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(A) 다이아세틸렌 단량체; N-하이드로숙신이미드 (N-hydroxysuccinimide, NHS) 또는 N-하이드로설퍼숙신이미드(N-Hydroxysulfosuccinimide, sulfo-NHS); 및 N,N'-디사이클로헥실카보디이미드(N,N′-dicyclohexylcarbodimide, DCC) 또는 1-에틸-3-(3-디메틸아미노프로필)카보디이미드(1-ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl)carbodiimide, EDC)를 반응시켜 N-하이드로숙신이미드 또는 N-하이드로설퍼숙신이미드로 치환된 다이아세틸렌 단량체를 수득하는 단계; 및(B) 상기 N-하이드로숙신이미드 또는 N-하이드로설퍼숙신이미드로 치환된 다이아세틸렌 단량체와 아미노벤젠술폰산 또는 탄수소 1 내지 10의 아미노알킬술폰산을 반응시키는 단계를 포함하는 하기 화학식 1의 다이아세틸렌 단량체 제조방법:[화학식 1]CH3-(CH2)n-C≡C-C≡C-(CH2)m-A-(CH2)x-OSO3H상기 화학식 1에서, n은 2 내지 20이고, m은 2 내지 15이고, x는 0 내지 10이며,A는 CONH 또는 CONH-ph (CONH-ph일 경우 x는 0, ph는 페닐기)이다
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제1항에 있어서, 상기 다이아세텔렌 단량체는 일측 말단에 카르복시기를 갖는 하기 화학식 2의 화합물인 것을 특징으로 하는 제조방법:[화학식 2]CH3-(CH2)n-C≡C-C≡C-(CH2)m-COOH상기 화학식 2에서, n은 2 내지 20이고, m은 2 내지 15이다
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제1항에 있어서, 상기 (A) 단계는 극성도(Polarity index) 4 이하의 무극성 용매중에서 수행되는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (A) 단계에서의 다이아세틸렌 단량체와 N-하이드로숙신이미드 또는 N-하이드로설퍼숙신이미드의 몰비는 1:0
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제1항에 있어서, 상기 (A) 단계에서의 다이아세틸렌 단량체와 N,N'-디사이클로헥실카보디이미드의 몰비는 1:0
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제1항에 있어서, 상기 (B) 단계에서의 아미노벤젠술폰산은 2-아미노벤젠술폰산, 3-아미노벤젠술폰산, 4-아미노벤젠술폰산 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (B) 단계에서의 아미노알킬술폰산은 2-아미노에탄-1-술폰산, 3-아미노프로판-1-술폰산, 4-아미노부탄-1-술폰산, 5-아미노펜탄-1-술폰산, 6-아미노헥산-1-술폰산 또는 이의 혼합물인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (B) 단계는 트리에틸아민(Trimethylamine), 1,8-디아자바이사이클로[5,4,0]언덱-7-엔 (1,8-Diazabicyclo[5
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따라 제조된 다이아세틸렌 단량체 및 폴리아닐린을 포함하는 전도성 나노 복합체
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제9항에 있어서, 상기 전도성 나노 복합체는 표면저항(ANSI/ESD STM 11
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