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탄소나노 화이버를 이용한 고결정 나노 실리콘카바이드의합성방법

  • 기술번호 : KST2019008568
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 출발물질로 폴리카보메틸실란[Si(CH3)HCH2]n 용액에 템플릿으로 탄소나노 화이버(Platelet Carbon Nano Tube: PCNF)를 무게비로 1 : 2의 비율로 혼합한 후, 건조시켜 템플릿 표면에 출발 물질이 코팅되게 하고, 상기 코팅 혼합물을 비교적 낮은 온도에서 가열하여 PCNF 표면에 고결정 실리콘카바이드를 합성한 후 템플릿을 제거하여 최종 성형물이 형성되게 하는 것으로 이루어지는 탄소나노 화이버를 이용한 고결정 실리콘카바이드의 합성방법인 것이다. 본 발명의 합성방법은 비교적 낮은 온도에서 반응이 가능하고, 높은 결정성을 얻을 수 있으며, 성형물의 직경도 제어할 수 있는 효과가 있다.탄소, 나노, 화이버, 고결정, 실리콘카바이드, 템플릿, 합성
Int. CL C01B 32/963 (2017.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01)
출원번호/일자 1020050101880 (2005.10.27)
출원인 한국전력공사
등록번호/일자 10-0639555-0000 (2006.10.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20061031) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.27)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전력공사 대한민국 전라남도 나주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오제명 미국 대전광역시 서구
2 최경식 대한민국 대전광역시 유성구
3 최철 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤성호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이세진 대한민국 서울특별시 서초구 방배천로**길 *, *층 대양국제특허법률사무소 (방배동, 인성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전력공사 대한민국 전라남도 나주시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0614693-64
2 보정요구서
Request for Amendment		 2005.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0110014-00
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2005.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0664699-43
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2005.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2005-0678551-78
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0605155-93
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2007-5156605-02
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5153448-46
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136129-26
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5136893-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2020-5072225-46
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번호 청구항
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출발물질로 폴리카보메틸실란[Si(CH3)HCH2]n 용액에 템플릿으로 탄소나노 화이버(PCNF)를 무게비로 1 : 2의 비율로 혼합한 후, 건조시켜 템플릿 표면에 출발 물질이 코팅되게 하고, 상기 코팅 혼합물을 비교적 낮은 온도에서 가열하여 상기 탄소나노 화이버(PCNF) 표면에 고결정 실리콘카바이드를 합성한 후, 템플릿을 제거하여 최종 성형물이 형성되게 하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노 화이버를 이용한 고결정 실리콘카바이드의 합성방법
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제 1항에 있어서, 상기 코팅 혼합물의 가열은 아르곤(Ar) 분위기 하에서 1200℃ 이상의 온도에서 30분 이상 가열한 후 700℃ 미만에서 최소 30분 이상 노출시키는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 화이버를 이용한 고결정 실리콘카바이드의 합성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.