마모지수 AI(Air Jet Index) 90% 이하, 평균입자크기 70~120㎛, 입자분포 30~400㎛, 충진밀도 0

제73항에 따른 슬러리로 제조되는 유동층용 고온건식 아연계 탈황제

고정층, 이동층, 유동층 또는 고속유동층 탈황공정에 적용되는 제1항에 따른 아연계 탈황제