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원료가 장입되는 도가니;상기 도가니를 감싸며 상, 하부가 개방된 석영관;상기 석영관을 감싸는 제1 가열수단;상기 석영관 내에서 상기 도가니의 하부 둘레에 배치되는 제2 가열수단; 및상기 석영관 내에서 상기 도가니의 하부 중앙에 배치되는 제3 가열수단;을 포함하고,상기 제1 내지 제3 가열수단은 각각 독립적으로 작동하여 상기 도가니를 가열하는 것을 특징으로 하는 대구경 단결정 성장장치
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제1항에 있어서,상기 제3 가열수단과 상기 제2 가열수단은 상호 열적으로 분리되도록 소정의 간격으로 이격되어 배치되며,상기 제3 가열수단은 상기 제2 가열수단보다 저항가열하는 정도가 높도록 구성되는 것을 특징으로 하는 대구경 단결정 성장장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2 가열수단과 상기 제3 가열수단은 각각 전류가 공급되어 상기 도가니를 저항가열하는 흑연판인 것을 특징으로 하는 대구경 단결정 성장장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제3 가열수단은 상기 제2 가열수단보다 높은 비저항값을 가지는 것을 특징으로 하는 대구경 단결정 성장장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2 가열수단은 중앙에 관통홀을 구비하며, 상기 제3 가열수단은 상기 관통홀 내에 상기 제2 가열수단과 접하지 않는 구조로 배치되는 것을 특징으로 하는 대구경 단결정 성장장치
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제1항에 있어서,상기 제2 가열수단과 상기 도가니의 하부 사이에 에어갭(air gap)이 구비되는 것을 특징으로 하는 대구경 단결정 성장장치
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제1항에 있어서,상기 도가니는 상기 제3 가열수단이 배치되는 하부에 상기 제3 가열수단을 수용하는 수용홈을 구비하는 것을 특징으로 하는 대구경 단결정 성장장치
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종자정홀더에 종자정을 부착시키는 단계;상기 종자정홀더를 원료가 장입된 도가니 내의 상부에 배치고정시키는 단계;상기 원료를 승화시켜 상기 종자정에 부착시켜 단결정으로 성장되도록, 제1 가열수단으로 상기 도가니를 가열하는 제1 가열단계;상기 도가니의 수평온도편차를 차단하도록 제2 가열수단으로 상기 도가니를 가열하는 제2 가열단계; 및상기 도가니의 수평온도편차를 차단하도록 제3 가열수단으로 상기 도가니를 가열하는 제3 가열단계를 포함하고,상기 제1 내지 제3 가열수단은 각각 독립적으로 작동하여 상기 도가니를 가열하는 것을 특징으로 하는 대구경 단결정 성장방법
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제8항에 있어서,상기 제3 가열수단과 상기 제2 가열수단은 상호 열적으로 분리되도록 소정의 간격으로 이격되어 배치되며,상기 제3 가열수단은 상기 제2 가열수단보다 저항가열하는 정도가 높도록 구성되는 것을 특징으로 하는 구경 단결정 성장방법
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제8항 또는 제9항에 있어서,상기 원료가 탄화규소(SiC)인 경우, 6인치 초과로서 결정다형이 6H-SiC(6H형 탄화규소) 또는 4H-SiC(4H형 탄화규소) 단결정으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 대구경 단결정 성장방법
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