| 1 |
1
제1 영역 및 상기 제1 영역 주위의 제2 영역이 정의되고, 상기 제1 영역에는 접촉면적 증대부가 형성되는 반도체기판,
상기 접촉면적 증대부를 따라 상기 접촉면적 증대부에 대응하는 형상으로 형성되고, 상기 제2 영역까지 일부 연장되어 형성된 에미터층,
상기 에미터층을 따라 상기 에미터층에 대응하는 형상으로 형성된 고체선원층,
상기 제2 영역 상에 상기 제2 영역까지 일부 연장되어 형성된 에미터층과 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및
상기 제2 영역 상에 형성되어 상기 반도체기판과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자력전지
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 고체선원층은 삼중수소화금속층을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 원자력전지
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,
상기 고체선원층은 분말 또는 박막이 상기 에미터층 상에 코팅되어 형성된 것을 특징으로 하는 원자력전지
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,
상기 삼중수소화금속층은 티타늄 및 지르코늄 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 원자력전지
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,
상기 삼중수소화금속층은 삼중수소화티타늄으로 형성된 것을 특징으로 하는 원자력전지
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,
상기 삼중수소화티타늄의 두께는 0
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,
상기 접촉면적증대부는 상기 반도체 기판 상에 홈 또는 홀이 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 원자력전지
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,
상기 홈은 와플형태로 형성된 것을 특징으로 하는 원자력전지
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,
상기 반도체기판은 n형 또는 p형 실리콘웨이퍼로 형성되고, 상기 에미터층은 상기 반도체기판과 p-n접합구조를 이루도록 상기 반도체기판에 p형 또는 n형 도펀트가 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 원자력전지
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,
상기 제2 전극에 대응하는 상기 반도체기판에는 상기 반도체기판과 동일한 형의 도펀트가 도핑된 것을 특징으로 하는 원자력전지
|
| 15 |
15
제1항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 에미터층 사이 및 상기 제2 전극과 상기 반도체기판 사이에는 절연층이 형성된 것을 특징으로 하는 원자력전지
|
