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소자의 제작 방법

  • 기술번호 : KST2019008326
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 소자 제작 공정에서 iodine/iodide 용액을 이용하여 기판의 표면을 처리하여 주는 것으로 소자의 누설 전류를 감소시켜 소자의 특성을 향샹시키는 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02623(2013.01) H01L 21/02623(2013.01) H01L 21/02623(2013.01)
출원번호/일자 1020170164519 (2017.12.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0065063 (2019.06.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진식 대전광역시 유성구
2 배성범 대전광역시 유성구
3 이형석 대전광역시 서구
4 임종원 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2017-1204443-55
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
iodine/iodide 용액을 이용하여 기판의 표면을 처리하여 주는 것으로 소자의 누설 전류를 감소시키는 소자의 제작 방법
2 2
제 1 항에 있어서,iodine/iodide 용액 처리 단계를 식각 단계 전이나 후에 적용하는 것을 특징으로 하는 소자의 제작 방법
3 3
제 1 항에 있어서,iodine/iodide 용액 처리 단계를 금속 증착 단계 전이나 후에 적용하는 것을 특징으로 하는 소자의 제작 방법
4 4
제 1 항에 있어서,iodine/iodide 용액 처리 단계를 식각 단계 전이나 후와 함께 금속 증착 단계 전이나 후에 적용하는 것을 특징으로 하는 소자의 제작 방법
5 5
제 1 항에 있어서,iodine/iodide 용액 처리 단계를 식각 단계 전이나 후와 함께 금속 증착 단계 전이나 후에 적용하는 것을 특징으로 하는 소자의 제작 방법
6 6
제 1 항에 있어서,iodine/iodide 용액 처리 단계를 식각 단계 전이나 후와 함께 금속 증착 단계 전이나 후에 적용하는 것을 특징으로 하는 소자의 제작 방법
7 7
제 1 항에 있어서,iodine/iodide 용액 처리 단계전이나 후에 다른 단계를 포함할 수 있는 것을 특징으로 하는 소자의 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국전자통신연구원 ETRI연구개발지원사업 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발