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기판 상에 하부 전극, 유기발광층, 및 면 전극을 차례로 증착하는 것; 및노즐 프린팅 공정을 이용하여 상기 면 전극 상에 보조 전극을 형성하는 것을 포함하되,상기 보조 전극은 저융점 금속을 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 저융점 금속의 융점은 0 도(℃)보다 크고 250 도(℃)보다 작은 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 보조 전극을 형성하는 것은:상기 면 전극 상에 상기 면 전극의 상면과 이격되도록 노즐을 배치하는 것;상기 노즐 내부에 고체 저융점 금속 재료를 제공하는 것;상기 고체 저융점 금속 재료를 용융시켜, 액체 저융점 금속 재료를 형성하는 것; 및상기 액체 저융점 금속 재료를 상기 면 전극 상에 토출시키는 것을 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 고체 저융점 금속 재료는 주석(Sn), 인듐(In), 비스무스(Bi), 납(Pb), 카드뮴(Cd), 갈륨(Ga), 또는 이들의 조합을 포함하는 합금 또는 주석(Sn)을 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 액체 저융점 금속 재료를 상기 면 전극 상에 토출시키는 것은, 상기 액체 저융점 금속 재료를 그물망 형태로 토출하는 것을 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 액체 저융점 금속 재료를 상기 노즐 외부로 토출시키는 공정은 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기에서 수행되는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 기판, 상기 하부 전극, 상기 유기발광층, 및 상기 면 전극의 온도가 50 도(℃)보다 낮게 유지되도록 상기 기판, 상기 하부 전극, 상기 유기발광층, 및 상기 면 전극의 온도를 조절하는 것을 더 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 노즐은 단부에 단열 영역을 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 액체 저융점 금속 재료를 상기 면 전극 상에 토출시키는 공정은 상기 노즐 내부의 상기 액체 저융점 금속에 압력을 가하는 것을 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 면 전극 상에 상기 보조 전극을 형성하는 공정 수행 전, 상기 면 전극 상에 전도성 투명 산화물 층을 증착하는 것을 더 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 전도성 투명 산화물막은 알루미늄(Al)이 도핑된 ZnO, 갈륨(Ga)이 도핑된 ZnO, 인듐주석산화물 (ITO), 인듐아연산화물 (IZO), 불소가 도핑된 SnO2, 안티모니(Sb)가 도핑된 SnO2, 또는 이들의 조합을 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조 방법
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