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반송자 선택형 태양전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019008361
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반송자 선택형 태양전지에 관한 것이고, 또한 이러한 반송자 선택형 태양전지의 제조 방법에 관한 것이다. 이종접합 태양전지 제작에서 고효율화로 가면 갈수록 물질 간의 일함수 차이에 의한 특성이 하락한다는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 MoOx 물질을 적용하여 이종접합 태양전지를 제작하여 낮은 광 흡수와 높은 일함수로 인한 계면 특성 향상으로 인한 태양전지 에너지 변환 효율 향상 효과를 제공하고자 한다.
Int. CL H01L 31/072 (2006.01.01) H01L 31/0376 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/072(2013.01) H01L 31/072(2013.01) H01L 31/072(2013.01) H01L 31/072(2013.01)
출원번호/일자 1020170163052 (2017.11.30)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0063908 (2019.06.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 경기도 수원시 장안구
2 정준희 경기도 수원시 장안구
3 박철민 경기도 수원시 장안구
4 안시현 경기도 수원시 장안구
5 김용준 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-1197726-16
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번호 청구항
1 1
실리콘 기판;상기 실리콘 기판의 전면 상에 위치하는 제 1 패시베이션층;상기 실리콘 기판의 후면 상에 위치하는 제 2 패시베이션층;상기 제 1 패시베이션층 상에 위치하며 p형을 나타내는 전이금속 산화물층;상기 제 2 패시베이션층 상에 위치하는 n형 비정질 실리콘 산화막층;상기 전이금속 산화물층 상에 위치하는 투명 전도층을 포함하는,반송자 선택형 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전이금속 산화물층은 MoOx인 것을 특징으로 하는,반송자 선택형 태양전지
3 3
제 2 항에 있어서,상기 MoOx의 높은 일함수에 의해 배리어 높이가 감소되는,반송자 선택형 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서,상기 태양전지의 상단 및 하단에는 각각 금속 전극이 배치되는,반송자 선택형 태양전지
5 5
실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 실리콘 기판의 전면 상에 제 1 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 후면 상에 제 2 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 제 1 패시베이션층 상에 p형을 나타내는 전이금속 산화물층을 형성하는 단계;상기 제 2 패시베이션층 상에 n형 비정질 실리콘 산화막층을 형성하는 단계;상기 전이금속 산화물층 상에 투명 전도층을 형성하는 단계를 포함하는,반송자 선택형 태양전지의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 전이금속 산화물층은 MoOx인 것을 특징으로 하는,반송자 선택형 태양전지의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 MoOx의 높은 일함수에 의해 배리어 높이가 감소되는,반송자 선택형 태양전지의 제조 방법
8 8
제 5 항에 있어서,상기 태양전지의 상단 및 하단에 각각 금속 전극을 배치하는 단계를 추가로 포함하는,반송자 선택형 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 WO2019107869 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2019107869 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성균관대학교산학협력단 신재생에너지핵심기술개발 고효율 결정질 실리콘 태양전지용 전하선택접촉 기술 개발
2 산업통상자원부 고려대학교 산학협력단 에너지자원기술개발사업 면적 100cm²급 초고효율(＞26%) 실리콘 웨이퍼 기반 태양전지 기술개발