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슁글드 어레이 접합 방식을 이용한 광전기화학적 물분해용 고전압 광전극의 제조 방법 및 이에 따른 광전극

기술번호 : KST2019008350
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명의 실시예는 광전기화학적 물분해용 고전압 광전극의 제조 방법 및 이에 따른 광전극에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 기존 광전기화학 셀의 한계를 뛰어넘기 위하여 광전압이 낮은 실리콘 광전극에 슁글드 어레이 접합 방식을 도입하여 고전압, 고전류의 실리콘 광전극을 구현함으로써, 추가적인 전압 공급 없이 작동이 가능한 슁글드 어레이 접합 방식을 이용한 광전기화학적 물분해용 고전압 광전극의 제조 방법 및 이에 따른 광전극을 제공하는데 있다. 이를 위해 본 발명은 제1도전형 반도체 기판에 제2도전형 불순물층이 도핑된 다수의 셀을 준비하는 단계; 상기 다수의 셀을 슁글드 어레이 접합 방식으로 접합하는 단계; 일측 단부의 셀에 전면 전극을 형성하고, 타측 단부의 셀에 후면 전극을 형성하는 단계; 및 상기 전면 전극을 제외한 나머지 셀의 전면에 투명 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 슁글드 어레이 접합 방식을 이용한 광전기화학적 물분해용 고전압 광전극의 제조 방법을 개시한다.
Int. CL	C25B 11/02 (2006.01.01) C25B 11/04 (2006.01.01) C25B 1/00 (2006.01.01) C25B 1/04 (2006.01.01)
CPC	C25B 11/02(2013.01) C25B 11/02(2013.01) C25B 11/02(2013.01) C25B 11/02(2013.01) C25B 11/02(2013.01)
출원번호/일자	1020170163166 (2017.11.30)
출원인	한국생산기술연구원
등록번호/일자	10-1992966-0000 (2019.06.19)
공개번호/일자	10-2019-0063962 (2019.06.10) 문서열기
공고번호/일자	(20190626) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2017.11.30)
심사청구항수	8

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국생산기술연구원	대한민국	충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	정채환		광주광역시 광산구
2	지홍섭		광주광역시 광산구
3	박민준		광주광역시 광산구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인성암	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국생산기술연구원		충청남도 천안시 서북구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2017.11.30	수리 (Accepted)	1-1-2017-1198105-41
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.07.02	수리 (Accepted)	4-1-2018-5123030-77
3	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2019.02.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0125339-10
4	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2019.04.18	수리 (Accepted)	1-1-2019-0401204-16
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2019.04.18	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2019-0401205-62
6	등록결정서 Decision to grant	2019.04.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0294474-95

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제1도전형 반도체 기판에 제2도전형 불순물층이 도핑된 다수의 셀을 준비하는 단계;상기 다수의 셀을 슁글드 어레이 접합 방식으로 접합하는 단계;일측 단부의 셀에 전면 전극을 형성하고, 타측 단부의 셀에 후면 전극을 형성하는 단계; 및상기 전면 전극을 제외한 나머지 셀의 전면에 투명 절연층을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 슁글드 어레이 접합 방식을 이용한 광전기화학적 물분해용 고전압 광전극의 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 전면 전극에 물분해 촉매층을 형성하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 슁글드 어레이 접합 방식을 이용한 광전기화학적 물분해용 고전압 광전극의 제조 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 제1도전형은 P 타입이고, 상기 제2도전형은 N 타입으로서 상기 전면 전극에 의해 물이 분해되어 수소가 발생되도록 함을 특징으로 하는 슁글드 어레이 접합 방식을 이용한 광전기화학적 물분해용 고전압 광전극의 제조 방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제1도전형은 N 타입이고, 상기 제2도전형은 P 타입으로서 상기 전면 전극에 의해 물이 분해되어 산소가 발생되도록 함을 특징으로 하는 슁글드 어레이 접합 방식을 이용한 광전기화학적 물분해용 고전압 광전극의 제조 방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 전면 전극은 TiO2, Ga2O3, In2O3, ZnO, Nb2O5, WO3, Sn0, SnO2 및 MgO로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함함을 특징으로 하는 슁글드 어레이 접합 방식을 이용한 광전기화학적 물분해용 고전압 광전극의 제조 방법
6	6 제 2 항에 있어서,상기 물분해 촉매층은 Pt, Ir, Pd 및 Ta으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함함을 특징으로 하는 슁글드 어레이 접합 방식을 이용한 광전기화학적 물분해용 고전압 광전극의 제조 방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 투명 절연층은 에폭시 및 PDMS(Polydimethylsiloxane)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함함을 특징으로 하는 슁글드 어레이 접합 방식을 이용한 광전기화학적 물분해용 고전압 광전극의 제조 방법
8	8 제 1 항 내지 제 7 항에 기재된 방법 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 슁글드 어레이 접합 방식을 이용한 광전기화학적 물분해용 고전압 광전극

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	기획재정부	한국생산기술연구원	수요기반생산기술실용화사업	[타킷형 육성] 결정질 실리콘 태양전지를 이용한 Zero White Space 기반 고출력 모듈 제조기술 개발(1/3)

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1992966-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20171130 출원 번호 : 1020170163166 공고 연월일 : 20190626 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20190424 청구범위의 항수 : 8 유별 : C25B 11/02 발명의 명칭 : 슁글드 어레이 접합 방식을 이용한 광전기화학적 물분해용 고전압 광전극의 제조 방법 및 이에 따른 광전극 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	178,500 원	2019년 06월 20일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2017.11.30	수리 (Accepted)	1-1-2017-1198105-41
2	출원인정보변경(경정)신고서	2018.07.02	수리 (Accepted)	4-1-2018-5123030-77
3	의견제출통지서	2019.02.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0125339-10
4	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2019.04.18	수리 (Accepted)	1-1-2019-0401204-16
5	[명세서등 보정]보정서	2019.04.18	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2019-0401205-62
6	등록결정서	2019.04.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0294474-95


과제고유번호	1711063185
세부과제번호	JG170018
연구과제명	결정질 실리콘 태양전지를 이용한 Zero White Space 기반 고출력 모듈 제조기술 개발(1/3)
성과구분	출원
부처명	과학기술정보통신부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2017
연구기간	201701~201712
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

[1020170163166]	슁글드 어레이 접합 방식을 이용한 광전기화학적 물분해용 고전압 광전극의 제조 방법 및 이에 따른 광전극	새창보기

중요키워드

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