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물을 전기분해하여 수소와 산소를 생산하는 전해조 셀에 있어서, 상기 전기분해 반응에 의하여 생산된 수소와 산소를 분리하는 전해질;상기 전해질의 양측에 배치되고, 다공성인 제1미세공으로 이루어져, 상기 전기분해의 반응유체 및 반응에 의하여 생산된 수소와 산소의 통로로 제공되는 담체; 및상기 담체의 내부에서 전해질의 양측에 배치되고, 상기 제1미세공보다 더 미세한 제2미세공을 가지며, 상기 전기분해 반응을 위한 기전력을 공급받기 위한 전극;을 포함하는 고온 수전해용 전해조 셀
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제1항의 상기 고온 수전해용 전해조 셀들을 적층하여 형성되는 고온 수전해용 전해조 스택에 있어서, 상기 전해조 셀들 사이에 세라믹 성분의 인터커넥터를 포함하는 고온 수전해용 전해조 스택
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제2항에 있어서, 상기 담체는 Yttria Stabilized Zirconia계 고체산화물 세라믹으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고온 수전해용 전해조 스택
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제2항에 있어서, 상기 담체의 제1미세공의 지름은 50μm 내지 150μm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 고온 수전해용 전해조 스택
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제2항에 있어서, 상기 담체는 공기 및 산소의 통로로 제공되는 공기흐름층담체; 및 스팀 및 수소의 통로로 제공되는 스팀흐름층담체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고온 수전해용 전해조 스택
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제5항에 있어서,상기 공기흐름층담체 및 상기 스팀흐름층담체는 상기 전해질을 사이에 두고 서로 마주보게 배치되는 것을 특징으로 하는 고온 수전해용 전해조 스택
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제5항에 있어서,상기 공기흐름층담체와 상기 스팀흐름층담체는 이들의 제1미세공을 통과하는 유체의 흐름이 서로 교차하는 방향으로 상기 제1미세공이 배치되는 것을 특징으로 하는 고온 수전해용 전해조 스택
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제2항에 있어서,상기 전극은 상기 제2미세공에 전극물질을 함침시켜 만들어지는 것을 특징으로 하는 고온 수전해용 전해조 스택
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제8항에 있어서,상기 제2미세공의 지름이 0
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제2항에 있어서,상기 인터커넥터는 고체산화물 세라믹으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고온 수전해용 전해조 스택
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제10항에 있어서, 상기 인터커넥터는 Lanthanum Calcium Chromite계 고체산화물 세라믹으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고온 수전해용 전해조 스택
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제2항에 있어서, 상기 전해조 셀들의 적층은 상기 인터커넥터를 반복적으로 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고온 수전해용 전해조 스택
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물을 전기분해하여 수소와 산소를 생산하는 전해조 스택 제조방법에 있어서,상기 전기분해에서의 반응유체 및 반응에 의하여 생산된 수소와 산소의 통로로 제공되는 제1미세공을 가지는 담체를 형성하는 담체형성단계;상기 형성된 담체를 전해질의 양면에 배치하고,상기 전해질의 양면에 배치된 상기 담체의 내부에서 상기 전해질에 접하는 측에 제2미세공을 형성하고, 상기 제2미세공에 전극물질을 함침하여 전극을 형성함으로써 단위 전해조 셀을 형성하는 셀형성단계; 및상기 형성된 하나의 단위 전해조 셀과 또 하나의 단위 전해조 셀 사이에 세라믹으로 구성된 인터커넥터를 배치하여 전해조 스택으로 적층하는 스택형성단계;를 포함하는 고온 수전해용 전해조 스택 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 담체형성단계는 상기 담체로 Yttria Stabilized Zirconia계 고체산화물 세라믹으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고온 수전해용 전해조 스택 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 담체형성단계는 상기 제1미세공의 지름이 50μm 내지 150μm의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 고온 수전해용 전해조 스택 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 담체형성단계는 상기 전해질을 사이에 두고 공기흐름층 담체와 공기 이외의 유체흐름층 담체를 형성하고, 유체의 흐름방향이 서로 교차되도록 구성하는 것을 특징으로 하는 고온 수전해용 전해조 스택 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 셀형성단계는 상기 전극을 구성하는 초미세공의 지름이 0
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제13항에 있어서, 상기 스택형성단계는 상기 인터커넥터가 Lanthanum Calcium Chromite계 고체산화물 세라믹으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고온 수전해용 전해조 스택 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 스택형성단계는 상기 단위 전해조 셀들을 반복적으로 배치하여 전해조 스택을 적층하는 것을 특징으로 하는 고온 수전해용 전해조 스택 제조방법
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제13항 내지 제19항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조된 고온 수전해용 전해조를 이용하여 수전해를 하는 방법에 있어서, 상기 전해조의 반응온도를 700℃ 내지 1500℃의 범위로 하여 수전해하는 방법
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